公开(公告)号：CN109285855A

公开(公告)日：2019-01-29

申请号：CN201811147904.1

申请日：2018-09-29

Applicant: 友达光电股份有限公司

Inventor： 游伟盛 ,  王澄光 ,  陈世敏 ,  曹书玮 ,  黄宗熙 ,  洪世谕 ,  李明晋 ,  林其叡

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/00

Abstract: 一种显示装置，其包括基板、多个主动元件、多个微型发光元件以及多个光转换元件。主动元件配置于基板上。微型发光元件配置于基板上。各个微型发光元件分别电性连接于对应的主动元件，且这些微型发光元件的发光颜色相同。微型发光元件之间具有间隔，且间隔等于或小于20微米。各个微型发光元件包括按序堆叠的第一半导体层、发光层以及第二半导体层。光转换元件的数量小于微型发光元件的数量，且光转换元件对应于部分的微型发光元件配置。

公开(公告)号：CN104267526A

公开(公告)日：2015-01-07

申请号：CN201410439830.4

申请日：2014-09-01

Applicant: 友达光电股份有限公司

Inventor： 陈世敏 ,  曹书玮 ,  戴志伟 ,  王澄光 ,  林其叡 ,  洪世谕 ,  黄宗熙 ,  吴文馨 ,  游伟盛

IPC: G02F1/1335 ,  G02F1/1339 ,  G02F1/133 ,  G02F1/1333

CPC classification number: G02F1/13306 ,  G02F1/133351 ,  G02F1/133512 ,  G02F1/1339

Abstract: 本发明提供了一种显示面板及其制造方法。该显示面板具有一显示区以及一外围区，包括：一阵列基板，其包括位于显示区的一像素阵列以及用于驱动该像素阵列且位于外围区的一驱动电路；一彩色滤光片基板，与阵列基板相对设置，其包括一黑色矩阵层；一密封胶，位于阵列基板与彩色滤光片基板之间的该外围区中，从而将两基板装配在一起；以及一显示介质。黑色矩阵层设置于显示区，阵列基板还包括一不透光金属层，位于所述密封胶的下方。相比于现有技术，本发明将黑色矩阵层仅设置于显示区而将外围区的黑色矩阵层移除，从而可增加密封胶的固化效率与可靠度，并实现显示面板的窄边框设计。

公开(公告)号：CN109272920A

公开(公告)日：2019-01-25

申请号：CN201811372163.7

申请日：2018-11-16

Applicant: 友达光电股份有限公司

Inventor： 曹书玮 ,  林其叡 ,  吴淑芬 ,  游伟盛

IPC: G09G3/20

Abstract: 一种双栅极晶体管电路、像素电路及栅极驱动电路。双栅极晶体管电路包括双栅极晶体管、第一二极管以及第二二极管。双栅极晶体管具有第一栅极以及第二栅极，第一栅极接收驱动信号。第一二极管依据第一极性方向以串接在第一栅极以及第二栅极间。第二二极管依据第二极性方向以串接在第一栅极以及第二栅极间。其中，第一极性方向与第二极性方向相反。

公开(公告)号：CN109099940A

公开(公告)日：2018-12-28

申请号：CN201810755703.3

申请日：2018-07-11

Applicant: 友达光电股份有限公司

Inventor： 林其叡 ,  王澄光 ,  曹书玮 ,  游伟盛

IPC: G01D5/24

Abstract: 一种感测装置，包含基底，具有法线方向、多条扫描线、多条第一信号线、多条第二信号线、多条参考线、多个元件单元、感测层、以及辅助电极。各元件单元包含第一晶体管以及第二晶体管。第一晶体管包含：第一主栅极，电性连接扫描线；第一半导体层；第一源极，电性连接第一信号线；第一漏极，电性连接第二信号线；以及第一次栅极。第二晶体管包含：第二栅极，电性连接第一主栅极；第二半导体层；第二源极，电性连接第二信号线；以及第二漏极，电性连接至参考线。感测层位于第一晶体管及第二晶体管上。辅助电极位于感测层上且于法线方向上重叠于第一次栅极。

