公开(公告)号：CN110088995B

公开(公告)日：2021-06-04

申请号：CN201780078544.1

申请日：2017-12-19

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 斋藤裕介 ,  黑部立郎 ,  木本龙也 ,  神谷慎一

IPC: H01S5/026 ,  G02B6/122

Abstract: 光集成元件具备：在基板上依次层叠第2芯层、下部包覆层、第1芯层、以及上部包覆层而成的无源波导区域、在基板上依次层叠第2芯层、下部包覆层、第1芯层、通过注入电流而放大光的量子阱层、以及上部包覆层而成的活性区域，第1芯层与量子阱层之间在对第1芯层进行波导的光的模场的范围内相接近，无源波导区域的至少一部分以及活性区域具有上部包覆层突出为台面状的第1台面构造，无源波导区域包含除了第1台面构造还具有第1芯层、下部包覆层以及第2芯层突出为台面状的第2台面构造的第2光点尺寸变换区域，第2台面构造的宽度比第1台面构造的宽度宽，并且具有第2台面构造的无源波导区域中，第1台面构造的宽度连续地变化。

公开(公告)号：CN110088995A

公开(公告)日：2019-08-02

申请号：CN201780078544.1

申请日：2017-12-19

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 斋藤裕介 ,  黑部立郎 ,  木本龙也 ,  神谷慎一

IPC: H01S5/026 ,  G02B6/122

Abstract: 光集成元件具备：在基板上依次层叠第2芯层、下部包覆层、第1芯层、以及上部包覆层而成的无源波导区域、在基板上依次层叠第2芯层、下部包覆层、第1芯层、通过注入电流而放大光的量子阱层、以及上部包覆层而成的活性区域，第1芯层与量子阱层之间在对第1芯层进行波导的光的模场的范围内相接近，无源波导区域的至少一部分以及活性区域具有上部包覆层突出为台面状的第1台面构造，无源波导区域包含除了第1台面构造还具有第1芯层、下部包覆层以及第2芯层突出为台面状的第2台面构造的第2光点尺寸变换区域，第2台面构造的宽度比第1台面构造的宽度宽，并且具有第2台面构造的无源波导区域中，第1台面构造的宽度连续地变化。