-
公开(公告)号：CN101591004B
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN200910112084.7
申请日：2009-06-26
Applicant: 厦门大学
IPC: B82B3/00
Abstract: 一种非晶硅氧化物纳米线的修饰加工方法，涉及一种纳米线的修饰加工方法。提供一种非晶硅氧化物纳米线的修饰加工方法。先从硅片衬底上刮下硅氧化物纳米线粉末，用有机溶剂分散至形成颜色均匀的悬浮液时，再将含硅氧化物纳米线的有机溶液加到附有微栅碳膜的铜网上，静置得TEM样品；放入样品座中固定好，将样品杆推入到样品室中并对透射电镜抽真空，对样品中的硅氧化物纳米线进行观察分析；先在TEM低倍观察模式下对硅氧化物纳米线进行粗选，在高倍数观察模式下对粗选纳米线作进一步筛选；先用电镜附带的CCD拍下修饰前所选纳米线的形貌，对纳米线行辐照，实时拍照记录纳米线的形貌变化过程，重复“辐照-拍照”，直至得所需形貌的纳米线。
-
公开(公告)号：CN101798058B
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201010126626.9
申请日：2010-03-12
Applicant: 厦门大学
IPC: B82B3/00
Abstract: 一种硅基纳米线的表面异质修饰方法，涉及一种纳米线的表面修饰方法。将TEM样品放入样品座中，然后将样品杆推入到样品室中，并对透射电镜抽真空，对TEM样品中的纳米线进行观察筛选；先在TEM低倍观察模式下对纳米线进行初选，所选纳米线位于微栅孔中，然后在较高倍数观察模式下对初选定的纳米线作进一步筛选，使纳米线表面光滑且未吸附有其它固态杂质；先用电镜附带的CCD拍下修饰前所选纳米线片段的形貌，然后根据修饰的需要，对纳米线进行有目的性的辐照，辐照完成后拍照记录纳米线的表面修饰效果。不仅可较容易地控制各个辐照参数，具有很强的可控性，而且还能实现硅基纳米线与各种非晶碳纳米结构的良好接触与粘附。
-
公开(公告)号：CN101591003B
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200910112083.2
申请日：2009-06-26
Applicant: 厦门大学
IPC: B82B3/00
Abstract: 一种非晶硅氧化物纳米线的电子束聚焦辐照加工方法，涉及一种纳米线电子束聚焦辐照加工方法。提供一种非晶硅氧化物纳米线的电子束聚焦辐照加工方法。从衬底上刮下硅氧化物纳米线粉末，用有机溶剂分散至形成颜色均匀的悬浮液时，再加到附有微栅碳膜的铜网上，静置得TEM样品，放入样品座中固定好，将样品杆推入到样品室中并对透射电镜抽真空，对样品中的硅氧化物纳米线观察分析；先在TEM低倍观察模式下对硅氧化物纳米线进行粗选，然后在较高倍数观察模式下对粗选的纳米线作进一步筛选；用电镜附带的CCD拍下加工前所选纳米线的形貌，再对纳米线聚焦辐照，实时拍照记录纳米线的形貌变化过程，重复“辐照-拍照”过程，直至实现纳米线的加工。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101591003A
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200910112083.2
申请日：2009-06-26
Applicant: 厦门大学
IPC: B82B3/00
Abstract: 一种非晶硅氧化物纳米线的电子束聚焦辐照加工方法，涉及一种纳米线电子束聚焦辐照加工方法。提供一种非晶硅氧化物纳米线的电子束聚焦辐照加工方法。从衬底上刮下硅氧化物纳米线粉末，用有机溶剂分散至形成颜色均匀的悬浮液时，再加到附有微栅碳膜的铜网上，静置得TEM样品，放入样品座中固定好，将样品杆推入到样品室中并对透射电镜抽真空，对样品中的硅氧化物纳米线观察分析；先在TEM低倍观察模式下对硅氧化物纳米线进行粗选，然后在较高倍数观察模式下对粗选的纳米线作进一步筛选；用电镜附带的CCD拍下加工前所选纳米线的形貌，再对纳米线聚焦辐照，实时拍照记录纳米线的形貌变化过程，重复“辐照-拍照”过程，直至实现纳米线的加工。
-
