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公开(公告)号：CN112903727A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202110331063.5
申请日：2021-03-29
Applicant: 厦门大学
IPC: G01N23/04 , G01N23/20058 , G01N23/20008 , G01N27/416 , G01N27/30
Abstract: 本发明属于电化学芯片技术领域，具体涉及一种透射电镜电化学检测芯片及其制造方法。所述透射电镜电化学检测芯片包括上片和下片，上片和下片都为正反面都设有绝缘层的硅基片，上片的正面与下片的正面通过粘结层固定粘结，上片、下片和粘结层共同构成一腔室；上片上设有注样口和第一视窗，下片上设有工作电极、参比电极、对电极、第二视窗和温度计，工作电极、参比电极和对电极都搭设在第二视窗上。本发明提供的透射电镜电化学检测芯片的下片设置有温度计，温度计可以用于实时监控反应温度，便于使用者更好地了解电化学反应吸放热反应类型以及温度对电化学反应的影响。本发明提供的制造方法可以用于制造前述透射电镜电化学检测芯片。
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公开(公告)号：CN111879796B
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202010798704.3
申请日：2020-08-11
Applicant: 厦门大学
IPC: G01N23/04 , G01N23/20 , H01L21/02 , H01L21/027 , H01L21/50
Abstract: 本发明公开了一种透射电镜高分辨原位流体冷冻芯片及其制备方法。所述芯片的下片设置有支撑层、冷冻层、绝缘层，孔洞以及中心视窗；所述冷冻层设置有三个接触电极、六对半导体薄膜以及导电金属薄膜；中心视窗的外围有一圈导电金属薄膜，其中心为中心视窗；三个接触电极置于芯片边缘；六对半导体薄膜一端搭在导电金属薄膜上，另一端搭在电极上；以中心视窗为中心，且在大于导电金属薄膜的外边缘区域内，硅腐蚀掉后留有孔洞，支撑层覆盖在孔洞的上方；导电金属薄膜置于孔洞上的支撑层上，冷冻层除接触电极区域的上方覆盖绝缘层；中心视窗上均有多个小孔。所述芯片具有微区快速冷冻，分辨率高，样品漂移率低的优点。
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公开(公告)号：CN112951748A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110405272.X
申请日：2021-04-15
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本发明属于微纳加工技术领域，具体涉及一种湿法腐蚀夹具，包括底座、顶盖和密封机构，底座上设有承载部，用于承载待腐蚀的晶圆，顶盖设在底座上方，密封机构用于防止腐蚀液接触朝承载部的晶圆正面，密封机构、顶盖和晶圆背面共同形成用于容纳腐蚀液的腔室，腔室内设有喷头，喷头的出液口位于承载部上方，用于喷出腐蚀液以腐蚀晶圆背面。功能全面，具有对晶圆背面进行全面腐蚀和局部腐蚀的功能。全面腐蚀：装载好待腐蚀的晶圆，向腔室内装入足量腐蚀液，对晶圆背面进行全面腐蚀；局部腐蚀：装载好待腐蚀的晶圆，通过喷头对晶圆背面特定区域喷洒腐蚀液，对晶圆背面局部进行微量腐蚀。
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公开(公告)号：CN112903727B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202110331063.5
申请日：2021-03-29
Applicant: 厦门大学
IPC: G01N23/04 , G01N23/20058 , G01N23/20008 , G01N27/416 , G01N27/30
Abstract: 本发明属于电化学芯片技术领域，具体涉及一种透射电镜电化学检测芯片及其制造方法。所述透射电镜电化学检测芯片包括上片和下片，上片和下片都为正反面都设有绝缘层的硅基片，上片的正面与下片的正面通过粘结层固定粘结，上片、下片和粘结层共同构成一腔室；上片上设有注样口和第一视窗，下片上设有工作电极、参比电极、对电极、第二视窗和温度计，工作电极、参比电极和对电极都搭设在第二视窗上。本发明提供的透射电镜电化学检测芯片的下片设置有温度计，温度计可以用于实时监控反应温度，便于使用者更好地了解电化学反应吸放热反应类型以及温度对电化学反应的影响。本发明提供的制造方法可以用于制造前述透射电镜电化学检测芯片。
