公开(公告)号：CN119562544A

公开(公告)日：2025-03-04

申请号：CN202410375302.0

申请日：2024-03-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 江淳修 ,  赖蓓盈 ,  侯承浩 ,  徐志安 ,  廖善美 ,  吴宏基

IPC: H10D30/01 ,  H10D64/01 ,  H10D64/27 ,  H01L21/02

Abstract: 本申请公开了调谐晶体管阈值电压的处理。一种方法包括：基于半导体区域的第一部分形成源极/漏极区域，基于半导体区域的第二部分形成高k电介质层，在高k电介质层上形成偶极子膜，使用包含氮气和氢气的工艺气体对偶极子膜执行处理工艺，执行驱入工艺以将偶极子膜中的偶极子掺杂剂驱入高k电介质层，以及在高k电介质层上沉积功函数层。

公开(公告)号：CN112490191B

公开(公告)日：2025-04-22

申请号：CN202010927951.9

申请日：2020-09-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴少均 ,  吴宏基 ,  李家庆 ,  叶品萱 ,  锺鸿钦 ,  李显铭 ,  陈建豪 ,  潘昇良 ,  林焕哲

IPC: H10D84/03 ,  H01L21/28 ,  H10D84/85 ,  H10D64/66

Abstract: 本公开涉及一种半导体装置与其形成方法，此处公开改善的功函数层与其形成方法。在一实施例中，方法包括形成自基板延伸的半导体鳍状物；沉积介电层于半导体鳍状物上；沉积第一功函数层于介电层上；以及暴露第一功函数层至第一反应气体的介稳态等离子体、生成气体的介稳态等离子体、与第二反应气体的介稳态等离子体，其中第一反应气体与第二反应气体不同。

公开(公告)号：CN112490191A

公开(公告)日：2021-03-12

申请号：CN202010927951.9

申请日：2020-09-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴少均 ,  吴宏基 ,  李家庆 ,  叶品萱 ,  锺鸿钦 ,  李显铭 ,  陈建豪 ,  潘昇良 ,  林焕哲

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/28 ,  H01L27/092 ,  H01L29/49

Abstract: 本公开涉及一种半导体装置与其形成方法，此处公开改善的功函数层与其形成方法。在一实施例中，方法包括形成自基板延伸的半导体鳍状物；沉积介电层于半导体鳍状物上；沉积第一功函数层于介电层上；以及暴露第一功函数层至第一反应气体的介稳态等离子体、生成气体的介稳态等离子体、与第二反应气体的介稳态等离子体，其中第一反应气体与第二反应气体不同。