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公开(公告)号：CN102175236A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN201110037429.4
申请日：2011-02-14
Applicant: 厦门大学
IPC: G01C19/56
Abstract: 一种可调整降低正交误差的微陀螺仪，涉及一种陀螺仪。设有下层为衬底，衬底表面设有悬浮结构层准备的深槽；上层为单晶硅整体制作通过局部刻蚀形成陀螺机械结构，包括驱动框架、检测质量块、悬浮检测电极质量块、电隔离梁、驱动支承梁、检测支承梁、检测电极支承梁、检测电极和驱动电极，检测质量块与外围的驱动框架相连，驱动框架左右两侧对称分布着梳齿，梳齿与外侧驱动电极的梳齿交错分布形成驱动电容，外围的驱动框架通过驱动支撑梁与硅基底相连；检测电极质量块一侧与驱动框架通过电隔离梁连接并分布在检测质量块内侧4个角，另一侧与检测电极相连。能实现驱动模态和检测模态解耦、驱动框架振动方向和检测质量块振动方向之间相对角度可调。
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公开(公告)号：CN101114591A
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN200610052619.2
申请日：2006-07-25
Applicant: 杭州科岛微电子有限公司 , 厦门大学
IPC: H01L21/3065 , B81C1/00 , G01L9/12 , G01L1/14
Abstract: 精度高、费用省、操作简便、质量稳定的压容式传感器基片成腔方法，加工步骤为：①在选取的硅片一面经氧化形成二氧化硅层；②在二氧化硅层上面涂覆光刻胶层，经曝光、显影，形成微结构凹腔Ⅰ其底面物质为二氧化硅；③以光刻胶层为掩膜，用ICP等离子刻蚀技术在所述微结构凹腔Ⅰ内刻蚀二氧化硅层，形成微结构凹腔Ⅱ其底面物质为硅；④去除所述光刻胶层；⑤再次涂覆光刻胶层，经曝光、显影，形成与所述微结构凹腔Ⅱ对应的微结凹腔Ⅲ；⑥以光刻胶层为掩膜，用等离子刻蚀技术在所述微结构凹腔Ⅲ内刻蚀硅片至一深度；⑦去除光刻胶层，得到具有微结构凹腔Ⅳ的基片。本发明适合制作压器式传感器基片。
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公开(公告)号：CN101404464A
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200810072108.6
申请日：2008-11-12
Applicant: 厦门大学
IPC: H02N1/00
Abstract: 复合型微能源系统及其制备方法，涉及一种微能源系统。提供一种可有效提高能量搜集效率，特别适用于为微系统或微器件提供“永久性”工作能源的复合型微能源系统及其制备方法。设有3片基片、2层金属层和接触开关，3片基片成三明治结构，从下至上依次为第1、第2和第3基片，在第2基片下表面加工PN结，接触开关设于第1与第2基片之间。在具有规则分布的具有三维结构(深孔阵列或柱型阵列)的PN结收集同位素辐射能的基础上，在系统中集成利用金属不同功函数将β射线产生的静电感应振动能量转换为电能，达到有效提高能量搜集效率的目的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102175236B
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201110037429.4
申请日：2011-02-14
Applicant: 厦门大学
IPC: G01C19/5719
Abstract: 一种可调整降低正交误差的微陀螺仪，涉及一种陀螺仪。设有下层为衬底，衬底表面设有悬浮结构层准备的深槽；上层为单晶硅整体制作通过局部刻蚀形成陀螺机械结构，包括驱动框架、检测质量块、悬浮检测电极质量块、电隔离梁、驱动支承梁、检测支承梁、检测电极支承梁、检测电极和驱动电极，检测质量块与外围的驱动框架相连，驱动框架左右两侧对称分布着梳齿，梳齿与外侧驱动电极的梳齿交错分布形成驱动电容，外围的驱动框架通过驱动支撑梁与硅基底相连；检测电极质量块一侧与驱动框架通过电隔离梁连接并分布在检测质量块内侧4个角，另一侧与检测电极相连。能实现驱动模态和检测模态解耦、驱动框架振动方向和检测质量块振动方向之间相对角度可调。
