-
公开(公告)号：CN111146212B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202010013803.6
申请日：2020-01-07
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L27/12
Abstract: 一种半导体基板，包括基板、第一金属氧化物半导体层、第一绝缘层、第一导电层、第二绝缘层、第二导电层及第二金属氧化物半导体层。第一晶体管包括第一金属氧化物半导体层的第一金属氧化物半导体图案、第一导电层的第一栅极、第二导电层的第一源极和第二导电层的第一漏极。第二晶体管包括第一金属氧化物半导体层的第二金属氧化物半导体图案、第一导电层的第二栅极、第二导电层的第二源极、第二导电层的第二漏极和第二金属氧化物半导体层的第三金属氧化物半导体图案。
-
公开(公告)号：CN103560075A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201310558036.7
申请日：2013-11-11
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L21/00
CPC classification number: B32B38/10 , B32B37/1284 , B32B38/0004 , H01L21/6835 , H01L2221/68318 , H01L2221/6835 , H01L2221/68381 , H01L2221/68345
Abstract: 一种基板的粘结及分离的方法，包含以下步骤：提供基板；形成第一硅胶层于基板的离型区以及形成第二硅胶层于基板的周边区，其中，第一硅胶层及第二硅胶层分别包含相同的硅胶主剂以及相同的硅胶硬化剂，且第一硅胶层的硅胶主剂与硅胶硬化剂的体积比为约12∶1至约15∶1，第二硅胶层的硅胶主剂与硅胶硬化剂的体积比为约1∶1至约5∶1；贴合对向基板至第一硅胶层及第二硅胶层；固化第一硅胶层及第二硅胶层，以粘结基板与对向基板；以及将基板的一部分与对向基板分离。
-
公开(公告)号：CN102097324B
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201010529260.X
申请日：2010-10-22
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/786 , H01L23/29 , C09D133/00 , C09D163/00 , C09D127/12 , C09D179/08 , C09D7/12
Abstract: 一种半导体元件及其制造方法，该半导体元件包括栅极、覆盖栅极的绝缘层、位于绝缘层上方的源极以及漏极、位于栅极以及源极与漏极之间的金属氧化物半导体通道层、以及覆盖金属氧化物半导体通道层以及源极与漏极的保护层。特别是，保护层包括主体材料以及含氧化物官能基成份，所述含氧官能基成份与主体材料产生键结，且含氧官能基成份与金属氧化物半导体通道层产生键结。由于本发明的半导体元件中的保护层的含氧官能基成份会与金属氧化物半导体通道层产生键结，使得金属氧化物半导体通道层的载子浓度降低。因此使用上述金属氧化物半导体通道层之薄膜晶体管之元件特性便转变成增强型，因而可使其栅极启始电压等于0(Vg＝0)时的漏电流变小。
-
公开(公告)号：CN112331711A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202011209810.X
申请日：2020-11-03
Applicant: 友达光电股份有限公司
Abstract: 提供一种可挠式显示面板，包括：可挠曲基板、驱动元件、发光元件、导电层以及导电通孔，可挠曲基板具有第一表面以及相对于第一表面的第二表面；驱动元件配置于可挠曲基板的第一表面上；发光元件配置于可挠曲基板的第一表面上，且电性连接驱动元件；导电层配置于可挠曲基板的第二表面上，导电层包括保护区，且保护区重叠于驱动元件以及发光元件；导电通孔至少贯穿可挠曲基板，且导电层的保护区通过导电通孔电性连接驱动元件或发光元件。
-
公开(公告)号：CN102403365B
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201110335122.2
申请日：2011-10-26
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L29/06 , H01L21/336 , H01L21/027
CPC classification number: H01L29/4908 , H01L29/7869
Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制造方法。该薄膜晶体管包括一基板、一栅极、一栅绝缘层、一源极与一漏极、一通道层、一第一图案化保护层以及一第二图案化保护层。栅极配置于基板上。栅绝缘层配置于栅极上。源极与漏极配置于栅绝缘层上。通道层位于源极与漏极上方或下方，其中通道层的一部分暴露于源极与漏极之间。第一图案化保护层配置于通道层的部分上，其中第一图案化保护层的材料包括一金属氧化物，且第一图案化保护层的厚度为50埃至300埃。第二图案化保护层覆盖第一图案化保护层、栅绝缘层以及源极与漏极。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102122673A
公开(公告)日：2011-07-13
申请号：CN201110009623.1
申请日：2011-01-12
