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公开(公告)号：CN106952869B
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201611219689.2
申请日：2016-12-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/522 , H01L21/762
Abstract: 本公开实施例提供一种半导体装置，包括设置于基板上方的第一层间介电层，金属导线，设置于第一层间介电层和金属导线上方的第二层间介电层，第一空气间隙和第二空气间隙。金属导线内嵌于第一层间介电层中，金属导线之间以第一间隙或第二间隙配置，第二间隙的长度大于第一间隙的长度。第一空气间隙，利用第二层间介电层形成，第一空气间隙形成于第一区域中，且夹设于以第一间隙配置的相邻两条金属导线之间。第二空气间隙，利用第二层间介电层形成，第二空气间隙形成于第二区域中，且夹设于以大于第一间隙的一间隙配置的相邻两条金属导线之间。没有相邻两条金属导线以小于第一间隙的一间隙配置。
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公开(公告)号：CN106952869A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201611219689.2
申请日：2016-12-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/522 , H01L21/762
Abstract: 本公开实施例提供一种半导体装置，包括设置于基板上方的第一层间介电层，金属导线，设置于第一层间介电层和金属导线上方的第二层间介电层，第一空气间隙和第二空气间隙。金属导线内嵌于第一层间介电层中，金属导线之间以第一间隙或第二间隙配置，第二间隙的长度大于第一间隙的长度。第一空气间隙，利用第二层间介电层形成，第一空气间隙形成于第一区域中，且夹设于以第一间隙配置的相邻两条金属导线之间。第二空气间隙，利用第二层间介电层形成，第二空气间隙形成于第二区域中，且夹设于以大于第一间隙的一间隙配置的相邻两条金属导线之间。没有相邻两条金属导线以小于第一间隙的一间隙配置。
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公开(公告)号：CN106935544B
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201610737436.8
申请日：2016-08-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/528 , H01L23/532
Abstract: 半导体装置的形成方法包括：形成第一介电层于基板上，以及形成多个第一凹陷于第一介电层中。形成多个金属线路于第一凹陷中，且金属线路沿着第一方向延伸。形成掩模层于金属线路与第一介电层上。掩模层包括沿着第一方向延伸的第一开口，且第一开口位于两个相邻的金属线路之间的空间上。以掩模层作为蚀刻掩模，蚀刻第一介电层以形成第一凹槽对应金属线路之间的第一开口。形成第二介电层，以形成第一气隙于第一凹槽中。第一开口于第二方向的宽度小于两个相邻的金属线路于第二方向的间距，且第二方向垂直于第一方向。
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公开(公告)号：CN106935544A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201610737436.8
申请日：2016-08-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/528 , H01L23/532
Abstract: 半导体装置的形成方法包括：形成第一介电层于基板上，以及形成多个第一凹陷于第一介电层中。形成多个金属线路于第一凹陷中，且金属线路沿着第一方向延伸。形成掩模层于金属线路与第一介电层上。掩模层包括沿着第一方向延伸的第一开口，且第一开口位于两个相邻的金属线路之间的空间上。以掩模层作为蚀刻掩模，蚀刻第一介电层以形成第一凹槽对应金属线路之间的第一开口。形成第二介电层，以形成第一气隙于第一凹槽中。第一开口于第二方向的宽度小于两个相邻的金属线路于第二方向的间距，且第二方向垂直于第一方向。
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公开(公告)号：CN219017657U
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202223205003.8
申请日：2022-11-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L23/00
Abstract: 一种集成电路芯片及角落应力释放结构。根据本公开的集成电路芯片包括电路区域和围绕电路区域的密封环区域。密封环区域包括沿第一方向纵向延伸的第一有源区，以及设置在第一有源区上的第一栅极结构。第一栅极结构沿由第一方向倾斜的第二方向纵向延伸。第一方向与第二方向之间形成一倾斜角。
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