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公开(公告)号：CN114843223A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210241304.1
申请日：2022-03-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238
Abstract: 本公开涉及包括背面电源轨的半导体器件及制造方法。公开了一种形成半导体器件的方法以及由该方法形成的半导体器件，该方法包括对衬底执行离子注入并蚀刻衬底。在一个实施例中，一种方法包括在衬底的第一侧形成晶体管；对衬底的与第一侧相反的第二侧执行离子注入；在执行离子注入之后，蚀刻衬底以去除衬底并形成第一凹部；以及在第一凹部中形成电介质层。
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