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L29/786 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/45 , H01L29/66969 , H01L29/78618 , H01L29/7869
Abstract: 本发明公开了一种氧化物半导体薄膜晶体管结构与其制作方法，该氧化物薄膜晶体管结构包含一基板、一栅极设置于基板上、一半导体绝缘层设置于基板与栅极上、一氧化物半导体层设置于半导体绝缘层上、一图案化半导体层设置于氧化物半导体层上、一源极与一漏极分别设置于图案化半导体层上，且源极与漏极为一金属层所构成。本发明所提供的氧化物半导体薄膜晶体管结构与其制作方法，是于氧化物半导体层与金属层之间添加一图案化半导体层，借此保护氧化物半导体层免于受到蚀刻液的破坏，同时可获得较低的电阻抗以形成欧姆接触，以得到较佳的电性。此外，更可减少工艺所需的光掩膜数目，同时搭配一湿式与一干式蚀刻工艺以达到降低生产成本的效果。
-
公开(公告)号：CN102097324A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201010529260.X
申请日：2010-10-22
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/786 , H01L23/29 , C09D133/00 , C09D163/00 , C09D127/12 , C09D179/08 , C09D7/12
Abstract: 一种半导体元件及其制造方法，该半导体元件包括栅极、覆盖栅极的绝缘层、位于绝缘层上方的源极以及漏极、位于栅极以及源极与漏极之间的金属氧化物半导体通道层、以及覆盖金属氧化物半导体通道层以及源极与漏极的保护层。特别是，保护层包括主体材料以及含氧化物官能基成份，所述含氧官能基成份与主体材料产生键结，且含氧官能基成份与金属氧化物半导体通道层产生键结。由于本发明的半导体元件中的保护层的含氧官能基成份会与金属氧化物半导体通道层产生键结，使得金属氧化物半导体通道层的载子浓度降低。因此使用上述金属氧化物半导体通道层之薄膜晶体管之元件特性便转变成增强型，因而可使其栅极启始电压等于0(Vg＝0)时的漏电流变小。
-
公开(公告)号：CN111146212A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN202010013803.6
申请日：2020-01-07
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L27/12
Abstract: 一种半导体基板，包括基板、第一金属氧化物半导体层、第一绝缘层、第一导电层、第二绝缘层、第二导电层及第二金属氧化物半导体层。第一晶体管包括第一金属氧化物半导体层的第一金属氧化物半导体图案、第一导电层的第一栅极、第二导电层的第一源极和第二导电层的第一漏极。第二晶体管包括第一金属氧化物半导体层的第二金属氧化物半导体图案、第一导电层的第二栅极、第二导电层的第二源极、第二导电层的第二漏极和第二金属氧化物半导体层的第三金属氧化物半导体图案。
-
公开(公告)号：CN103560075B
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201310558036.7
申请日：2013-11-11
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L21/00
CPC classification number: B32B38/10 , B32B37/1284 , B32B38/0004 , H01L21/6835 , H01L2221/68318 , H01L2221/6835 , H01L2221/68381
Abstract: 一种基板的粘结及分离的方法，包含以下步骤：提供基板；形成第一硅胶层于基板的离型区以及形成第二硅胶层于基板的周边区，其中，第一硅胶层及第二硅胶层分别包含相同的硅胶主剂以及相同的硅胶硬化剂，且第一硅胶层的硅胶主剂与硅胶硬化剂的体积比为约12:1至约15：1，第二硅胶层的硅胶主剂与硅胶硬化剂的体积比为约1:1至约5：1；贴合对向基板至第一硅胶层及第二硅胶层；固化第一硅胶层及第二硅胶层，以粘结基板与对向基板；以及将基板的一部分与对向基板分离。
-
公开(公告)号：CN101964309B
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201010271305.8
申请日：2010-09-01
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L21/331 , H01L21/28
Abstract: 本发明公开一种薄膜晶体管的制造方法，包括：于基板上形成栅极；于基板上依序形成栅绝缘层、氧化物半导体层及紫外光遮蔽材料层以覆盖栅极；于栅极上方的紫外光遮蔽材料层上形成第一图案化光刻胶层；以第一图案化光刻胶层为掩模，图案化氧化物半导体层及紫外光遮蔽材料层以形成氧化物通道层；移除部分第一图案化光刻胶层以形成第二图案化光刻胶层，其中第二图案化光刻胶层暴露出部分紫外光遮蔽材料层；以第二图案化光刻胶层为掩模，图案化紫外光遮蔽材料层以形成紫外光遮蔽图案；移除第二图案化光刻胶层；以及形成彼此电性绝缘的源极与漏极。本发明由于紫外光遮蔽图案并未全面性覆盖于基板上，因此紫外光遮蔽图案不会导致紫外光完全无法穿透基板。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
24
records
(took 0.03 seconds)
