公开(公告)号：CN109728071B

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN201810392917.9

申请日：2018-04-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘书豪 ,  张惠政 ,  陈佳政 ,  陈亮吟 ,  陈国儒 ,  吴浚宏 ,  刘昌淼 ,  杨怀德 ,  谭伦光 ,  游伟明

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明通常涉及半导体器件中的导电部件的掺杂。在实例中，结构包括晶体管的有源区域。有源区域包括源极/漏极区域，并且源极/漏极区域至少部分地由具有第一掺杂剂浓度的第一掺杂剂限定。源极/漏极区域还包括第二掺杂剂，其中，第二掺杂剂的浓度分布具有从源极/漏极区域的表面至源极/漏极区域的深度的一致浓度。一致浓度大于第一掺杂剂浓度。该结构还包括在源极/漏极区域的表面处接触源极/漏极区域的导电部件。本发明的实施例还涉及掺杂具有导电部件的半导体器件。

公开(公告)号：CN114843223A

公开(公告)日：2022-08-02

申请号：CN202210241304.1

申请日：2022-03-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴浚宏 ,  钟佳玲 ,  刘书豪 ,  陈亮吟 ,  林舜武 ,  张惠政 ,  杨育佳

IPC: H01L21/8238

Abstract: 本公开涉及包括背面电源轨的半导体器件及制造方法。公开了一种形成半导体器件的方法以及由该方法形成的半导体器件，该方法包括对衬底执行离子注入并蚀刻衬底。在一个实施例中，一种方法包括在衬底的第一侧形成晶体管；对衬底的与第一侧相反的第二侧执行离子注入；在执行离子注入之后，蚀刻衬底以去除衬底并形成第一凹部；以及在第一凹部中形成电介质层。

公开(公告)号：CN109728071A

公开(公告)日：2019-05-07

申请号：CN201810392917.9

申请日：2018-04-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘书豪 ,  张惠政 ,  陈佳政 ,  陈亮吟 ,  陈国儒 ,  吴浚宏 ,  刘昌淼 ,  杨怀德 ,  谭伦光 ,  游伟明

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明通常涉及半导体器件中的导电部件的掺杂。在实例中，结构包括晶体管的有源区域。有源区域包括源极/漏极区域，并且源极/漏极区域至少部分地由具有第一掺杂剂浓度的第一掺杂剂限定。源极/漏极区域还包括第二掺杂剂，其中，第二掺杂剂的浓度分布具有从源极/漏极区域的表面至源极/漏极区域的深度的一致浓度。一致浓度大于第一掺杂剂浓度。该结构还包括在源极/漏极区域的表面处接触源极/漏极区域的导电部件。本发明的实施例还涉及掺杂具有导电部件的半导体器件。

公开(公告)号：CN119730281A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202410430067.2

申请日：2024-04-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林育樟 ,  刘思杰 ,  吴浚宏 ,  陈亮吟 ,  徐志安

IPC: H10D30/01 ,  H10D30/62 ,  H10D62/17

Abstract: 本公开涉及半导体器件结构及其形成方法。本文描述了半导体器件结构及其形成方法。该方法包括：从衬底形成鳍结构；在鳍结构的第一半导体层上沉积第一半导体材料；在第一半导体材料上沉积第二半导体材料；在第二半导体材料之上沉积层间电介质层；在层间电介质层中形成开口，以暴露第二半导体材料；执行第一注入工艺，以在第二半导体材料中形成非晶区，并在非晶区中注入第一物质；以及执行第二注入工艺，以在非晶区注入第二物质。第二物质包括氟、氮或碳。该方法还包括执行退火处理，以使非晶区再结晶。