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公开(公告)号：CN110556284B
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN201810563235.X
申请日：2018-06-04
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一发光二极管的芯片的制造方法和溅射方法，其中所述溅射方法包括如下步骤：光刻层叠于一底材的一光刻胶层，以使所述光刻胶层形成至少一溅射空间和环绕在所述溅射空间的四周的一防翘空间，其中所述防翘空间连通所述溅射空间；在溅射一成型材料于所述光刻胶层的所述溅射空间而形成结合于所述底材的一金属层时，所述防翘空间阻止所述成型材料进入于其内；以及去除所述光刻胶层，以完成在所述底材的表面溅射所述金属层的所述溅射方法。
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公开(公告)号：CN114512592A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202210144087.4
申请日：2022-02-17
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种倒装LED芯片及其制备方法、LED封装体及显示装置，包括绝缘衬底和通过键合工艺倒装固定于所述绝缘衬底表面的发光结构，其中，所述绝缘衬底设有若干个贯穿所述绝缘衬底且相互独立的金属填充孔，第一电极和第二电极通过键合工艺分别与所述绝缘衬底的金属填充物键合形成一体；也即通过金属填充孔型绝缘衬底的使用，可以实现第一电极和第二电极在键合过程中无需对准，减少了外延层的损失，藉以提升芯片亮度；同时，在封装过程中无需对电极进行打线，可以实现高可靠性无金线封装的LED显示装置。
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公开(公告)号：CN114068782A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202111360490.2
申请日：2021-11-17
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种倒装LED芯片及其制备方法，通过将所述外延叠层的局部区域蚀刻至部分所述的第一型半导体层形成凹槽及台面，且在所述凹槽的侧壁附有隔离层，所述隔离层包括透明绝缘材料；再者，通过金属反射层覆盖所述台面并延伸至所述隔离层的表面，使金属反射层通过所述隔离层与所述第一型半导体层和有源区相互隔离。通过隔离层的透明、绝缘效果，可以将反射层制作到外延叠层的凹槽侧壁，实现反射层面积的增大，从而提高LED芯片的发光亮度。
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公开(公告)号：CN110808318B
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN201911094190.7
申请日：2019-11-11
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请实施例提供一种倒装高压发光二极管及其制作方法，该制作方法先在所述P型氮化镓层和N型氮化镓层表面形成复合掩膜结构，再在所述复合掩膜结构表面形成光刻胶图形，从而利用光刻胶图形在复合掩膜结构中形成第一刻蚀孔，利用复合掩膜结构在N型氮化镓层表面形成第二刻蚀孔，从而避免直接利用光刻胶层在N型氮化镓层中制作第二刻蚀孔导致光刻胶图形的厚度较大引起的深刻蚀槽的制作不易控制，容易出现刻蚀角度一致性差的问题，提高倒装高压二极管的可靠性。
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公开(公告)号：CN110085619B
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN201910360845.4
申请日：2019-04-30
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种垂直高压发光二极管芯片及其制作方法，其中。通过垂直高压发光二极管芯片的设计，将第一芯片区处的背面电极通过开孔和键合层与导电基板电连接，进而无需在第一芯片区进行刻蚀而裸露其背面电极，保证垂直高压发光二极管芯片的有效发光面积较大；以及，第一芯片区的背面电极不需要打线，节省了成本，提高了可靠性；另外，每一芯片区电流扩展都为垂直方向，且第一芯片区的背面电极与第N芯片区的正面电极形成垂直结构，使得垂直高压发光二极管芯片的电流扩展较好，进而能够避免电流拥堵而提高电流耐受能力；此外，垂直高压发光二极管芯片的光型较好，符合朗伯分布而更易于配光。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112467007A
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN202011552914.0
