公开(公告)号：CN112490191B

公开(公告)日：2025-04-22

申请号：CN202010927951.9

申请日：2020-09-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴少均 ,  吴宏基 ,  李家庆 ,  叶品萱 ,  锺鸿钦 ,  李显铭 ,  陈建豪 ,  潘昇良 ,  林焕哲

IPC: H10D84/03 ,  H01L21/28 ,  H10D84/85 ,  H10D64/66

Abstract: 本公开涉及一种半导体装置与其形成方法，此处公开改善的功函数层与其形成方法。在一实施例中，方法包括形成自基板延伸的半导体鳍状物；沉积介电层于半导体鳍状物上；沉积第一功函数层于介电层上；以及暴露第一功函数层至第一反应气体的介稳态等离子体、生成气体的介稳态等离子体、与第二反应气体的介稳态等离子体，其中第一反应气体与第二反应气体不同。

公开(公告)号：CN109585283B

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN201810230259.3

申请日：2018-03-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 魏孝宽 ,  许馨云 ,  叶品萱 ,  许经佑 ,  李显铭

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/51 ,  H01L21/336

Abstract: 本公开涉及栅极结构钝化物质驱入方法和由该方法形成的结构。本公开大体上提供了与器件的栅极结构形成(例如在替代栅极工艺中)以及由此形成的器件有关的示例实施例。在一种示例方法中，栅极电介质层被形成在衬底上的有源区域上方。包含钝化物质(例如氟)的暂置层被形成在栅极电介质层上方。执行热处理以驱动钝化物质从暂置层进入栅极电介质层。暂置层被移除。金属栅电极被形成在栅极电介质层上方。在金属栅电极被形成之前，栅极电介质层包括钝化物质。

公开(公告)号：CN109585283A

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201810230259.3

申请日：2018-03-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 魏孝宽 ,  许馨云 ,  叶品萱 ,  许经佑 ,  李显铭

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/51 ,  H01L21/336

Abstract: 本公开涉及栅极结构钝化物质驱入方法和由该方法形成的结构。本公开大体上提供了与器件的栅极结构形成(例如在替代栅极工艺中)以及由此形成的器件有关的示例实施例。在一种示例方法中，栅极电介质层被形成在衬底上的有源区域上方。包含钝化物质(例如氟)的暂置层被形成在栅极电介质层上方。执行热处理以驱动钝化物质从暂置层进入栅极电介质层。暂置层被移除。金属栅电极被形成在栅极电介质层上方。在金属栅电极被形成之前，栅极电介质层包括钝化物质。

公开(公告)号：CN113658867A

公开(公告)日：2021-11-16

申请号：CN202110828207.8

申请日：2018-03-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 魏孝宽 ,  许馨云 ,  叶品萱 ,  许经佑 ,  李显铭

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/02 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3213 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78

Abstract: 本公开涉及栅极结构钝化物质驱入方法和由该方法形成的结构。本公开大体上提供了与器件的栅极结构形成(例如在替代栅极工艺中)以及由此形成的器件有关的示例实施例。在一种示例方法中，栅极电介质层被形成在衬底上的有源区域上方。包含钝化物质(例如氟)的暂置层被形成在栅极电介质层上方。执行热处理以驱动钝化物质从暂置层进入栅极电介质层。暂置层被移除。金属栅电极被形成在栅极电介质层上方。在金属栅电极被形成之前，栅极电介质层包括钝化物质。

公开(公告)号：CN113270369A

公开(公告)日：2021-08-17

申请号：CN202010893901.3

申请日：2020-08-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴仲强 ,  陈柏成 ,  黄国展 ,  叶品萱 ,  李威缙 ,  李显铭 ,  陈建豪 ,  徐志安

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/49

Abstract: 本公开涉及半导体器件及其形成方法。一种方法包括：在半导体区域上形成栅极电极，使得栅极电极凹陷以生成凹槽，执行第一沉积工艺以在栅极电极上和凹槽中形成第一金属层，其中第一沉积工艺是使用第一前体来执行的，以及使用不同于第一前体的第二前体来执行第二沉积工艺以在第一金属层上形成第二金属层。第一金属层和第二金属层包含相同的金属。该方法还包括在第二金属层之上形成电介质硬掩模，以及形成穿过电介质硬掩模的栅极接触插塞。栅极接触插塞接触第二金属层的顶表面。

公开(公告)号：CN112490191A

公开(公告)日：2021-03-12

申请号：CN202010927951.9

申请日：2020-09-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴少均 ,  吴宏基 ,  李家庆 ,  叶品萱 ,  锺鸿钦 ,  李显铭 ,  陈建豪 ,  潘昇良 ,  林焕哲

IPC: H01L21/8238 ,  H01L21/28 ,  H01L27/092 ,  H01L29/49

Abstract: 本公开涉及一种半导体装置与其形成方法，此处公开改善的功函数层与其形成方法。在一实施例中，方法包括形成自基板延伸的半导体鳍状物；沉积介电层于半导体鳍状物上；沉积第一功函数层于介电层上；以及暴露第一功函数层至第一反应气体的介稳态等离子体、生成气体的介稳态等离子体、与第二反应气体的介稳态等离子体，其中第一反应气体与第二反应气体不同。