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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119559850A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411994754.3
申请日：2024-12-31
Applicant: 厦门理工学院
IPC: G09B23/16
Abstract: 本发明公开了一种动态摩擦温度场测量实验装置，包括：垂直设置的支撑杆，垂直安装在所述支撑杆下方一侧的第一实验套，所述第一实验套中部设置有测试腔，所述第一实验套为透明结构；贴装在所述第一实验套内侧面的感温片，所述感温片内侧面安装有第一待测片；所述第二实验套下方设置有转筒，所述转筒外部套装有第二待测片，所述转筒与测试腔处于同一轴线；本发明通过设置透明的第一实验套使得学生可以直接观察到实验过程中的温度变化，无需复杂的红外热像仪等设备，降低了实验操作的复杂度。在内部设计可视化的感温片能够随温度变化而改变颜色，使温度测量变得直观且易于理解，学生可以迅速掌握温度变化的规律。
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公开(公告)号：CN106947473B
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201710201892.5
申请日：2017-03-30
Applicant: 厦门理工学院
Abstract: 本发明公开了一类镨掺杂硼酸盐红色发光材料和制备方法及其用途，其化学式为：ARB7O13：Pr3+，A为Mg、Ca、Sr、Ba、Cu、Zn等中的一种或几种的组合；R＝Al、Sc、La、Gd、Y、Bi等中的一种或几种的组合。该类发光材料其发光性能在高温条件下性能稳定。本发明还公开了一类镨掺杂硼酸盐红色发光材料的制备方法，其制备工艺简单，适合用于大规模工业生产、成本低。该类材料可作为发光材料应用于白光LED照明、显示技术等领域。
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公开(公告)号：CN118800793A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410850436.3
申请日：2024-06-27
Applicant: 厦门理工学院
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/423 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供了一种AlInGaN势垒层增强型高电子迁移率晶体管及其制备方法，属于高电子迁移率晶体管技术领域。本发明的AlInGaN势垒层增强型高电子迁移率晶体管包括自下而上依次设置的衬底、缓冲层、沟道层和势垒层，还包括设置于势垒层上的源极、复合栅极、钝化层和漏极，其中复合栅极包括P‑GaN帽层栅极和凹槽栅极。本发明设置的复合栅极，将凹槽栅极和P‑GaN帽层栅极结合使用，可以有效提高高电子迁移率晶体管(HEMT)的阈值电压，解决了P‑GaN帽层栅极中Mg激活率低对阈值电压提升的限制问题。本发明采用AlInGaN作为势垒层，能够提高二维电子气的浓度，进而增加器件的饱和输出电流。
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公开(公告)号：CN106947473A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201710201892.5
申请日：2017-03-30
Applicant: 厦门理工学院
Abstract: 本发明公开了一类镨掺杂硼酸盐红色发光材料和制备方法及其用途，其化学式为：ARB7O13：Pr3+，A为Mg、Ca、Sr、Ba、Cu、Zn等中的一种或几种的组合；R＝Al、Sc、La、Gd、Y、Bi等中的一种或几种的组合。该类发光材料其发光性能在高温条件下性能稳定。本发明还公开了一类镨掺杂硼酸盐红色发光材料的制备方法，其制备工艺简单，适合用于大规模工业生产、成本低。该类材料可作为发光材料应用于白光LED照明、显示技术等领域。
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公开(公告)号：CN118587967A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410821551.8
申请日：2024-06-24
Applicant: 厦门理工学院
IPC: G09B23/12
Abstract: 本发明属于浮力实验技术领域，具体为一种物理教学的浮力实验装置及实验方法；包括实验方板，所述实验方板的两侧上对称设有连接L架，若干连接L架共同连接U形框板，U形框板上设置有降位测浮组件；所述降位测浮组件包括设置于U形框板上的位移螺纹轴，位移螺纹轴的端点上安装有旋动转块，旋动转块上设置有横移锁止器；所述旋动转块上设置有旋动卡槽；所述位移螺纹轴上对称螺纹安装有位移横块，位移横块上对称设有第一铰动方座，第一铰动方座通过铰动板与第二铰动方座连接设置；通过降位测浮组件，避免装置在测量质量较大的物体时，容器内的液体出现溢出等现象，提升了测量精准度的同时降低了装置在使用时的局限性。
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