公开(公告)号：CN107234161B

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：CN201710521107.4

申请日：2017-06-30

Applicant: 厦门理工学院

Inventor： 李奋强 ,  艾思奇 ,  赵军 ,  陈志超

IPC: B21D26/14 ,  B21D37/16 ,  B30B1/42

Abstract: 本发明公开了一种电流辅助电磁冲裁加工装置及其控制方法，其装置包括凸模、凹模、两个加热电极、凸模回复件、助推线圈组、驱动片、加热件和电磁驱动件；所述加热电级固定于所述凹模上，待成形板料固定于所述加热电极上；所述凸模包括固定部和成形部；所述成形部和所述凹模相适配；所述驱动片固定于所述固定部上方；所述助推线圈组与所述电磁驱动件电连接；所述助推线圈组固定设置于所述外固定框内壁上且与所述驱动片相正对设置；所述成形部穿出所述外固定框以实现对待成形板料的冲裁。本发明公开一种电流辅助电磁冲裁加工装置采用的电流加热辅助电磁冲裁，能够解决非晶合金现在无法使用传统工艺进行冲裁加工的问题。

公开(公告)号：CN107234161A

公开(公告)日：2017-10-10

申请号：CN201710521107.4

申请日：2017-06-30

Applicant: 厦门理工学院

Inventor： 李奋强 ,  艾思奇 ,  赵军 ,  陈志超

IPC: B21D26/14 ,  B21D37/16 ,  B30B1/42

CPC classification number: B21D26/14 ,  B21D37/16 ,  B30B1/42

Abstract: 本发明公开了一种电流辅助电磁冲裁加工装置及其控制方法，其装置包括凸模、凹模、两个加热电极、凸模回复件、助推线圈组、驱动片、加热件和电磁驱动件；所述加热电级固定于所述凹模上，待成形板料固定于所述加热电极上；所述凸模包括固定部和成形部；所述成形部和所述凹模相适配；所述驱动片固定于所述固定部上方；所述助推线圈组与所述电磁驱动件电连接；所述助推线圈组固定设置于所述外固定框内壁上且与所述驱动片相正对设置；所述成形部穿出所述外固定框以实现对待成形板料的冲裁。本发明公开一种电流辅助电磁冲裁加工装置采用的电流加热辅助电磁冲裁，能够解决非晶合金现在无法使用传统工艺进行冲裁加工的问题。

公开(公告)号：CN118800793A

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202410850436.3

申请日：2024-06-27

Applicant: 厦门理工学院

Inventor： 蔡丽娥 ,  牛凯 ,  陈志超 ,  林浩翔 ,  林海峰

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明提供了一种AlInGaN势垒层增强型高电子迁移率晶体管及其制备方法，属于高电子迁移率晶体管技术领域。本发明的AlInGaN势垒层增强型高电子迁移率晶体管包括自下而上依次设置的衬底、缓冲层、沟道层和势垒层，还包括设置于势垒层上的源极、复合栅极、钝化层和漏极，其中复合栅极包括P‑GaN帽层栅极和凹槽栅极。本发明设置的复合栅极，将凹槽栅极和P‑GaN帽层栅极结合使用，可以有效提高高电子迁移率晶体管(HEMT)的阈值电压，解决了P‑GaN帽层栅极中Mg激活率低对阈值电压提升的限制问题。本发明采用AlInGaN作为势垒层，能够提高二维电子气的浓度，进而增加器件的饱和输出电流。