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公开(公告)号：CN106166554A
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201510252566.8
申请日：2015-05-18
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: B08B7/00
CPC classification number: B08B7/0028
Abstract: 本发明公开了一种除尘方法，包括如下步骤：于伪基板上设置一黏着层；将设置有所述黏着层的所述伪基板送入工作腔室进行一除尘操作；当检测到所述工作腔室中杂质达到一预定标准时，停止所述除尘操作进行后续操作。本发明向工作腔室中传输表面设置有黏着层的伪基板，提高了伪基板收集工作腔室内杂质的效率，如此大幅降低了进行各工艺操作之前所需的除尘时间，提高了工作效率，并且仅需向工作腔室中传输少量的伪基板就可以使其中的杂质浓度达到工作标准，有效降低了伪基板的使用量，降低了制造成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103474441B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201310341672.4
申请日：2013-08-07
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L31/0232 , H01L31/115
CPC classification number: H01L27/14625 , H01L27/14629 , H01L27/14645 , H01L27/14663 , H01L27/14685 , H01L27/14687 , H01L27/14692 , H01L31/02322 , H01L31/115 , Y02E10/50
Abstract: 一种光检测器及其制造方法，此光检测器包括第一基板以及光转换元件。第一基板具有感应元件阵列，此感应元件阵列用以接收特定波长范围的频谱。光转换元件位于感应元件阵列上，其中光转换元件包括光转换材料层以及经掺杂的光转换材料柱状结构层，经掺杂的光转换材料柱状结构层的发光频谱与特定波长范围重迭，且光转换材料层的发光频谱与特定波长范围不重迭。采用本发明可避免在沉积经掺杂的光转换材料柱状结构层的初期形成不规则的晶粒，进而可改善光散射的问题使影像的分辨率增加。
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公开(公告)号：CN103474441A
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201310341672.4
申请日：2013-08-07
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L27/146 , H01L31/0232 , H01L31/18
CPC classification number: H01L27/14625 , H01L27/14629 , H01L27/14645 , H01L27/14663 , H01L27/14685 , H01L27/14687 , H01L27/14692 , H01L31/02322 , H01L31/115 , Y02E10/50
Abstract: 一种光检测器及其制造方法，此光检测器包括第一基板以及光转换元件。第一基板具有感应元件阵列，此感应元件阵列用以接收特定波长范围的频谱。光转换元件位于感应元件阵列上，其中光转换元件包括光转换材料层以及经掺杂的光转换材料柱状结构层，经掺杂的光转换材料柱状结构层的发光频谱与特定波长范围重迭，且光转换材料层的发光频谱与特定波长范围不重迭。采用本发明可避免在沉积经掺杂的光转换材料柱状结构层的初期形成不规则的晶粒，进而可改善光散射的问题使影像的分辨率增加。
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公开(公告)号：CN104183655B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201410436621.4
申请日：2014-08-29
Applicant: 友达光电股份有限公司
CPC classification number: H01L31/03762 , H01L27/14603 , H01L27/14616 , H01L27/14636 , H01L27/14643 , H01L27/14692 , H01L29/78669 , H01L31/022408 , H01L31/028 , H01L31/1055 , Y02E10/547
Abstract: 本发明公开一种感测装置，该感测装置包括多个感测像素，所述多个感测像素排列成阵列，且各感测像素包括主动元件以及感测元件。感测元件与主动元件电性连接，其中感测元件包括第一电极层、非晶硅层、第二电极层以及石墨烯层。非晶硅层配置在第一电极层上。第二电极层配置在非晶硅层上，其中第二电极层具有开口。石墨烯层与该第二电极层及非晶硅层接触。本发明的感测装置可通过减少的光刻蚀刻工艺数来制造，藉此可降低工艺复杂度及工艺时间。
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公开(公告)号：CN104183655A
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201410436621.4
申请日：2014-08-29
Applicant: 友达光电股份有限公司
CPC classification number: H01L31/03762 , H01L27/14603 , H01L27/14616 , H01L27/14636 , H01L27/14643 , H01L27/14692 , H01L29/78669 , H01L31/022408 , H01L31/028 , H01L31/1055 , Y02E10/547 , H01L27/14665
Abstract: 本发明公开一种感测装置，该感测装置包括多个感测像素，所述多个感测像素排列成阵列，且各感测像素包括主动元件以及感测元件。感测元件与主动元件电性连接，其中感测元件包括第一电极层、非晶硅层、第二电极层以及石墨烯层。非晶硅层配置在第一电极层上。第二电极层配置在非晶硅层上，其中第二电极层具有开口。石墨烯层与该第二电极层及非晶硅层接触。本发明的感测装置可通过减少的光刻蚀刻工艺数来制造，藉此可降低工艺复杂度及工艺时间。
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公开(公告)号：CN204809232U
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201520549787.7
申请日：2015-07-27
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L31/0352 , H01L31/105
Abstract: 一种光电二极管结构，包含第一半导体层、第二半导体层以及第三半导体层。第二半导体层设置于第一半导体层上，其中第二半导体层具有侧壁，侧壁具有上部、下部以及连接上部与下部的中央部，中央部的侧壁轮廓实质上形成一平面。第三半导体层设置于第二半导体层上，其中中央部向上延伸的延伸平面会将第三半导体层区分为第一本体与第一突出部，第一突出部自延伸平面向相对于第一本体的外侧延伸。
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