公开(公告)号：CN116313757A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310225688.2

申请日：2023-03-10

Applicant: 厦门理工学院

Inventor： 王尘 ,  许怡红 ,  蔡艺军 ,  左石凯 ,  陈铖颖 ,  李成

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/268 ,  H01L21/285

Abstract: 本发明公开了一种锗中高N型掺杂浅结的方法及其应用，本发明针对Gen‑MOSFET的源漏金属与锗接触存在强烈的费米钉扎效应以及锗中高激活浓度浅结N型掺杂获得困难的问题，提供了一种同时实现金属锗化物与锗的低比接触电阻率欧姆接触以及锗中高激活浓度浅结掺杂的简易方法，即在p型锗衬底上，通过离子注入方式注入磷，沉积金属镍(Ni)，然后通过脉冲激光退火，诱导形成镍锗化合物，利用雪犁效应和短时高温激光退火，最终修复注入引起的晶格损伤、激活杂质离子、降低杂质扩散、提高掺杂浓度，同时接触界面光滑平整。可明显降低Gen‑MOSFET源漏的接触电阻；还可明显降低N型杂质在Ge中的扩散深度，获得Gen+/p浅结。