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公开(公告)号：CN109960106B
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN201811435002.8
申请日：2018-11-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/00
Abstract: 方法包括在衬底上沉积目标层；通过将离子注入到目标层中来减少入射到目标层上的光的反射，从而产生离子注入的目标层；在离子注入的目标层上涂覆光刻胶层；使用光刻工艺将光刻胶层暴露于光，其中目标层在光刻工艺期间减少在离子注入的目标层和光刻胶层之间的界面处的光的反射；显影光刻胶层以形成光刻胶图案；用光刻胶图案作为蚀刻掩模蚀刻离子注入的目标层；使用至少蚀刻的离子注入的目标层作为工艺掩模处理衬底；以及去除蚀刻的离子注入的目标层。本发明的实施例还涉及用于光刻图案化的方法。
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公开(公告)号：CN105868437B
公开(公告)日：2019-10-15
申请号：CN201510985005.9
申请日：2015-12-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明提供一种方法，包括处理集成电路的布局，以确定集成电路的一个或多个部件的一种或多种属性。方法还包括从与制造集成电路相关联的工艺文件中提取一个或多个工艺参数。基于包括在工艺文件中的一个或多个逻辑函数，从工艺文件中提取一个或多个工艺参数。计算基于一种或多种属性。方法还包括：基于包括在工艺文件中的一个或多个工艺参数和电容确定规则，计算集成电路的至少两个部件之间的电容值。基于用户输入，可编辑一个或多个工艺参数、一个或多个逻辑函数和电容确定规则中的至少一个。本发明还提供了电容提取的方法和装置。
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公开(公告)号：CN105931939A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201510569374.X
申请日：2015-09-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/304 , H01L21/265 , H01L21/66
CPC classification number: H01J37/3172 , H01J37/3026 , H01J37/304 , H01J2237/2814 , H01J2237/2815 , H01J2237/2817 , H01J2237/30461 , H01J2237/30483 , H01J2237/31703 , H01J2237/3171
Abstract: 本发明提供了一种用于生成参数图案的方法，包括：在工件的表面上的多个区域上实施多个测量，以获得多个测量结果；以及根据多个测量结果，通过计算机导出参数图案；其中，参数图案包括与工件的表面上的多个区域中的每个对应的多个区域性参数值。本发明提供了一种前馈半导体制造方法，包括：在工件的表面上形成具有期望的图案的层；根据针对具有期望的图案的层的空间维度测量来导出包括参数图案的控制信号，期望的图案分布在工件的表面的多个区域上方；以及根据控制信号，在工件的表面上实施离子注入。本发明还涉及生成参数图案的方法，离子注入方法和前馈半导体制造方法。
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公开(公告)号：CN109427682B
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201711105357.6
申请日：2017-11-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 一种半导体元件及其形成方法。半导体元件的形成方法包含：形成至少一栅极结构于基材上。栅极结构包含栅电极。栅极结构的栅电极包含第一导电材料；以及沿着栅极结构的栅极结构的侧壁而形成第一介电材料的第一介电层。第一介电材料的第一介电层包含具有一掺杂浓度的氟的氟掺杂氮碳氧化硅或氟掺杂碳氧化硅。
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公开(公告)号：CN107039258A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201610845869.5
申请日：2016-09-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L29/7856 , H01L21/3215 , H01L23/535 , H01L29/0649 , H01L29/41791 , H01L29/42376 , H01L29/66545 , H01L29/66795 , H01L29/7851 , H01L29/401 , H01L29/0642 , H01L29/785
Abstract: 本发明提供了形成栅极的方法包括：形成伪栅极；横向邻近伪栅极形成层间电介质(ILD)；将掺杂剂掺杂到伪栅极和ILD中，其中，伪栅极的表面掺杂剂浓度低于ILD的表面掺杂剂浓度；在将掺杂剂掺杂到伪栅极和ILD中之后，去除伪栅极以形成腔体；以及在腔体中形成栅极。本发明还提供了鳍式场效应晶体管。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109960106A
