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公开(公告)号：CN112129793B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202011121573.1
申请日：2020-10-20
Applicant: 厦门大学
IPC: G01N23/20033 , G01N23/20041 , H01J37/20 , H01J37/26
Abstract: 本发明涉及一种透射电镜高分辨原位温差加压芯片及其制备方法，其中芯片包括双面覆盖有绝缘层的基片，该基片的正面上设置有呈左右镜像设置的两加热加压单元；每一加热加压单元均包括两加热电极、一加压电极、一加热丝和一加压电路，加热丝和加压电路布设于基片的中部，并形成一加热加压区，两加热加压单元的加热加压区之间具有一缝隙，所述加热丝通过两加热线路与两加热电极分别连接，所述加压电路通过一加压线路与加压电极连接，该基片上除用于支撑加热加压单元、两加热线路以及一加压线路外的其它区域呈镂空设置，该芯片能够同时实现温差加压功能。
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公开(公告)号：CN114225975B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202111370995.7
申请日：2021-11-18
Abstract: 本发明涉及一种离子束刻蚀制作电镜流体微元控温芯片的方法及产品，所述电镜流体微元控温芯片包括上片和下片，上片和下片均为正反面都设有绝缘层的硅基片，上片的正面与下片的正面通过粘结层固定粘结，上片、下片和粘结层共同构成一腔室；上片上设有第一视窗，下片上设有加热电极、进液口、出液口、加热丝和第二视窗，加热丝位于第二视窗内；本发明提供的电镜流体微元控温芯片可在第二视窗内直接观察到加热丝形貌，可用于流体局部温度变化的测量和对流体微元的反馈控温，便于使用者更好地了解微米纳米流体溶液中局部位置的热反应过程，流体微元间的相互作用以及微元部分温度变化对化学反应的影响。
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公开(公告)号：CN114235195A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111370974.5
申请日：2021-11-18
Abstract: 本发明涉及一种超高时空分辨率流体温度传感芯片及其制作方法，该超高时空分辨率流体温度传感芯片的纳米线电阻丝制作采用电子束曝光光刻工艺，芯片达到纳米级的空间分辨率，其中位于中间的纳米线电阻丝整体尺寸达到纳米级别，实现优良的传感效果，且纳米线电阻丝电阻率由镀膜材料本身性质决定，保证了温度测试的准确性，视窗的厚度超薄，使得观测的空间分辨率极大提高，同时实现高时间分辨率，对微米纳米区域温度微扰动可以实现微秒级别检测。
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公开(公告)号：CN112516936A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202011501014.3
申请日：2020-12-18
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明公开了一种热电耦合微型流动反应器及其制备方法。其上片为两面有氮化硅的硅基片，下片为不导电的透光材质；上片有进液区、出液区、微流体通道，nafion膜；下片有温控系统和电化学系统，两者通过绝缘层隔开；温控系统的加热和控温通过四电极蛇形热电阻实现；电化学系统包括电极层和催化剂层；电极层有工作电极、对电极、参比电极，置于蛇形热电阻正上方，工作电极和对电极呈阵列叉状交错排列，参比电极单独置于靠近工作电极和进液区的一侧；催化剂层附着于工作电极上。其电极及电极间距小，反应液层薄，反应速率快，传热、传质速率快，可用于探究电能和热能对于化学反应的耦合影响及反应机理。
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公开(公告)号：CN109865541A
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201910183499.7
申请日：2019-03-12
Applicant: 厦门大学
Abstract: 一种扫描电镜原位电化学检测芯片及其制作方法，涉及电化学检测芯片。扫描电镜原位电化学检测芯片设有上片和下片，所述上片由两面带有氮化硅层的硅基片制成，所述两面带有氮化硅层的硅基片上设有两个对称的注液口和一个视窗口；所述下片由两面带有绝缘层和氮化硅层的硅基片制成，所述两面带有绝缘层和氮化硅层的硅基片一面设有参比电极、工作电极和对电极；所述上片和下片通过金属键合层粘接。制作方法：1)制作上片；2)制作下片；3)将上片和下片通过金属键合层粘接，形成一体化扫描电镜原位电化学检测芯片。使用时可直接通过注液口加入样品，封闭注液口即可，操作简便。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112903727B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202110331063.5
