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公开(公告)号：CN113316326A
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202110454552.X
申请日：2021-04-26
Applicant: 厦门理工学院 , 厦门弘信电子科技集团股份有限公司
IPC: H05K3/38
Abstract: 本发明公开了一种卷对卷对铜箔等离子体处理方法、装置、计算机设备。其中，所述方法包括：将铜箔片以粘着方式贴附于基板之上，以形成正、背面的铜箔层，和对该铜箔层的正面四周进行封胶保护，和对该经封胶保护后封装在该铜箔层的背面与该基板的正面之间的气体进行抽真空，以及采用卷对卷方式，对该经抽真空后的铜箔层的正面进行等离子体蚀刻。通过上述方式，能够通过该封胶将该背面的铜箔层与正面的基板之间的气体封装起来，便于将该封装的气体抽真空，使得该铜箔层受到的内外压力差趋于零，能够实现减少铜箔层在内外压力差的作用下出现向外膨胀鼓起的情况，提高产品品质。
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公开(公告)号：CN113263272A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202110446210.3
申请日：2021-04-25
Applicant: 厦门理工学院 , 厦门弘信电子科技集团股份有限公司
IPC: B23K26/382 , B23K26/70
Abstract: 本发明公开了一种卷对卷对铜箔镭射钻孔方法、装置、计算机设备。其中，所述方法包括：配置装置在铜箔的底层表面两侧配置至少两个相同的盲孔，和卷料机构将该配置至少两个相同的盲孔的铜箔放置于收放板机上，其中，该收放板机两侧预设有至少两个相同的凸孔，该凸孔的直径与该盲孔的直径相匹配，和该收放板机将该至少两个相同的盲孔中的两个盲孔与该至少两个相同的凸孔中的两个凸孔进行对位嵌入，以及镭射钻孔机采用卷对卷方式，对该进行对位嵌入后的铜箔进行镭射钻孔。通过上述方式，能够实现提高对铜箔钻孔后的孔位位置的准确率。
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公开(公告)号：CN113316309A
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202110443796.8
申请日：2021-04-23
Applicant: 厦门理工学院 , 厦门弘信电子科技集团股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种柔性线路板及其制备方法、装置以及计算机设备。其中，所述柔性线路板包括：自下而上依次层叠设置的柔性基底层、复合型电介质层、金属线路图形层、电极层、阻焊层，和埋入该电极层中的线路，其中，该阻焊层上表面预留有预设数量的焊盘区，该金属线路图形层上可以包括自下而上依次层叠设置的金属线路层和图形层，该图形层的材料可以为湿膜，和以线路图形化之后的图形层为掩膜对该金属线路层进行刻蚀，形成与该图形层对应的线路图形相匹配的金属线路图形。通过上述方式，能够实现提高柔性线路板的使用寿命。
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公开(公告)号：CN113278251A
公开(公告)日：2021-08-20
申请号：CN202110454519.7
申请日：2021-04-26
Applicant: 厦门理工学院 , 厦门弘信电子科技集团股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种柔性线路板使用的环氧树脂及其制备方法、装置、计算机设备。其中，所述方法包括：按重量份计的方式，将材料配置如下组分：羟基苯乙烯/苯乙烯共聚物30～50份、卤代醇20～30份、氨基硅油10～15份、固化剂15～25份、碱液10～20份和介电填料5～10份，和将该羟基苯乙烯/苯乙烯共聚物和该卤代醇和该氨基硅油混合均匀并加入催化剂，在40‑80度温度范围内加热进行醚化反应，得到第一反应物，和将该碱液和该介电填料均匀搅拌并在大气中自然氧化，得到第二反应物，以及将该第一反应物和该第二反应物混合均匀和水洗除去盐分，并添加该固化剂进行固化得到环氧树脂。通过上述方式，能够实现提高环氧树脂的介电特性。
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公开(公告)号：CN113316326B
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202110454552.X
申请日：2021-04-26
Applicant: 厦门理工学院 , 厦门弘信电子科技集团股份有限公司
IPC: H05K3/38
Abstract: 本发明公开了一种卷对卷对铜箔等离子体处理方法、装置、计算机设备。其中，所述方法包括：将铜箔片以粘着方式贴附于基板之上，以形成正、背面的铜箔层，和对该铜箔层的正面四周进行封胶保护，和对该经封胶保护后封装在该铜箔层的背面与该基板的正面之间的气体进行抽真空，以及采用卷对卷方式，对该经抽真空后的铜箔层的正面进行等离子体蚀刻。通过上述方式，能够通过该封胶将该背面的铜箔层与正面的基板之间的气体封装起来，便于将该封装的气体抽真空，使得该铜箔层受到的内外压力差趋于零，能够实现减少铜箔层在内外压力差的作用下出现向外膨胀鼓起的情况，提高产品品质。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113316321A