公开(公告)号：CN109285855B

公开(公告)日：2020-12-11

申请号：CN201811147904.1

申请日：2018-09-29

Applicant: 友达光电股份有限公司

Inventor： 游伟盛 ,  王澄光 ,  陈世敏 ,  曹书玮 ,  黄宗熙 ,  洪世谕 ,  李明晋 ,  林其叡

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/00

Abstract: 一种显示装置，其包括基板、多个主动元件、多个微型发光元件以及多个光转换元件。主动元件配置于基板上。微型发光元件配置于基板上。各个微型发光元件分别电性连接于对应的主动元件，且这些微型发光元件的发光颜色相同。微型发光元件之间具有间隔，且间隔等于或小于20微米。各个微型发光元件包括按序堆叠的第一半导体层、发光层以及第二半导体层。光转换元件的数量小于微型发光元件的数量，且光转换元件对应于部分的微型发光元件配置。

公开(公告)号：CN109099940B

公开(公告)日：2020-12-04

申请号：CN201810755703.3

申请日：2018-07-11

Applicant: 友达光电股份有限公司

Inventor： 林其叡 ,  王澄光 ,  曹书玮 ,  游伟盛

IPC: G01D5/24

Abstract: 一种感测装置，包含基底，具有法线方向、多条扫描线、多条第一信号线、多条第二信号线、多条参考线、多个元件单元、感测层、以及辅助电极。各元件单元包含第一晶体管以及第二晶体管。第一晶体管包含：第一主栅极，电性连接扫描线；第一半导体层；第一源极，电性连接第一信号线；第一漏极，电性连接第二信号线；以及第一次栅极。第二晶体管包含：第二栅极，电性连接第一主栅极；第二半导体层；第二源极，电性连接第二信号线；以及第二漏极，电性连接至参考线。感测层位于第一晶体管及第二晶体管上。辅助电极位于感测层上且于法线方向上重叠于第一次栅极。

公开(公告)号：CN102569415B

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201210022681.2

申请日：2012-01-20

Applicant: 友达光电股份有限公司

Inventor： 邱皓麟 ,  林其叡 ,  曹书玮 ,  林俊男 ,  叶柏良 ,  曾贤楷

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/41733 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/7869

Abstract: 本申请提供一种有源元件，其包括一源极、一漏极、一氧化物半导体层、一栅极与一栅绝缘层。源极包括多个彼此平行的第一条状电极以及一连接第一条状电极的第一连接电极，漏极包括多个彼此平行的第二条状电极以及一连接第二条状电极的第二连接电极，其中第一条状电极与第二条状电极平行，彼此交替排列，并彼此电性绝缘，且之间存在一曲折沟槽，而栅极沿着曲折沟槽延伸。氧化物半导体层与源极以及漏极接触，其中氧化物半导体层与各第一条状电极的接触面积等于各第一条状电极的布局面积，且各第二条状电极的接触面积等于各第二条状电极的布局面积。本申请可在较小的布局面积内制作出具有相同通道宽度与通道长度的比值(W/L)的有源元件。

公开(公告)号：CN102569415A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN201210022681.2

申请日：2012-01-20

Applicant: 友达光电股份有限公司

Inventor： 邱皓麟 ,  林其叡 ,  曹书玮 ,  林俊男 ,  叶柏良 ,  曾贤楷

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/41733 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/7869

Abstract: 本申请提供一种有源元件，其包括一源极、一漏极、一氧化物半导体层、一栅极与一栅绝缘层。源极包括多个彼此平行的第一条状电极以及一连接第一条状电极的第一连接电极，漏极包括多个彼此平行的第二条状电极以及一连接第二条状电极的第二连接电极，其中第一条状电极与第二条状电极平行，彼此交替排列，并彼此电性绝缘，且之间存在一曲折沟槽，而栅极沿着曲折沟槽延伸。氧化物半导体层与源极以及漏极接触，其中氧化物半导体层与各第一条状电极的接触面积等于各第一条状电极的布局面积，且各第二条状电极的接触面积等于各第二条状电极的布局面积。本申请可在较小的布局面积内制作出具有相同通道宽度与通道长度的比值(W/L)的有源元件。