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201811435002.8
申请日：2018-11-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/00
Abstract: 方法包括在衬底上沉积目标层；通过将离子注入到目标层中来减少入射到目标层上的光的反射，从而产生离子注入的目标层；在离子注入的目标层上涂覆光刻胶层；使用光刻工艺将光刻胶层暴露于光，其中目标层在光刻工艺期间减少在离子注入的目标层和光刻胶层之间的界面处的光的反射；显影光刻胶层以形成光刻胶图案；用光刻胶图案作为蚀刻掩模蚀刻离子注入的目标层；使用至少蚀刻的离子注入的目标层作为工艺掩模处理衬底；以及去除蚀刻的离子注入的目标层。本发明的实施例还涉及用于光刻图案化的方法。
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公开(公告)号：CN105931939B
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201510569374.X
申请日：2015-09-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01J37/317 , H01J37/304 , H01L21/265 , H01L21/66
CPC classification number: H01J37/3172 , H01J37/3026 , H01J37/304 , H01J2237/2814 , H01J2237/2815 , H01J2237/2817 , H01J2237/30461 , H01J2237/30483 , H01J2237/31703 , H01J2237/3171
Abstract: 本发明提供了一种用于生成参数图案的方法，包括：在工件的表面上的多个区域上实施多个测量，以获得多个测量结果；以及根据多个测量结果，通过计算机导出参数图案；其中，参数图案包括与工件的表面上的多个区域中的每个对应的多个区域性参数值。本发明提供了一种前馈半导体制造方法，包括：在工件的表面上形成具有期望的图案的层；根据针对具有期望的图案的层的空间维度测量来导出包括参数图案的控制信号，期望的图案分布在工件的表面的多个区域上方；以及根据控制信号，在工件的表面上实施离子注入。本发明还涉及生成参数图案的方法，离子注入方法和前馈半导体制造方法。
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公开(公告)号：CN105868437A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201510985005.9
申请日：2015-12-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明提供一种方法，包括处理集成电路的布局，以确定集成电路的一个或多个部件的一种或多种属性。方法还包括从与制造集成电路相关联的工艺文件中提取一个或多个工艺参数。基于包括在工艺文件中的一个或多个逻辑函数，从工艺文件中提取一个或多个工艺参数。计算基于一种或多种属性。方法还包括：基于包括在工艺文件中的一个或多个工艺参数和电容确定规则，计算集成电路的至少两个部件之间的电容值。基于用户输入，可编辑一个或多个工艺参数、一个或多个逻辑函数和电容确定规则中的至少一个。本发明还提供了电容提取的方法和装置。
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公开(公告)号：CN108933128A
公开(公告)日：2018-12-04
申请号：CN201810355364.X
申请日：2018-04-19
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L27/0629 , H01L28/20 , H01L28/60 , H01L27/0207 , H01L23/642 , H01L23/647 , H01L28/40
Abstract: 本揭示提供了半导体装置的形成方法与所形成的半导体装置。第一栅极结构中的电容形成于基板上方。电容包括第一栅电极、半导体层、介电层及第二导电层。第一栅电极包括第一导电层。半导体层包括半导体材料及掺杂物。介电层设置于第一栅电极和半导体层之间。第二导电层接触半导体层。电阻包括第三导电层，且电性连接至电容。
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公开(公告)号：CN109427682A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201711105357.6
申请日：2017-11-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 一种半导体元件及其形成方法。半导体元件的形成方法包含：形成至少一栅极结构于基材上。栅极结构包含栅电极。栅极结构的栅电极包含第一导电材料；以及沿着栅极结构的栅极结构的侧壁而形成第一介电材料的第一介电层。第一介电材料的第一介电层包含具有一掺杂浓度的氟的氟掺杂氮碳氧化硅或氟掺杂碳氧化硅。
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