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公开(公告)号：CN101650529A
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200910173935.9
申请日：2009-09-17
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: G03F1/14 , H01L21/336 , H01L21/28 , G03F7/00
Abstract: 本发明公开了一种用于制造薄膜晶体管的掩膜，包括：透明基板、半透膜层、第一至第四遮光层以及多个岛型遮光层。半透膜层覆盖透明基板的U形沟道形成区及矩形沟道形成区。第一及第二遮光层分别位于U形沟道形成区的外侧与内侧，而第三及第四遮光层分别位于矩形沟道形成区的相对两侧，以作为源极/漏极形成区。岛型遮光层位于矩形沟道形成区内。本发明亦揭示以该掩膜制造薄膜晶体管的源极/漏极的方法。通过本发明实施例的用于制造薄膜晶体管的掩膜以及用于制造薄膜晶体管的源极/漏极的方法，可以维持或增加薄膜晶体管的成品率，提高工艺的稳定度。
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公开(公告)号：CN113934320B
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202111098171.9
申请日：2021-09-18
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: G06F3/041
Abstract: 本发明公开一种触控显示装置，具有显示区及周边区，且包括基板、信号线、接垫以及保护层。信号线位于基板上，且从显示区延伸至周边区。接垫位于周边区，且与信号线电连接。保护层位于信号线及接垫上、具有重叠接垫的通孔、且包括平坦部及环孔部，其中，平坦部包围环孔部且具有第一高度，环孔部构成通孔的侧壁且具有第二高度，且第一高度大于第二高度。
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公开(公告)号：CN101330060A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200810134305.6
申请日：2008-07-22
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L21/84 , H01L27/12 , G02F1/1362
Abstract: 本发明提供一种像素结构的制作方法，该方法包括下列步骤。首先，于基板上形成栅极以及覆盖栅极的栅绝缘层。之后，于栅绝缘层上依序形成半导体层、导电层以及彩色滤光层容纳开口的感光型黑矩阵，感光型黑矩阵包括第一区块以及第二区块，且第一区块的厚度小于第二区块的厚度。之后，以感光型黑矩阵为光掩膜，于栅极上方的栅绝缘层上同时形成沟道层、源极以及漏极。接着，于上述膜层上形成保护层，并通过喷墨印刷工艺于彩色滤光层容纳开口内形成彩色滤光层，并形成介电层，且进行介电层与保护层的图案化工艺，以暴露漏极。之后，形成一与漏极电连接的像素电极。
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公开(公告)号：CN119401114A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411624038.6
申请日：2024-11-14
Applicant: 友达光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种天线装置，包括透明基板以及设置于透明基板上的多个天线单元。透明基板具有第一面与相反于第一面的第二面。相邻的天线单元之间具有透光区。各天线单元包括天线电极、接地电极、重布线结构以及晶片。天线电极设置于透明基板的第一面上。接地电极设置于透明基板的第二面上。接地电极在第一方向上的宽度大于天线电极在第一方向上的宽度。重布线结构耦合至天线电极。接地电极位于重布线结构与透明基板之间。晶片接合至重布线结构。
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公开(公告)号：CN104076596A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201410214569.8
申请日：2014-05-21
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: G03F1/32 , H01L29/786 , H01L27/12
Abstract: 本发明公开一种灰度式光掩模、薄膜晶体管及主动元件阵列基板。灰度式光掩模，适用于曝光制作工艺中，以定义薄膜晶体管的源极、漏极以及通道层。灰度式掩模包括基板、源极掩模图案、漏极掩模图案以及拟图案。源极掩模图案配置于基板上，并且对应于源极。漏极掩模图案配置于基板上，并且对应于漏极。拟图案配置于基板上，以及拟图案位于源极掩模图案及漏极掩模图案之间，且对应于通道层，其中拟图案与源极掩模图案之间以及拟图案与漏极掩模图案之间分别形成狭缝。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100559570C
