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1.发明授权公开(公告)号：CN105523521B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201610064798.5
申请日：2016-01-29
Applicant: 厦门大学
Abstract: 起纳米线表面金纳米颗粒出现聚集、纳米熟化、纳米线纵向同轴异质结构及其电子束聚焦 长大，最终形成单晶金纳米桥，从而获得单晶金辐照制备方法，涉及纳米线。所述纳米线纵向同 纳米桥两端连接非晶硅氧化物纳米线的纵向同轴异质结构中，单晶金纳米桥的两端紧密连接着 轴异质结构。具有很强的可控性。非晶硅氧化物纳米线，单晶金纳米桥和非晶硅氧化物纳米线两者纵向同轴且轴向笔直，同时非晶硅氧化物纳米线表面均匀、分散地修饰着金纳米颗粒。首先在非晶硅氧化物纳米线表面沉积一层(56)对比文件Xianfang Zhu, Jiangbin Su, Yan Wu, etal..Intriguing surface-extruded plasticflow of SiOx amorphous nanowire asathermally induced by electron beamirradiation.《.Nanoscale》.2013,第6卷第1499-1057页.吴燕, 朱贤方, 王占国..制备几种典型复合纳米线的相关实验及其分析.《.材料导报》.2006,第20卷(第11期),第122-125页.Junqing Hu, Yoshio Bando, JinhuaZhan, and Dmitri Golberg..Fabrication ofSilica-Shielded Ga-ZnS Metal-Semiconductor Nanowire Heterojunctions..《Adv. Mater.》.2005,第17卷第1964-1969页.Aneta J. Mieszawska, RomanehJalilian, Gamini U. Sumanasekera, e.TheSynthesis and Fabrication of One-Dimensional Nanoscale Heterojunctions..《Small》.2007,第3卷(第5期),第722-756页.
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公开(公告)号：CN105523521A
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201610064798.5
申请日：2016-01-29
Applicant: 厦门大学
CPC classification number: B82B3/0004 , B82B1/00
Abstract: 纳米线纵向同轴异质结构及其电子束聚焦辐照制备方法，涉及纳米线。所述纳米线纵向同轴异质结构中，单晶金纳米桥的两端紧密连接着非晶硅氧化物纳米线，单晶金纳米桥和非晶硅氧化物纳米线两者纵向同轴且轴向笔直，同时非晶硅氧化物纳米线表面均匀、分散地修饰着金纳米颗粒。首先在非晶硅氧化物纳米线表面沉积一层均匀、分散的金纳米颗粒，然后利用透射电镜高能电子束选择性聚焦辐照，诱导辐照区域内非晶硅氧化物纳米线材料优先融蒸和径向收缩，并引起纳米线表面金纳米颗粒出现聚集、纳米熟化、长大，最终形成单晶金纳米桥，从而获得单晶金纳米桥两端连接非晶硅氧化物纳米线的纵向同轴异质结构。具有很强的可控性。
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公开(公告)号：CN105540536A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201610064800.9
申请日：2016-01-29
Applicant: 厦门大学
IPC: B82B3/00
CPC classification number: B82B3/0009
Abstract: 电子束诱导非晶硅氧化物基纳米线原位均匀伸长加工方法，涉及纳米线伸长加工的方法。首先将硅氧化物基纳米线粉末制成透射电镜样品，然后放到透射电镜中观察筛选，最后对所选的硅氧化物基纳米线进行有针对性地非聚焦辐照并实时拍照记录不同辐照时间下纳米线长度等形貌特征，直至得到所需长度的纳米线。不仅可以较容易地控制电子束辐照电流密度等能量沉积速率因素，而且还可以能动地选择纳米线的直径及其表面金属颗粒的修饰情况等表面纳米曲率因素，以及改变辐照时间的长短等来控制纳米线的伸长快慢及程度，因而具有很强的可控性。此外，在透射电镜下还可原位观察、监控纳米线伸长加工的进度，而且不会引入其它杂质。
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