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公开(公告)号：CN105523521A
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201610064798.5
申请日：2016-01-29
Applicant: 厦门大学
CPC classification number: B82B3/0004 , B82B1/00
Abstract: 纳米线纵向同轴异质结构及其电子束聚焦辐照制备方法，涉及纳米线。所述纳米线纵向同轴异质结构中，单晶金纳米桥的两端紧密连接着非晶硅氧化物纳米线，单晶金纳米桥和非晶硅氧化物纳米线两者纵向同轴且轴向笔直，同时非晶硅氧化物纳米线表面均匀、分散地修饰着金纳米颗粒。首先在非晶硅氧化物纳米线表面沉积一层均匀、分散的金纳米颗粒，然后利用透射电镜高能电子束选择性聚焦辐照，诱导辐照区域内非晶硅氧化物纳米线材料优先融蒸和径向收缩，并引起纳米线表面金纳米颗粒出现聚集、纳米熟化、长大，最终形成单晶金纳米桥，从而获得单晶金纳米桥两端连接非晶硅氧化物纳米线的纵向同轴异质结构。具有很强的可控性。
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公开(公告)号：CN101591004B
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN200910112084.7
申请日：2009-06-26
Applicant: 厦门大学
IPC: B82B3/00
Abstract: 一种非晶硅氧化物纳米线的修饰加工方法，涉及一种纳米线的修饰加工方法。提供一种非晶硅氧化物纳米线的修饰加工方法。先从硅片衬底上刮下硅氧化物纳米线粉末，用有机溶剂分散至形成颜色均匀的悬浮液时，再将含硅氧化物纳米线的有机溶液加到附有微栅碳膜的铜网上，静置得TEM样品；放入样品座中固定好，将样品杆推入到样品室中并对透射电镜抽真空，对样品中的硅氧化物纳米线进行观察分析；先在TEM低倍观察模式下对硅氧化物纳米线进行粗选，在高倍数观察模式下对粗选纳米线作进一步筛选；先用电镜附带的CCD拍下修饰前所选纳米线的形貌，对纳米线行辐照，实时拍照记录纳米线的形貌变化过程，重复“辐照-拍照”，直至得所需形貌的纳米线。
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公开(公告)号：CN108793067B
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201810576536.6
申请日：2018-06-06
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种平行纳米线的非热融合及其系列结构成形加工方法，制备TEM样品；安装TEM样品；筛选纳米线；辐照加工。利用两根平行接触的非晶硅氧化物纳米线在接触位置和接触位置周围表面区域结构不稳定性的差异，采用透射电镜高能电子束进行均匀大面积辐照，非热激活诱导两根平行接触的非晶硅氧化物纳米线上的原子定向的扩散的原子向负曲率处扩散，从而降低体系的能量；从而纳米线接触位置周围表面区域的原子扩散到接触位置，在辐照范围内逐渐实现了两根平行接触纳米线的非热融合及融合过程中不同结构成型的加工。可通过控制硅氧化物纳米线的直径、电子束的束斑尺寸和辐照电流密度等参数实现对平行纳米线的非热融合及最终形貌的有效控制。
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公开(公告)号：CN108793067A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810576536.6
申请日：2018-06-06
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种平行纳米线的非热融合及其系列结构成形加工方法，制备TEM样品；安装TEM样品；筛选纳米线；辐照加工。利用两根平行接触的非晶硅氧化物纳米线在接触位置和接触位置周围表面区域结构不稳定性的差异，采用透射电镜高能电子束进行均匀大面积辐照，非热激活诱导两根平行接触的非晶硅氧化物纳米线上的原子定向的扩散的原子向负曲率处扩散，从而降低体系的能量；从而纳米线接触位置周围表面区域的原子扩散到接触位置，在辐照范围内逐渐实现了两根平行接触纳米线的非热融合及融合过程中不同结构成型的加工。可通过控制硅氧化物纳米线的直径、电子束的束斑尺寸和辐照电流密度等参数实现对平行纳米线的非热融合及最终形貌的有效控制。
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5.发明授权
公开(公告)号：CN105523521B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201610064798.5
申请日：2016-01-29
Applicant: 厦门大学
Abstract: 起纳米线表面金纳米颗粒出现聚集、纳米熟化、纳米线纵向同轴异质结构及其电子束聚焦 长大，最终形成单晶金纳米桥，从而获得单晶金辐照制备方法，涉及纳米线。所述纳米线纵向同 纳米桥两端连接非晶硅氧化物纳米线的纵向同轴异质结构中，单晶金纳米桥的两端紧密连接着 轴异质结构。具有很强的可控性。非晶硅氧化物纳米线，单晶金纳米桥和非晶硅氧化物纳米线两者纵向同轴且轴向笔直，同时非晶硅氧化物纳米线表面均匀、分散地修饰着金纳米颗粒。首先在非晶硅氧化物纳米线表面沉积一层(56)对比文件Xianfang Zhu, Jiangbin Su, Yan Wu, etal..Intriguing surface-extruded plasticflow of SiOx amorphous nanowire asathermally induced by electron beamirradiation.《.Nanoscale》.2013,第6卷第1499-1057页.吴燕, 朱贤方, 王占国..制备几种典型复合纳米线的相关实验及其分析.《.材料导报》.2006,第20卷(第11期),第122-125页.Junqing Hu, Yoshio Bando, JinhuaZhan, and Dmitri Golberg..Fabrication ofSilica-Shielded Ga-ZnS Metal-Semiconductor Nanowire Heterojunctions..《Adv. Mater.》.2005,第17卷第1964-1969页.Aneta J. Mieszawska, RomanehJalilian, Gamini U. Sumanasekera, e.TheSynthesis and Fabrication of One-Dimensional Nanoscale Heterojunctions..《Small》.2007,第3卷(第5期),第722-756页.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101591003A
