公开(公告)号：CN102064211B

公开(公告)日：2013-10-09

申请号：CN201010535766.1

申请日：2010-11-04

Applicant: 友达光电股份有限公司

Inventor： 刘致为 ,  何伟硕 ,  陈彦瑜 ,  古峻源 ,  吴振诚 ,  梁硕玮 ,  陈人杰 ,  赖忠威 ,  陈宗保

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/20

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池及其制造方法，该太阳能电池包括一结晶半导体基底、一第一结晶半导体层、一非晶半导体层、一第一金属电极层以及一第二金属电极层。结晶半导体基底具有一第一表面与一第二表面，且结晶半导体基底具有一第一掺杂型式。第一结晶半导体层设置于结晶半导体基底的第一表面，其中第一结晶半导体层具有一第二掺杂型式，且第二掺杂型式相反于第一掺杂型式。非晶半导体层设置于第一结晶半导体层上，且非晶半导体层具有第二掺杂型式。第一金属电极层设置于非晶半导体层上。第二金属电极层设置于结晶半导体基底的第二表面。本发明的太阳能电池可提升太阳能电池的光电转换效率。

公开(公告)号：CN102064211A

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN201010535766.1

申请日：2010-11-04

Applicant: 友达光电股份有限公司

Inventor： 刘致为 ,  何伟硕 ,  陈彦瑜 ,  古峻源 ,  吴振诚 ,  梁硕玮 ,  陈人杰 ,  赖忠威 ,  陈宗保

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/20

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池及其制造方法，该太阳能电池包括一结晶半导体基底、一第一结晶半导体层、一非晶半导体层、一第一金属电极层以及一第二金属电极层。结晶半导体基底具有一第一表面与一第二表面，且结晶半导体基底具有一第一掺杂型式。第一结晶半导体层设置于结晶半导体基底的第一表面，其中第一结晶半导体层具有一第二掺杂型式，且第二掺杂型式相反于第一掺杂型式。非晶半导体层设置于第一结晶半导体层上，且非晶半导体层具有第二掺杂型式。第一金属电极层设置于非晶半导体层上。第二金属电极层设置于结晶半导体基底的第二表面。本发明的太阳能电池可提升太阳能电池的光电转换效率。

公开(公告)号：CN108565298B

公开(公告)日：2020-04-14

申请号：CN201810105395.X

申请日：2018-02-02

Applicant: 友达光电股份有限公司

Inventor： 尹相伟 ,  蔡政刚 ,  叶雲傑 ,  鲁珺地 ,  江奇詠 ,  刘致为

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/068

Abstract: 一种太阳能电池，其具有电池单元，且电池单元包括半导体基底、至少两相邻的掺杂区、至少一绝缘层、至少二个第一电极、至少一第一掺杂层和至少一第二电极。两相邻的掺杂区从第一表面延伸到部份半导体基底中。绝缘层覆盖于两相邻的掺杂区与部份半导体基底的第一表面上，且绝缘层具有至少二个开口，其中开口的面积总和为A，半导体基底的总面积为B，且2％≦((A/B)×100％)≦9％。第一电极设置于绝缘层上且分别经由开口接触两相邻的掺杂区的一部份。第一掺杂层设置于绝缘层上，且位于两相邻的第一电极之间。第二电极设置于第一掺杂层上。

公开(公告)号：CN108565298A

公开(公告)日：2018-09-21

申请号：CN201810105395.X

申请日：2018-02-02

Applicant: 友达光电股份有限公司

Inventor： 尹相伟 ,  蔡政刚 ,  叶雲傑 ,  鲁珺地 ,  江奇詠 ,  刘致为

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/068

Abstract: 一种太阳能电池，其具有电池单元，且电池单元包括半导体基底、至少两相邻的掺杂区、至少一绝缘层、至少二个第一电极、至少一第一掺杂层和至少一第二电极。两相邻的掺杂区从第一表面延伸到部份半导体基底中。绝缘层覆盖于两相邻的掺杂区与部份半导体基底的第一表面上，且绝缘层具有至少二个开口，其中开口的面积总和为A，半导体基底的总面积为B，且2％≦((A/B)×100％)≦9％。第一电极设置于绝缘层上且分别经由开口接触两相邻的掺杂区的一部份。第一掺杂层设置于绝缘层上，且位于两相邻的第一电极之间。第二电极设置于第一掺杂层上。

公开(公告)号：CN101866969A

公开(公告)日：2010-10-20

申请号：CN201010197017.2

申请日：2010-05-27

Applicant: 友达光电股份有限公司

Inventor： 刘致为 ,  何伟硕 ,  陈彦瑜 ,  古峻源 ,  陈建任 ,  林汉涂 ,  梁硕玮

IPC: H01L31/042 ,  H01L31/028 ,  H01L31/20

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种太阳电池，其包括第一型掺杂单晶硅基板、本征非晶硅层、第二型掺杂非晶硅层、第一型掺杂结晶含锗层以及一对电极。第一型掺杂单晶硅基板具有正面以及背面。本征非晶硅层配置于正面上。第二型掺杂非晶硅层配置于本征非晶硅层上。第一型掺杂结晶含锗层配置于背面。电极与第二型掺杂非晶硅层以及第一型掺杂结晶含锗层电性连接。

公开(公告)号：CN101866969B

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201010197017.2

申请日：2010-05-27

Applicant: 友达光电股份有限公司

Inventor： 刘致为 ,  何伟硕 ,  陈彦瑜 ,  古峻源 ,  陈建任 ,  林汉涂 ,  梁硕玮

IPC: H01L31/042 ,  H01L31/028 ,  H01L31/20

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种太阳电池，其包括第一型掺杂单晶硅基板、本征非晶硅层、第二型掺杂非晶硅层、第一型掺杂结晶含锗层以及一对电极。第一型掺杂单晶硅基板具有正面以及背面。本征非晶硅层配置于正面上。第二型掺杂非晶硅层配置于本征非晶硅层上。第一型掺杂结晶含锗层配置于背面。电极与第二型掺杂非晶硅层以及第一型掺杂结晶含锗层电性连接。