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公开(公告)号：CN111879796A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010798704.3
申请日：2020-08-11
Applicant: 厦门大学
IPC: G01N23/04 , G01N23/20 , H01L21/02 , H01L21/027 , H01L21/50
Abstract: 本发明公开了一种透射电镜高分辨原位流体冷冻芯片及其制备方法。所述芯片的下片设置有支撑层、冷冻层、绝缘层，孔洞以及中心视窗；所述冷冻层设置有三个接触电极、六对半导体薄膜以及导电金属薄膜；中心视窗的外围有一圈导电金属薄膜，其中心为中心视窗；三个接触电极置于芯片边缘；六对半导体薄膜一端搭在导电金属薄膜上，另一端搭在电极上；以中心视窗为中心，且在大于导电金属薄膜的外边缘区域内，硅腐蚀掉后留有孔洞，支撑层覆盖在孔洞的上方；导电金属薄膜置于孔洞上的支撑层上，冷冻层除接触电极区域的上方覆盖绝缘层；中心视窗上均有多个小孔。所述芯片具有微区快速冷冻，分辨率高，样品漂移率低的优点。
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公开(公告)号：CN214898339U
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202120769823.6
申请日：2021-04-15
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本实用新型属于微纳加工技术领域，具体涉及一种湿法腐蚀夹具，包括底座、顶盖和密封机构，底座上设有承载部，用于承载待腐蚀的晶圆，顶盖设在底座上方，密封机构用于防止腐蚀液接触朝承载部的晶圆正面，密封机构、顶盖和晶圆背面共同形成用于容纳腐蚀液的腔室，腔室内设有喷头，喷头的出液口位于承载部上方，用于喷出腐蚀液以腐蚀晶圆背面。功能全面，具有对晶圆背面进行全面腐蚀和局部腐蚀的功能。全面腐蚀：装载好待腐蚀的晶圆，向腔室内装入足量腐蚀液，对晶圆背面进行全面腐蚀；局部腐蚀：装载好待腐蚀的晶圆，通过喷头对晶圆背面特定区域喷洒腐蚀液，对晶圆背面局部进行微量腐蚀。
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公开(公告)号：CN215339580U
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202120627743.7
申请日：2021-03-29
Applicant: 厦门大学
IPC: G01N23/04 , G01N23/20058 , G01N23/20008 , G01N27/416 , G01N27/30
Abstract: 本实用新型属于电化学芯片技术领域，具体涉及一种透射电镜电化学检测芯片，包括上片和下片，上片和下片都为正反面都设有绝缘层的硅基片，上片的正面与下片的正面通过粘结层固定粘结，上片、下片和粘结层共同构成一腔室；上片上设有注样口和第一视窗，下片上设有工作电极、参比电极、对电极、第二视窗和温度计，工作电极、参比电极和对电极都搭设在第二视窗上。本实用新型提供的透射电镜电化学检测芯片的下片设置有温度计，温度计可以用于实时监控反应温度，便于使用者更好地了解电化学反应吸放热反应类型以及温度对电化学反应的影响。
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公开(公告)号：CN212932446U
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202021651523.X
申请日：2020-08-11
Applicant: 厦门大学
IPC: G01N23/02 , G01N23/2202 , G01N1/42
Abstract: 本实用新型公开了一种透射电镜高分辨原位流体冷冻芯片。所述芯片的下片设置有支撑层、冷冻层、绝缘层，孔洞以及中心视窗；所述冷冻层设置有三个接触电极、六对半导体薄膜以及导电金属薄膜；中心视窗的外围有一圈导电金属薄膜，其中心为中心视窗；三个接触电极置于芯片边缘；六对半导体薄膜一端搭在导电金属薄膜上，另一端搭在电极上；以中心视窗为中心，且在大于导电金属薄膜的外边缘区域内，硅腐蚀掉后留有孔洞，支撑层覆盖在孔洞的上方；导电金属薄膜置于孔洞上的支撑层上，冷冻层除接触电极区域的上方覆盖绝缘层；中心视窗上均有多个小孔。所述芯片具有微区快速冷冻，分辨率高，样品漂移率低的优点。
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