申请日：2020-12-24
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种Mini LED芯片及其制作方法，位于第一类型半导体层与第一键合电极之间并没有通过相应辅助扩展电极相连接，即在电极接触镂空处并没有制作辅助扩展电极于此处裸露的第一类型半导体层表面上，进而避免了由于辅助扩展电极存在引起的扩大电极接触镂空占用面积问题，保证了发光区的面积大，提高了Mini LED芯片的发光效率。进一步的，由于本发明提供的技术方案无需制作辅助扩展电极，进而避免了由于辅助扩展电极的存在而引入制备的第一键合电极的平整度差及绝缘隔离反射层覆盖效果差的问题，进而提高了Mini LED芯片的可靠性，且同时保证Mini LED芯片的发光角度达到预期的效果。
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公开(公告)号：CN110299436B
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN201910588755.0
申请日：2019-07-02
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种倒装发光二极管芯片及其制作方法，其中，在透明衬底的生长表面制备倒装发光结构阵列完毕后，自背表面一侧对透明衬底进行减薄裸露出变质层，使得倒装发光二极管芯片的出光面为粗化表面，改善了透明衬底和空气的折射率影响，进而提高倒装发光二极管芯片的出光效率；同时，本发明提供的变质层在制作倒装发光结构阵列前形成，在透明衬底较厚的情况下进行倒装发光结构阵列的制作，进而减小了制作过程中透明衬底碎裂的几率，并且在对透明衬底进行减薄裸露变质层后，无其他结构制作，而是直接进行裂片工艺，进一步减小了制作过程中透明衬底碎裂的几率，最终提高了制作过程中的生产效率。
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公开(公告)号：CN110931620A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201911366387.1
申请日：2019-12-26
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种Mini LED芯片及其制作方法，位于第一类型半导体层与第一键合电极之间并没有通过相应辅助扩展电极相连接，即在电极接触镂空处并没有制作辅助扩展电极于此处裸露的第一类型半导体层表面上，进而避免了由于辅助扩展电极存在引起的扩大电极接触镂空占用面积问题，保证了发光区的面积大，提高了Mini LED芯片的发光效率。进一步的，由于本发明提供的技术方案无需制作辅助扩展电极，进而避免了由于辅助扩展电极的存在而引入制备的第一键合电极的平整度差及绝缘隔离反射层覆盖效果差的问题，进而提高了Mini LED芯片的可靠性，且同时保证Mini LED芯片的发光角度达到预期的效果。
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公开(公告)号：CN110808318A
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201911094190.7
申请日：2019-11-11
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请实施例提供一种倒装高压发光二极管及其制作方法，该制作方法先在所述P型氮化镓层和N型氮化镓层表面形成复合掩膜结构，再在所述复合掩膜结构表面形成光刻胶图形，从而利用光刻胶图形在复合掩膜结构中形成第一刻蚀孔，利用复合掩膜结构在N型氮化镓层表面形成第二刻蚀孔，从而避免直接利用光刻胶层在N型氮化镓层中制作第二刻蚀孔导致光刻胶图形的厚度较大引起的深刻蚀槽的制作不易控制，容易出现刻蚀角度一致性差的问题，提高倒装高压二极管的可靠性。
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公开(公告)号：CN107275446B
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201710613467.7
申请日：2017-07-25
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种LED芯片及其制作方法，该LED芯片包括：衬底；设置在衬底上的外延结构，外延结构包括依次设置的N型半导体层、量子阱发光层以及P型半导体层；外延结构的预设区域具有凹槽，凹槽用于露出部分N型半导体层；P型半导体层具有第一区域、第二区域以及第三区域；覆盖第一区域的第一透明导电层；覆盖第二区域以及部分第一透明导电层的电流阻挡层；覆盖另一部分第一透明导电层、第三区域以及部分电流阻挡层的第二透明导电层；覆盖另一部分电流阻挡层的P电极；设置在凹槽内，与N型半导体层电连接的N电极。本发明技术方案解决了LED芯片中电流扩散不均匀问题，提高了LED芯片发光的均匀性。
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