公开(公告)号：CN108122753A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201710368883.5

申请日：2017-05-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘季康 ,  吴松勋 ,  林志忠 ,  叶明熙 ,  林焕哲

IPC: H01L21/3213 ,  H01L21/311

Abstract: 为图案化栅极，先沉积芯材并图案化芯材。在一实施例中，上述图案化芯材的方法为进行第一蚀刻工艺以得粗略的目标，接着进行蚀刻参数不同的第二蚀刻工艺以得精确的目标。芯之后可用于形成间隔物，且间隔物接着可作为图案化栅极的掩模。

公开(公告)号：CN108122753B

公开(公告)日：2022-08-09

申请号：CN201710368883.5

申请日：2017-05-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘季康 ,  吴松勋 ,  林志忠 ,  叶明熙 ,  林焕哲

IPC: H01L21/3213 ,  H01L21/311

Abstract: 为图案化栅极，先沉积芯材并图案化芯材。在一实施例中，上述图案化芯材的方法为进行第一蚀刻工艺以得粗略的目标，接着进行蚀刻参数不同的第二蚀刻工艺以得精确的目标。芯之后可用于形成间隔物，且间隔物接着可作为图案化栅极的掩模。

公开(公告)号：CN113257741A

公开(公告)日：2021-08-13

申请号：CN202110118119.9

申请日：2021-01-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 钟汉邠 ,  刘季康

IPC: H01L21/8238

Abstract: 一种半导体元件及其形成方法，包括形成介电材料，对介电材料进行湿氧化处理，以及对介电材料进行干退火。介电材料可为流动性材料。湿氧化处理可包括酸与氧化剂混合物。