公开(公告)号：CN2870174Y

公开(公告)日：2007-02-14

申请号：CN200520116497.X

申请日：2005-11-17

Applicant: 杭州科岛微电子有限公司 ,  厦门大学萨本栋微机电研究中心

Inventor： 陈旭远 ,  赵玉成

IPC: H01L29/84 ,  G01L9/12 ,  G01L1/14 ,  B60C23/00

Abstract: 测量灵敏度和线性度高，温度影响小的压容式传感器，硅片衬底层上设有空腔(9)，硅片衬底层上面具有二氧化硅层其上面复合有硅膜层，空腔底部具有二氧化硅层，在相互复合的硅膜层和二氧化硅层上刻有凹槽I(7)位于空腔的外围，所述硅膜层以凹槽I为界分为槽外硅膜层(8)和腔上硅膜层(6)，在相互复合的硅膜层和二氧化硅层上还刻有凹槽II(1)，凹槽I(1)与凹槽II相互贯通，在凹槽II(1)内围的硅膜层上复合有金属层I(2)，金属层I与腔上硅膜层相互连接，在相互复合的硅膜层和二氧化硅层上还刻有凹腔(3)其底部复合有金属层II(4)与硅片衬底层(10)结合，槽外硅膜层(8)上复合有金属层III(5)。本实用新型用作汽车轮胎压力监视系统的传感器。

公开(公告)号：CN101114591A

公开(公告)日：2008-01-30

申请号：CN200610052619.2

申请日：2006-07-25

Applicant: 杭州科岛微电子有限公司 ,  厦门大学

Inventor： 赵玉成 ,  陈旭远

IPC: H01L21/3065 ,  B81C1/00 ,  G01L9/12 ,  G01L1/14

Abstract: 精度高、费用省、操作简便、质量稳定的压容式传感器基片成腔方法，加工步骤为：①在选取的硅片一面经氧化形成二氧化硅层；②在二氧化硅层上面涂覆光刻胶层，经曝光、显影，形成微结构凹腔Ⅰ其底面物质为二氧化硅；③以光刻胶层为掩膜，用ICP等离子刻蚀技术在所述微结构凹腔Ⅰ内刻蚀二氧化硅层，形成微结构凹腔Ⅱ其底面物质为硅；④去除所述光刻胶层；⑤再次涂覆光刻胶层，经曝光、显影，形成与所述微结构凹腔Ⅱ对应的微结凹腔Ⅲ；⑥以光刻胶层为掩膜，用等离子刻蚀技术在所述微结构凹腔Ⅲ内刻蚀硅片至一深度；⑦去除光刻胶层，得到具有微结构凹腔Ⅳ的基片。本发明适合制作压器式传感器基片。