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200910112083.2
申请日：2009-06-26
Applicant: 厦门大学
IPC: B82B3/00
Abstract: 一种非晶硅氧化物纳米线的电子束聚焦辐照加工方法，涉及一种纳米线电子束聚焦辐照加工方法。提供一种非晶硅氧化物纳米线的电子束聚焦辐照加工方法。从衬底上刮下硅氧化物纳米线粉末，用有机溶剂分散至形成颜色均匀的悬浮液时，再加到附有微栅碳膜的铜网上，静置得TEM样品，放入样品座中固定好，将样品杆推入到样品室中并对透射电镜抽真空，对样品中的硅氧化物纳米线观察分析；先在TEM低倍观察模式下对硅氧化物纳米线进行粗选，然后在较高倍数观察模式下对粗选的纳米线作进一步筛选；用电镜附带的CCD拍下加工前所选纳米线的形貌，再对纳米线聚焦辐照，实时拍照记录纳米线的形貌变化过程，重复“辐照-拍照”过程，直至实现纳米线的加工。
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公开(公告)号：CN101602484B
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200910112085.1
申请日：2009-06-26
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种非晶硅氧化物纳米线的焊接方法，涉及一种纳米线焊接方法。提供一种非晶硅氧化物纳米线的焊接方法。先从硅片衬底上刮下硅氧化物纳米线粉末，用有机溶剂分散，将含硅氧化物纳米线的有机溶液加到附有微栅碳膜的铜网上，静置得TEM样品，放入样品座中固定，将样品杆推入到样品室中并对透射电镜抽真空，观察分析；在TEM低倍观察模式下对硅氧化物纳米线粗选，在较高倍数观察模式下对粗选的纳米线作进一步筛选；先在放大倍数20000×～150000×下用电镜附带的CCD拍下焊接前两纳米线尤其是交叉处的形貌；再对纳米线交叉处辐照，实时拍照记录两纳米线尤其是交叉处的结构转变过程，重复“辐照-拍照”直至最终实现两纳米线的焊接。
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公开(公告)号：CN101798058A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN201010126626.9
申请日：2010-03-12
Applicant: 厦门大学
IPC: B82B3/00
Abstract: 一种硅基纳米线的表面异质修饰方法，涉及一种纳米线的表面修饰方法。将TEM样品放入样品座中，然后将样品杆推入到样品室中，并对透射电镜抽真空，对TEM样品中的纳米线进行观察筛选；先在TEM低倍观察模式下对纳米线进行初选，所选纳米线位于微栅孔中，然后在较高倍数观察模式下对初选定的纳米线作进一步筛选，使纳米线表面光滑且未吸附有其它固态杂质；先用电镜附带的CCD拍下修饰前所选纳米线片段的形貌，然后根据修饰的需要，对纳米线进行有目的性的辐照，辐照完成后拍照记录纳米线的表面修饰效果。不仅可较容易地控制各个辐照参数，具有很强的可控性，而且还能实现硅基纳米线与各种非晶碳纳米结构的良好接触与粘附。
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公开(公告)号：CN101602484A
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200910112085.1
申请日：2009-06-26
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种非晶硅氧化物纳米线的焊接方法，涉及一种纳米线焊接方法。提供一种非晶硅氧化物纳米线的焊接方法。先从硅片衬底上刮下硅氧化物纳米线粉末，用有机溶剂分散，将含硅氧化物纳米线的有机溶液加到附有微栅碳膜的铜网上，静置得TEM样品，放入样品座中固定，将样品杆推入到样品室中并对透射电镜抽真空，观察分析；在TEM低倍观察模式下对硅氧化物纳米线粗选，在较高倍数观察模式下对粗选的纳米线作进一步筛选；先在放大倍数20000×～150000×下用电镜附带的CCD拍下焊接前两纳米线尤其是交叉处的形貌；再对纳米线交叉处辐照，实时拍照记录两纳米线尤其是交叉处的结构转变过程，重复“辐照-拍照”直至最终实现两纳米线的焊接。
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公开(公告)号：CN101591004A
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200910112084.7
申请日：2009-06-26
Applicant: 厦门大学
IPC: B82B3/00
Abstract: 一种非晶硅氧化物纳米线的修饰加工方法，涉及一种纳米线的修饰加工方法。提供一种非晶硅氧化物纳米线的修饰加工方法。先从硅片衬底上刮下硅氧化物纳米线粉末，用有机溶剂分散至形成颜色均匀的悬浮液时，再将含硅氧化物纳米线的有机溶液加到附有微栅碳膜的铜网上，静置得TEM样品；放入样品座中固定好，将样品杆推入到样品室中并对透射电镜抽真空，对样品中的硅氧化物纳米线进行观察分析；先在TEM低倍观察模式下对硅氧化物纳米线进行粗选，在高倍数观察模式下对粗选纳米线作进一步筛选；先用电镜附带的CCD拍下修饰前所选纳米线的形貌，对纳米线行辐照，实时拍照记录纳米线的形貌变化过程，重复“辐照－拍照”，直至得所需形貌的纳米线。
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