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发明公开
一种低磁导率温度系数近场通讯磁片及其制备方法无效

公开(公告)号：CN104844184A

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：CN201510204842.3

申请日：2015-04-27

Applicant: 厦门大学

Inventor： 熊兆贤 , 马腾 , 徐文浩 , 冯瑶 , 翁章钊

IPC: C04B35/26 , C04B35/622

Abstract: 一种低磁导率温度系数近场通讯磁片及其制备方法，涉及近场通讯。低磁导率温度系数近场通讯磁片包括主成分和副成分；按摩尔百分比，主成分的Fe2O3为48％～55％，ZnO为12％～20％，NiO为15.5％～20％，CuO为13％～16％，MnCO3为0～3％，Bi2O3为0.01％～0.025％，Co2O3为0～0.05％；副成分的SiO2为1％，WO3为0～3％。将主成分、水和磨球混合，球磨得浆料，分离后烘干，再预烧；粉碎过筛，加入副成分，再加入水球磨，过筛后烘干，然后与水基流延浆料混合，得流延浆料，球磨，过筛，脱泡，得脱泡流延浆料；流延后得铁氧体坯片，干燥，热处理；烧结，再与胶带贴合，得产物。

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