公开(公告)号：CN100447950C

公开(公告)日：2008-12-31

申请号：CN200710008498.6

申请日：2007-01-26

Applicant: 厦门大学

Inventor： 李成 ,  蔡坤煌 ,  张永 ,  赖虹凯 ,  陈松岩

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/322

Abstract: 低位错密度锗硅虚衬底的制备方法，涉及一种制备Ge组分渐变弛豫锗硅合金层的方法，尤其是涉及一种氧化具有硅盖层低Ge组分锗硅层来制备低位错密度、表面平整的Ge组分渐变弛豫锗硅缓冲层的方法。提供一种可实现表面平整、Ge组分可控、成本低、厚度薄的SiGe弛豫缓冲层的制备方法。先在硅衬底或绝缘体上硅衬底上，用分子束外延或化学汽相淀积法生长一层Ge组分SiGe合金层，在SiGe合金层上覆盖一层硅盖层，Ge组分小于0.2，厚度在临界厚度以下；将覆盖一层硅盖层的SiGe合金层在氧化炉中氧化，在氧化后生成的SiO2层下面形成Ge组分渐变的SiGe缓冲层，Ge组分大于0.3；将氧化后生成的SiO2层腐蚀掉。

公开(公告)号：CN101013668A

公开(公告)日：2007-08-08

申请号：CN200710008498.6

申请日：2007-01-26

Applicant: 厦门大学

Inventor： 李成 ,  蔡坤煌 ,  张永 ,  赖虹凯 ,  陈松岩

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/322

Abstract: 低位错密度锗硅虚衬底的制备方法，涉及一种制备Ge组分渐变弛豫锗硅合金层的方法，尤其是涉及一种氧化具有硅盖层低Ge组分锗硅层来制备低位错密度、表面平整的Ge组分渐变弛豫锗硅缓冲层的方法。提供一种可实现表面平整、Ge组分可控、成本低、厚度薄的SiGe弛豫缓冲层的制备方法。先在硅衬底或绝缘体上硅衬底上，用分子束外延或化学汽相淀积法生长一层Ge组分SiGe合金层，在SiGe合金层上覆盖一层硅盖层，Ge组分小于0.2，厚度在临界厚度以下；将覆盖一层硅盖层的SiGe合金层在氧化炉中氧化，在氧化后生成的SiO2层下面形成Ge组分渐变的SiGe缓冲层，Ge组分大于0.3；将氧化后生成的SiO2层腐蚀掉。