公开(公告)号：CN101866969B

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201010197017.2

申请日：2010-05-27

Applicant: 友达光电股份有限公司

Inventor： 刘致为 ,  何伟硕 ,  陈彦瑜 ,  古峻源 ,  陈建任 ,  林汉涂 ,  梁硕玮

IPC: H01L31/042 ,  H01L31/028 ,  H01L31/20

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种太阳电池，其包括第一型掺杂单晶硅基板、本征非晶硅层、第二型掺杂非晶硅层、第一型掺杂结晶含锗层以及一对电极。第一型掺杂单晶硅基板具有正面以及背面。本征非晶硅层配置于正面上。第二型掺杂非晶硅层配置于本征非晶硅层上。第一型掺杂结晶含锗层配置于背面。电极与第二型掺杂非晶硅层以及第一型掺杂结晶含锗层电性连接。

公开(公告)号：CN101866969A

公开(公告)日：2010-10-20

申请号：CN201010197017.2

申请日：2010-05-27

Applicant: 友达光电股份有限公司

Inventor： 刘致为 ,  何伟硕 ,  陈彦瑜 ,  古峻源 ,  陈建任 ,  林汉涂 ,  梁硕玮

IPC: H01L31/042 ,  H01L31/028 ,  H01L31/20

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种太阳电池，其包括第一型掺杂单晶硅基板、本征非晶硅层、第二型掺杂非晶硅层、第一型掺杂结晶含锗层以及一对电极。第一型掺杂单晶硅基板具有正面以及背面。本征非晶硅层配置于正面上。第二型掺杂非晶硅层配置于本征非晶硅层上。第一型掺杂结晶含锗层配置于背面。电极与第二型掺杂非晶硅层以及第一型掺杂结晶含锗层电性连接。

公开(公告)号：CN102064211B

公开(公告)日：2013-10-09

申请号：CN201010535766.1

申请日：2010-11-04

Applicant: 友达光电股份有限公司

Inventor： 刘致为 ,  何伟硕 ,  陈彦瑜 ,  古峻源 ,  吴振诚 ,  梁硕玮 ,  陈人杰 ,  赖忠威 ,  陈宗保

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/20

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池及其制造方法，该太阳能电池包括一结晶半导体基底、一第一结晶半导体层、一非晶半导体层、一第一金属电极层以及一第二金属电极层。结晶半导体基底具有一第一表面与一第二表面，且结晶半导体基底具有一第一掺杂型式。第一结晶半导体层设置于结晶半导体基底的第一表面，其中第一结晶半导体层具有一第二掺杂型式，且第二掺杂型式相反于第一掺杂型式。非晶半导体层设置于第一结晶半导体层上，且非晶半导体层具有第二掺杂型式。第一金属电极层设置于非晶半导体层上。第二金属电极层设置于结晶半导体基底的第二表面。本发明的太阳能电池可提升太阳能电池的光电转换效率。

公开(公告)号：CN102064211A

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN201010535766.1

申请日：2010-11-04

Applicant: 友达光电股份有限公司

Inventor： 刘致为 ,  何伟硕 ,  陈彦瑜 ,  古峻源 ,  吴振诚 ,  梁硕玮 ,  陈人杰 ,  赖忠威 ,  陈宗保

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/20

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池及其制造方法，该太阳能电池包括一结晶半导体基底、一第一结晶半导体层、一非晶半导体层、一第一金属电极层以及一第二金属电极层。结晶半导体基底具有一第一表面与一第二表面，且结晶半导体基底具有一第一掺杂型式。第一结晶半导体层设置于结晶半导体基底的第一表面，其中第一结晶半导体层具有一第二掺杂型式，且第二掺杂型式相反于第一掺杂型式。非晶半导体层设置于第一结晶半导体层上，且非晶半导体层具有第二掺杂型式。第一金属电极层设置于非晶半导体层上。第二金属电极层设置于结晶半导体基底的第二表面。本发明的太阳能电池可提升太阳能电池的光电转换效率。