申请日：2021-03-29
Applicant: 厦门大学
IPC: G01N23/04 , G01N23/20058 , G01N23/20008 , G01N27/416 , G01N27/30
Abstract: 本发明属于电化学芯片技术领域，具体涉及一种透射电镜电化学检测芯片及其制造方法。所述透射电镜电化学检测芯片包括上片和下片，上片和下片都为正反面都设有绝缘层的硅基片，上片的正面与下片的正面通过粘结层固定粘结，上片、下片和粘结层共同构成一腔室；上片上设有注样口和第一视窗，下片上设有工作电极、参比电极、对电极、第二视窗和温度计，工作电极、参比电极和对电极都搭设在第二视窗上。本发明提供的透射电镜电化学检测芯片的下片设置有温度计，温度计可以用于实时监控反应温度，便于使用者更好地了解电化学反应吸放热反应类型以及温度对电化学反应的影响。本发明提供的制造方法可以用于制造前述透射电镜电化学检测芯片。
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公开(公告)号：CN111879797B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202010869758.4
申请日：2020-08-26
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明涉及一种透射电镜高分辨原位流体扰流加热芯片，其结构为上片和下片通过金属键合层组合，自封闭形成一个超薄的腔室；上片有两个注样口和一个上中心视窗；下片设置有流体入口、流体出口、流体流道、下中心视窗、微扰流柱阵列、加热层和绝缘层；加热层有四个接触电极及螺旋环形加热丝；在以下中心视窗为中心，且在螺旋环形加热丝中心区域内；流体入口与流体出口关于中心视窗对称布置，下中心视窗位于加热层的中心处；下中心视窗上有微扰流柱阵列，该芯片具有快速升降温，分辨率高，温度控制精准、流体流向可控，样品漂移率低的优点。
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公开(公告)号：CN112129793A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN202011121573.1
申请日：2020-10-20
Applicant: 厦门大学
IPC: G01N23/20033 , G01N23/20041 , H01J37/20 , H01J37/26
Abstract: 本发明涉及一种透射电镜高分辨原位温差加压芯片及其制备方法，其中芯片包括双面覆盖有绝缘层的基片，该基片的正面上设置有呈左右镜像设置的两加热加压单元；每一加热加压单元均包括两加热电极、一加压电极、一加热丝和一加压电路，加热丝和加压电路布设于基片的中部，并形成一加热加压区，两加热加压单元的加热加压区之间具有一缝隙，所述加热丝通过两加热线路与两加热电极分别连接，所述加压电路通过一加压线路与加压电极连接，该基片上除用于支撑加热加压单元、两加热线路以及一加压线路外的其它区域呈镂空设置，该芯片能够同时实现温差加压功能。
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公开(公告)号：CN111879797A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010869758.4
申请日：2020-08-26
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明涉及一种透射电镜高分辨原位流体扰流加热芯片，其结构为上片和下片通过金属键合层组合，自封闭形成一个超薄的腔室；上片有两个注样口和一个上中心视窗；下片设置有流体入口、流体出口、流体流道、下中心视窗、微扰流柱阵列、加热层和绝缘层；加热层有四个接触电极及螺旋环形加热丝；在以下中心视窗为中心，且在螺旋环形加热丝中心区域内；流体入口与流体出口关于中心视窗对称布置，下中心视窗位于加热层的中心处；下中心视窗上有微扰流柱阵列，该芯片具有快速升降温，分辨率高，温度控制精准、流体流向可控，样品漂移率低的优点。
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公开(公告)号：CN111879796A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010798704.3
申请日：2020-08-11
Applicant: 厦门大学
IPC: G01N23/04 , G01N23/20 , H01L21/02 , H01L21/027 , H01L21/50
Abstract: 本发明公开了一种透射电镜高分辨原位流体冷冻芯片及其制备方法。所述芯片的下片设置有支撑层、冷冻层、绝缘层，孔洞以及中心视窗；所述冷冻层设置有三个接触电极、六对半导体薄膜以及导电金属薄膜；中心视窗的外围有一圈导电金属薄膜，其中心为中心视窗；三个接触电极置于芯片边缘；六对半导体薄膜一端搭在导电金属薄膜上，另一端搭在电极上；以中心视窗为中心，且在大于导电金属薄膜的外边缘区域内，硅腐蚀掉后留有孔洞，支撑层覆盖在孔洞的上方；导电金属薄膜置于孔洞上的支撑层上，冷冻层除接触电极区域的上方覆盖绝缘层；中心视窗上均有多个小孔。所述芯片具有微区快速冷冻，分辨率高，样品漂移率低的优点。
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