公开(公告)号：CN103137491A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201210183275.4

申请日：2012-06-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林承德 ,  王智麟 ,  吴怡璜 ,  张宗生

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L29/0847 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7848

Abstract: 公开了在凹槽的表面上形成并去除反应层以提供用于改善在该凹槽中形成的半导体材料的厚度均匀性的机构的方法。改善的厚度均匀性反过来又改善了器件性能的均匀性。本发明提供了用于改善应变结构的厚度均匀性的反应层。

公开(公告)号：CN103137491B

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201210183275.4

申请日：2012-06-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林承德 ,  王智麟 ,  吴怡璜 ,  张宗生

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L29/0847 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7848

Abstract: 公开了在凹槽的表面上形成并去除反应层以提供用于改善在该凹槽中形成的半导体材料的厚度均匀性的机构的方法。改善的厚度均匀性反过来又改善了器件性能的均匀性。本发明提供了用于改善应变结构的厚度均匀性的反应层。