公开(公告)号：CN101441301A

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：CN200810125477.7

申请日：2008-06-18

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 有贺麻衣子 ,  村主贤悟 ,  大池瑞记 ,  高野太志 ,  井部纱代子 ,  向原智一

IPC: G02B6/42 ,  G02B6/12 ,  G02B6/125 ,  G02B6/122

CPC classification number: H01S5/02208 ,  H01S5/0064 ,  H01S5/02284 ,  H01S5/0687 ,  H01S5/12 ,  H01S5/4012 ,  H01S5/4031 ,  H01S5/50 ,  H01S2301/02

Abstract: 本发明提供一种光模块(10)，至少具有：激光光源(20)；使从激光光源(20)出射的激光中一部分激光透过并且使另一部分激光分路的光分路模块(24)；接受由光分路模块(24)分路的另一部分激光的受光部(30P)；以及收置激光光源(20)和光分路模块(24)和受光部(30P)的封装(11)，在封装(11)内设置用于减少在封装内产生的杂散光的杂散光减少模块(200、201、202)。

公开(公告)号：CN102474069B

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201080033676.0

申请日：2010-07-05

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 木本龙也 ,  向原智一

IPC: H01S5/026 ,  G02B6/122 ,  H01S5/22

CPC classification number: G02B6/12004 ,  G02B6/29344 ,  G02B6/4215 ,  G02B6/4245 ,  G02B2006/12121 ,  G02B2006/12147 ,  G02B2006/12195 ,  H01S5/02248 ,  H01S5/02284 ,  H01S5/026 ,  H01S5/4068 ,  H01S5/4087

Abstract: 本发明提供一种集成型半导体激光元件、半导体激光组件及光传输系统。集成型半导体激光元件集成了能够使来自以互不相同的振荡波长进行单一模式振荡的多个半导体激光器的输出光耦合的光耦合器、和将来自光耦合器的输出光进行放大的半导体光放大器，多个半导体激光器的各活性层的至少一个和半导体光放大器的活性层具有同一厚度和同一组成，半导体光放大器具有形成在光耦合器侧且用于以单一模式将输出光进行导波的等宽部、和形成在光输出侧且宽度比等宽部宽的展宽部，为使规定动作状态下的增益峰值的波长与半导体激光器的增益峰值的波长一致，以根据活性层的各阱层的厚度的合计将阱层的总体积增大至能带填充效应被抑制的程度的方式设定展宽部的宽度。

公开(公告)号：CN102362401A

公开(公告)日：2012-02-22

申请号：CN200980158189.4

申请日：2009-09-30

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 村主贤悟 ,  木村俊雄 ,  向原智一

IPC: H01S5/022 ,  H01S5/024

CPC classification number: H01S5/02248 ,  H01S5/02415 ,  H01S5/02438

Abstract: 本发明提供一种在配置于框体(20)底部的帕尔贴元件(2)的上部层叠膨胀系数不同的两层以上的多个板状构件即基台(4、5)，至少在最上层基台(5)的一部分区域还设置具有与该最上层基台(5)不同的膨胀系数的抑制构件(22)，在基台(5)及/或抑制构件(22)上配置有光学元件。由此，即使是帕尔贴元件(2)发生翘曲的情况，也能够通过基台(4)、基台(5)及抑制构件(22)的复合板结构抑制翘曲的发生，因此，基台(4)及抑制构件(22)难以发生翘曲，且束分离器(8)和校准器(9)之间难以发生光轴错位。

公开(公告)号：CN101441301B

公开(公告)日：2013-03-20

申请号：CN200810125477.7

申请日：2008-06-18

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 有贺麻衣子 ,  村主贤悟 ,  大池瑞记 ,  高野太志 ,  井部纱代子 ,  向原智一

IPC: G02B6/42 ,  G02B6/12 ,  G02B6/125 ,  G02B6/122

CPC classification number: H01S5/02208 ,  H01S5/0064 ,  H01S5/02284 ,  H01S5/0687 ,  H01S5/12 ,  H01S5/4012 ,  H01S5/4031 ,  H01S5/50 ,  H01S2301/02

Abstract: 本发明提供一种光模块(10)，至少具有：激光光源(20)；使从激光光源(20)出射的激光中一部分激光透过并且使另一部分激光分路的光分路模块(24)；接受由光分路模块(24)分路的另一部分激光的受光部(30P)；以及收置激光光源(20)和光分路模块(24)和受光部(30P)的封装(11)，在封装(11)内设置用于减少在封装内产生的杂散光的杂散光减少模块(200、201、202)。

公开(公告)号：CN102474069A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080033676.0

申请日：2010-07-05

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 木本龙也 ,  向原智一

IPC: H01S5/026 ,  G02B6/122 ,  H01S5/22

CPC classification number: G02B6/12004 ,  G02B6/29344 ,  G02B6/4215 ,  G02B6/4245 ,  G02B2006/12121 ,  G02B2006/12147 ,  G02B2006/12195 ,  H01S5/02248 ,  H01S5/02284 ,  H01S5/026 ,  H01S5/4068 ,  H01S5/4087

Abstract: 本发明提供一种集成型半导体激光元件、半导体激光组件及光传输系统。集成型半导体激光元件集成了能够使来自以互不相同的振荡波长进行单一模式振荡的多个半导体激光器的输出光耦合的光耦合器、和将来自光耦合器的输出光进行放大的半导体光放大器，多个半导体激光器的各活性层的至少一个和半导体光放大器的活性层具有同一厚度和同一组成，半导体光放大器具有形成在光耦合器侧且用于以单一模式将输出光进行导波的等宽部、和形成在光输出侧且宽度比等宽部宽的展宽部，为使规定动作状态下的增益峰值的波长与半导体激光器的增益峰值的波长一致，以根据活性层的各阱层的厚度的合计将阱层的总体积增大至能带填充效应被抑制的程度的方式设定展宽部的宽度。

公开(公告)号：CN1256795A

公开(公告)日：2000-06-14

申请号：CN99800135.X

申请日：1999-02-15

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 石川卓哉 ,  荒川智志 ,  向原智一 ,  柏川秋彦

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/44 ,  H01L33/14 ,  H01L33/30 ,  H01L33/305 ,  H01L33/36 ,  H01L33/38

Abstract: 半导体发光二极管(10)被形成在n型GaAs基片上并包含:AlGaInP基双异质结结构,其中激活层(16)被夹在镀层(14,18)之间;上P型接触层20;环形上电极(22)有孔(28),光是通过上p型接触层(20)和上电极(22)的孔(28)发射。上p型接触层(20)是由含有0.5或更高Al含量的AlGaAs或AlGaAsP构成的半导体层,并且在5×1018cm－3或更高载流子浓度掺杂杂质。该半导体发光二极管以要求的发射图形和较高强度发射光并能以相对简单工艺制造。