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200810134304.1
申请日：2008-07-22
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L21/84 , H01L27/12 , G02F1/1362
Abstract: 本发明提供一种像素结构的制作方法，该方法如下所述。首先，于基板上形成栅极，并于基板上形成栅绝缘层以覆盖栅极。然后，于栅绝缘层上形成沟道层并于沟道层与栅绝缘层上形成导电层。接着，于导电层上形成具有彩色滤光层容纳开口的感光型黑矩阵，其包括第一区块与第二区块，第一区块的厚度小于第二区块的厚度。然后，以感光型黑矩阵为光掩膜图案化导电层以于沟道层上形成源极与漏极。之后，通过喷墨印刷工艺于彩色滤光层容纳开口内形成彩色滤光层，并于感光型黑矩阵与彩色滤光层上形成介电层。然后，图案化介电层以使漏极暴露并形成与漏极电连接的像素电极。
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公开(公告)号：CN119419482A
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202411557852.0
申请日：2024-11-04
Applicant: 友达光电股份有限公司
Abstract: 一种天线装置，包括透明基板、天线电极层、主动元件层、重布线结构以及晶片。天线电极层位于透明基板的第一面上，且包括位于透明天线装置的线路布局区中的天线电极。主动元件层位于透明基板的第二面之上，且包括位于线路布局区中的主动元件。重布线结构位于主动元件层上，且包括位于线路布局区中的信号线以及接垫。晶片接合至重布线结构的接垫，且位于线路布局区中。透明天线装置具有位于线路布局区旁边的透光区。
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公开(公告)号：CN118354522A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410630023.4
申请日：2024-05-21
Applicant: 友达光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种复合基板及其制造方法、以及通信装置，其中通信装置包括多个晶粒、复合基板以及至少一天线。复合基板包括印刷电路板、重布线层以及连接层。连接层被配置以连接重布线层以及印刷电路板。每一晶粒电连接至重布线层，与每一晶粒对应的重布线层一体成型配置。印刷电路板配置于天线以及重布线层之间，且天线通过复合基板电连接该些晶粒。
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公开(公告)号：CN101330061A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200810134306.0
申请日：2008-07-22
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L21/84 , H01L27/12 , G02F1/1362
Abstract: 本发明提供一种像素结构的制作方法，该方法包括下列步骤。首先，于基板上形成栅极。接着，于基板上形成栅绝缘层以覆盖栅极，并于栅极上方的栅绝缘层上同时形成沟道层、源极以及漏极，其中栅极、沟道层、源极以及漏极构成薄膜晶体管。继之，于薄膜晶体管以及栅绝缘层上形成保护层，并于保护层上形成黑矩阵，其中黑矩阵具有位于漏极上方的接触开口以及彩色滤光层容纳开口。之后，通过喷墨印刷工艺于彩色滤光层容纳开口内形成彩色滤光层，并于黑矩阵与彩色滤光层上形成介电层。接着，图案化介电层与保护层，以使漏极暴露。接着，形成与漏极电连接的像素电极。
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公开(公告)号：CN101330059A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200810134304.1
申请日：2008-07-22
Applicant: 友达光电股份有限公司
IPC: H01L21/84 , H01L27/12 , G02F1/1362
Abstract: 本发明提供一种像素结构的制作方法，该方法如下所述。首先，于基板上形成栅极，并于基板上形成栅绝缘层以覆盖栅极。然后，于栅绝缘层上形成沟道层并于沟道层与栅绝缘层上形成导电层。接着，于导电层上形成具有彩色滤光层容纳开口的感光型黑矩阵，其包括第一区块与第二区块，第一区块的厚度小于第二区块的厚度。然后，以感光型黑矩阵为光掩膜图案化导电层以于沟道层上形成源极与漏极。之后，通过喷墨印刷工艺于彩色滤光层容纳开口内形成彩色滤光层，并于感光型黑矩阵与彩色滤光层上形成介电层。然后，图案化介电层以使漏极暴露并形成与漏极电连接的像素电极。
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