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202110442273.1
申请日：2021-04-23
Applicant: 厦门理工学院 , 厦门弘信电子科技集团股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种卷对卷将铜箔蚀薄的方法、装置、计算机设备。其中，所述方法包括：将铜箔片以粘着方式贴附于基板之上，以形成正、背面的铜箔层，和对该铜箔层的正面四周进行封胶保护，和在该经封胶保护后的铜箔层上均匀喷洒预先配置的蚀刻液，以及基于该蚀刻液，采用卷对卷方式，将该均匀喷洒蚀刻液后的铜箔层蚀薄达到所需要的铜箔厚度。通过上述方式，能够实现在将铜箔层蚀薄达到所需要的铜箔厚度的过程中不会产生侧蚀现象。
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公开(公告)号：CN120059841A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202510044640.0
申请日：2025-01-12
Applicant: 厦门理工学院 , 厦门科萨能源科技有限公司
IPC: C10M173/02 , C10N30/06 , C10N30/12 , C10N40/22
Abstract: 本发明提供了一种水性全合成切削液，包括以下质量分数的原料：硼酸3％～8％、磷酸二氢钠1％～5％、柠檬酸5％～10％、石墨烯1％～5％、三乙基磷酸酯0.5％～3％、二乙二醇2％～8％、防锈剂5％～15％、聚氧乙烯硬脂酸酯2％～6％、杀菌剂1％～3％、消泡剂0.1％～1％、沉降剂0.5％～2％，余量为水；所述石墨烯的平均片径为120nm～160nm。本发明含石墨烯的水性全合成切削液，通过配方的优化，尤其是在合适的配方中进一步添加适量的三乙基磷酸酯和石墨烯，可以有效提高所述水性全合成切削液润滑性能和防腐性能，延长使用寿命。
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公开(公告)号：CN119799406A
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202510026610.7
申请日：2025-01-08
Applicant: 厦门理工学院 , 润度(厦门)工贸有限公司
Abstract: 本发明提供了一种高冷却性能的水性半合成切削液及其应用；所述水性半合成切削液，包括以下质量分数的原料：环烷基基础油25％～30％、表面活性剂1％～2％、乳化剂1％～5％、油酸2％～4％、磺酸钠0.5％～1.5％、碳酸氢钠0.5％～1％、甘油2％～5％、磷酸三酯1％～3％、消泡剂0.2％～0.5％、缓蚀剂0.5％～1.5％、防锈剂8％～12％，余量为水。本发明通过配方的优化，使制备获得的水性半合成切削液可以有效降低金属切削和磨加工过程中的摩擦，减少热量和防止锈蚀，兼具优异的冷却性能和防腐蚀性能，且制备方法简单。
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公开(公告)号：CN116989303A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202310982285.2
申请日：2023-08-07
Applicant: 厦门理工学院
Abstract: 本发明属于灯具技术领域，具体的说是一种日升灯及其控制方法，包括安装板，所述安装板与天花板之间固定连接，所述灯盖的表面固定安装有灯罩，所述灯罩为电致变色玻璃，所述灯盖的表面设置有安装凸块，所述安装凸块的表面设置有凸起部，所述安装板的下表面固定安装有一组安装架，所述安装架的表面通过卷簧转动安装有转动卡块；需要拆卸设备时，向靠近安装板的方向推动推杆，推杆与连接环相互配合带动各个安装卡块逆时针转动，当安装卡块转动至与安装凸块的凸起部垂直时，解开对安装凸块的束缚，随即完成设备的拆卸，从而达到能够快速安装拆卸的效果，省时省力且不会损坏楼板。
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公开(公告)号：CN116130435A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202310226995.2
申请日：2023-03-10
Applicant: 厦门理工学院
IPC: H01L23/373 , H01L23/367 , H01L21/48
Abstract: 本发明公开了一种用于芯片散热的金刚石‑多金属修饰层散热结构，包括芯片、散热基板，所述散热基板靠近芯片的一侧面上设置有第一金属修饰层，所述芯片靠近散热基板的一侧面上设置有第二金属修饰层，所述第一金属修饰层包括第一钛层、第一金层，所述第二金属修饰层包括第二钛层、第二金层，所述第一金层、第二金层相互靠近的一侧面之间相互结合。相比于单晶硅，金刚石具有更强的导热能力，是单晶硅材料的的13‑16倍，是单质铜的5‑6倍，此外，金刚石具有与单晶硅相匹配的热膨胀系数，作为散热基板材料，其能有效地消除热应力失配等失效现象。
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