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公开(公告)号：CN118800793A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410850436.3
申请日：2024-06-27
Applicant: 厦门理工学院
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/423 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供了一种AlInGaN势垒层增强型高电子迁移率晶体管及其制备方法，属于高电子迁移率晶体管技术领域。本发明的AlInGaN势垒层增强型高电子迁移率晶体管包括自下而上依次设置的衬底、缓冲层、沟道层和势垒层，还包括设置于势垒层上的源极、复合栅极、钝化层和漏极，其中复合栅极包括P‑GaN帽层栅极和凹槽栅极。本发明设置的复合栅极，将凹槽栅极和P‑GaN帽层栅极结合使用，可以有效提高高电子迁移率晶体管(HEMT)的阈值电压，解决了P‑GaN帽层栅极中Mg激活率低对阈值电压提升的限制问题。本发明采用AlInGaN作为势垒层，能够提高二维电子气的浓度，进而增加器件的饱和输出电流。
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