公开(公告)号：CN101602484B
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200910112085.1
申请日：2009-06-26
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种非晶硅氧化物纳米线的焊接方法，涉及一种纳米线焊接方法。提供一种非晶硅氧化物纳米线的焊接方法。先从硅片衬底上刮下硅氧化物纳米线粉末，用有机溶剂分散，将含硅氧化物纳米线的有机溶液加到附有微栅碳膜的铜网上，静置得TEM样品，放入样品座中固定，将样品杆推入到样品室中并对透射电镜抽真空，观察分析；在TEM低倍观察模式下对硅氧化物纳米线粗选，在较高倍数观察模式下对粗选的纳米线作进一步筛选；先在放大倍数20000×～150000×下用电镜附带的CCD拍下焊接前两纳米线尤其是交叉处的形貌；再对纳米线交叉处辐照，实时拍照记录两纳米线尤其是交叉处的结构转变过程，重复“辐照-拍照”直至最终实现两纳米线的焊接。
-
公开(公告)号：CN101798058A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN201010126626.9
申请日：2010-03-12
Applicant: 厦门大学
IPC: B82B3/00
Abstract: 一种硅基纳米线的表面异质修饰方法，涉及一种纳米线的表面修饰方法。将TEM样品放入样品座中，然后将样品杆推入到样品室中，并对透射电镜抽真空，对TEM样品中的纳米线进行观察筛选；先在TEM低倍观察模式下对纳米线进行初选，所选纳米线位于微栅孔中，然后在较高倍数观察模式下对初选定的纳米线作进一步筛选，使纳米线表面光滑且未吸附有其它固态杂质；先用电镜附带的CCD拍下修饰前所选纳米线片段的形貌，然后根据修饰的需要，对纳米线进行有目的性的辐照，辐照完成后拍照记录纳米线的表面修饰效果。不仅可较容易地控制各个辐照参数，具有很强的可控性，而且还能实现硅基纳米线与各种非晶碳纳米结构的良好接触与粘附。
-
公开(公告)号：CN101602484A
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200910112085.1
申请日：2009-06-26
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种非晶硅氧化物纳米线的焊接方法，涉及一种纳米线焊接方法。提供一种非晶硅氧化物纳米线的焊接方法。先从硅片衬底上刮下硅氧化物纳米线粉末，用有机溶剂分散，将含硅氧化物纳米线的有机溶液加到附有微栅碳膜的铜网上，静置得TEM样品，放入样品座中固定，将样品杆推入到样品室中并对透射电镜抽真空，观察分析；在TEM低倍观察模式下对硅氧化物纳米线粗选，在较高倍数观察模式下对粗选的纳米线作进一步筛选；先在放大倍数20000×～150000×下用电镜附带的CCD拍下焊接前两纳米线尤其是交叉处的形貌；再对纳米线交叉处辐照，实时拍照记录两纳米线尤其是交叉处的结构转变过程，重复“辐照-拍照”直至最终实现两纳米线的焊接。
-
公开(公告)号：CN101591004A
公开(公告)日：2009-12-02
申请号：CN200910112084.7
申请日：2009-06-26
Applicant: 厦门大学
IPC: B82B3/00
Abstract: 一种非晶硅氧化物纳米线的修饰加工方法，涉及一种纳米线的修饰加工方法。提供一种非晶硅氧化物纳米线的修饰加工方法。先从硅片衬底上刮下硅氧化物纳米线粉末，用有机溶剂分散至形成颜色均匀的悬浮液时，再将含硅氧化物纳米线的有机溶液加到附有微栅碳膜的铜网上，静置得TEM样品；放入样品座中固定好，将样品杆推入到样品室中并对透射电镜抽真空，对样品中的硅氧化物纳米线进行观察分析；先在TEM低倍观察模式下对硅氧化物纳米线进行粗选，在高倍数观察模式下对粗选纳米线作进一步筛选；先用电镜附带的CCD拍下修饰前所选纳米线的形貌，对纳米线行辐照，实时拍照记录纳米线的形貌变化过程，重复“辐照－拍照”，直至得所需形貌的纳米线。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.015 seconds)
