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公开(公告)号：CN102064211B
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201010535766.1
申请日：2010-11-04
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L31/04 , H01L31/0352 , H01L31/20
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池及其制造方法，该太阳能电池包括一结晶半导体基底、一第一结晶半导体层、一非晶半导体层、一第一金属电极层以及一第二金属电极层。结晶半导体基底具有一第一表面与一第二表面，且结晶半导体基底具有一第一掺杂型式。第一结晶半导体层设置于结晶半导体基底的第一表面，其中第一结晶半导体层具有一第二掺杂型式，且第二掺杂型式相反于第一掺杂型式。非晶半导体层设置于第一结晶半导体层上，且非晶半导体层具有第二掺杂型式。第一金属电极层设置于非晶半导体层上。第二金属电极层设置于结晶半导体基底的第二表面。本发明的太阳能电池可提升太阳能电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN102064211A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN201010535766.1
申请日：2010-11-04
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L31/04 , H01L31/0352 , H01L31/20
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池及其制造方法，该太阳能电池包括一结晶半导体基底、一第一结晶半导体层、一非晶半导体层、一第一金属电极层以及一第二金属电极层。结晶半导体基底具有一第一表面与一第二表面，且结晶半导体基底具有一第一掺杂型式。第一结晶半导体层设置于结晶半导体基底的第一表面，其中第一结晶半导体层具有一第二掺杂型式，且第二掺杂型式相反于第一掺杂型式。非晶半导体层设置于第一结晶半导体层上，且非晶半导体层具有第二掺杂型式。第一金属电极层设置于非晶半导体层上。第二金属电极层设置于结晶半导体基底的第二表面。本发明的太阳能电池可提升太阳能电池的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN103151395A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201310029957.4
申请日：2013-01-25
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L31/0224 , H01L31/04
CPC classification number: H01L31/022441 , H01L31/02245 , H01L31/0504 , H01L31/0516 , H01L31/0682 , Y02E10/547
Abstract: 一种太阳能电池包含结晶硅基材、多个P型半导体材料层、多个N型半导体材料层、多个第一正极集电部、至少一第一电极总线部、多个第一负极集电部、多个第二正极集电部、至少一第二电极总线部、多个第二负极集电部与至少一第三电极总线部。太阳能电池通过第一正极集电部、第一电极总线部、第一负极集电部、第二电极总线部、第二正极集电部、第二电极总线部、第二负极集电部与第三电极总线部的排列方式组成多个电池次单元来提升其输出电压。
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公开(公告)号：CN102157571A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201110026719.9
申请日：2011-01-20
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L31/0216
Abstract: 本发明公开一种太阳能电池结构，包括一基板、一第一半导体硅膜层、一第一透明导电层、一第一保护层、一第一金属电极、一第二半导体硅膜层、一第二透明导电层以及一第二金属电极。第一半导体硅膜层、第一透明导电层、第一保护层依序地配置于基板的一第一侧。第一保护层具有多个第一开口以暴露出部分第一透明导电层。第一保护层的材质为氮化硅。第一金属电极配置于第一保护层的第一开口中。第二半导体硅膜层配置于基板的一第二侧，且第一侧与第二侧相对。第二透明导电层配置于第二半导体硅膜层远离基板的一侧。第二金属电极配置于第二透明导电层远离基板的一侧。本发明透明导电层与保护层的堆栈结构可提供抗反射的作用，构成多层态样的抗反射涂层。
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