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公开(公告)号：CN101404464B
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200810072108.6
申请日：2008-11-12
Applicant: 厦门大学
Abstract: 复合型微能源系统及其制备方法，涉及一种微能源系统。提供一种可有效提高能量搜集效率，特别适用于为微系统或微器件提供“永久性”工作能源的复合型微能源系统及其制备方法。设有3片基片、2层金属层和接触开关，3片基片成三明治结构，从下至上依次为第1、第2和第3基片，在第2基片下表面加工PN结，接触开关设于第1与第2基片之间。在具有规则分布的具有三维结构(深孔阵列或柱型阵列)的PN结收集同位素辐射能的基础上，在系统中集成利用金属不同功函数将β射线产生的静电感应振动能量转换为电能，达到有效提高能量搜集效率的目的。
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公开(公告)号：CN101237730B
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN200810070672.4
申请日：2008-02-27
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种红外光源及其制备方法，涉及一种红外光源。提供一种基于绝缘体上的硅晶片，具有体积小、能耗低、发射强度高、调制频率高、电-光能量转换效率高等特点的红外光源及其制备方法。设有支撑框架、发光薄膜结构和电极，发光薄膜结构支撑于支撑框架上方，电极位于支撑框架上方，电极通过在氧化硅保护层开设电极孔与多晶硅发光层接触，电极通过压焊金属丝与管壳管脚相连。将晶片氧化，在氢氟酸中腐蚀掉晶片器件层上的氧化硅层；器件层浓硼扩散形成红外吸收层；在红外吸收层表面热氧化氧化硅层；沉积多晶硅；5次光刻后，使用深反应等离子刻蚀工艺从背面刻蚀出发光薄膜结构；晶片合金化退火，沿划片槽裂片，封装。
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公开(公告)号：CN101237730A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200810070672.4
申请日：2008-02-27
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种红外光源及其制备方法，涉及一种红外光源。提供一种基于绝缘体上的硅晶片，具有体积小、能耗低、发射强度高、调制频率高、电-光能量转换效率高等特点的红外光源及其制备方法。设有支撑框架、发光薄膜结构和电极，发光薄膜结构支撑于支撑框架上方，电极位于支撑框架上方，电极通过在氧化硅保护层开设电极孔与多晶硅发光层接触，电极通过压焊金属丝与管壳管脚相连。将晶片氧化，在氢氟酸中腐蚀掉晶片器件层上的氧化硅层；器件层浓硼扩散形成红外吸收层；在红外吸收层表面热氧化氧化硅层；沉积多晶硅；5次光刻后，使用深反应等离子刻蚀工艺从背面刻蚀出发光薄膜结构；晶片合金化退火，沿划片槽裂片，封装。
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公开(公告)号：CN2870174Y
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN200520116497.X
申请日：2005-11-17
Applicant: 杭州科岛微电子有限公司 , 厦门大学萨本栋微机电研究中心
Abstract: 测量灵敏度和线性度高，温度影响小的压容式传感器，硅片衬底层上设有空腔(9)，硅片衬底层上面具有二氧化硅层其上面复合有硅膜层，空腔底部具有二氧化硅层，在相互复合的硅膜层和二氧化硅层上刻有凹槽I(7)位于空腔的外围，所述硅膜层以凹槽I为界分为槽外硅膜层(8)和腔上硅膜层(6)，在相互复合的硅膜层和二氧化硅层上还刻有凹槽II(1)，凹槽I(1)与凹槽II相互贯通，在凹槽II(1)内围的硅膜层上复合有金属层I(2)，金属层I与腔上硅膜层相互连接，在相互复合的硅膜层和二氧化硅层上还刻有凹腔(3)其底部复合有金属层II(4)与硅片衬底层(10)结合，槽外硅膜层(8)上复合有金属层III(5)。本实用新型用作汽车轮胎压力监视系统的传感器。
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