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公开(公告)号：CN107689407B
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201710719615.3
申请日：2017-08-21
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种LED芯片及其制作方法，该LED芯片包括：衬底；设置在衬底上的外延结构；其中，外延结构分为多个LED原胞；外延结构的四周侧壁具有侧壁沟槽，侧壁沟槽用于降低光线在所述LED原胞内的全发射；相邻两个LED原胞之间具有原胞沟槽，通过原胞沟槽的底部露出衬底，所述原胞沟槽降低光线在所述LED原胞内的全反射以及漏电流；设置在原胞沟槽内的绝缘层；覆盖绝缘层的连接电极，连接电极电连接相邻的两个LED原胞。本发明技术方案中，通过侧壁沟槽降低光线在所述LED原胞内的全发射，通过原胞沟槽降低光线在所述LED原胞内的全反射以及漏电流，可以提高发光效率、降低漏电率以及提高外量子效率。
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公开(公告)号：CN109244209A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201810885637.1
申请日：2018-08-06
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一发光二极管的倒装芯片及其制造方法和蚀刻方法，其中所述倒装芯片包括一外延单元、层叠于所述外延单元的一反射层、层叠于所述外延单元且包覆所述反射层的一防扩散层、层叠于所述防扩散层的一第一绝缘层、层叠于所述第一绝缘层的一电流扩展层以及层叠于所述电流扩展层的一电极组，其中所述第一绝缘层具有多个连接针通道，以供容纳所述电流扩展层的连接针，其中所述第一绝缘层的用于形成所述连接针通道的内壁为多段式内壁，通过这样的方式，能够扩大所述第一绝缘层于所述电流扩展层的结合面积，从而提高所述倒装芯片的可靠性。
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公开(公告)号：CN107863432A
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201711187616.4
申请日：2017-11-24
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/387 , H01L33/14
Abstract: 本申请提供一种提升LED性能的LED制备方法及LED芯片，制备方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成图形化欧姆接触层，图形化欧姆接触层为GaxIn(1-x)N材质；在图形化欧姆接触层以及第二型半导体层上形成电流扩展层；其中，电流扩展层与欧姆接触层的厚度总和小于或等于 由于通过控制欧姆接触层中In和Ga组分，能够使其具有相对于电流扩展层更高的横向电导率、与第二型半导体层之间的欧姆接触特性以及合适的折射率、可见光波段下透射效果好等特性，使得本发明中能够采用图形化欧姆接触层代替部分厚度的电流扩展层实现电流扩展的功能从而提高LED芯片的出光率。
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公开(公告)号：CN107863432B
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201711187616.4
申请日：2017-11-24
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请提供一种提升LED性能的LED制备方法及LED芯片，制备方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上形成图形化欧姆接触层，图形化欧姆接触层为GaxIn(1‑x)N材质；在图形化欧姆接触层以及第二型半导体层上形成电流扩展层；其中，电流扩展层与欧姆接触层的厚度总和小于或等于由于通过控制欧姆接触层中In和Ga组分，能够使其具有相对于电流扩展层更高的横向电导率、与第二型半导体层之间的欧姆接触特性以及合适的折射率、可见光波段下透射效果好等特性，使得本发明中能够采用图形化欧姆接触层代替部分厚度的电流扩展层实现电流扩展的功能从而提高LED芯片的出光率。
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公开(公告)号：CN107369747B
公开(公告)日：2018-12-25
申请号：CN201710774112.6
申请日：2017-08-31
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种LED芯片及其制备方法，其中，所述LED芯片制备方法在对衬底进行隐形切割之前，首先在衬底背离外延单元一侧表面形成ODR介质层，以避免全角度反射镜的ODR反射层对隐形切割激光的反射导致的隐形切割工艺无法进行的问题；然后再进行ODR反射层的制备，以和ODR介质层构成所述全角度反射层；最后对衬底进行劈裂，从而获得多个LED芯片，实现了将全角度反射镜与隐形切割技术结合以制备亮度较高的LED芯片的目的。并且由于隐形切割工艺介于ODR介质层和ODR反射层的形成工艺之间，避免了直接对衬底进行隐形切割而可能导致的破片率较高的问题，提升了LED芯片的制备良率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108231961A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201810088382.6
申请日：2018-01-30
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/0062
Abstract: 本发明公开了一种LED芯片结构的制作方法，通过在通孔的侧壁以及暴露出的透明导电层的表面以及暴露出的第二型半导体层的表面以及电极凹槽的底部沉积Al层，合金完成后，以使在透明导电层表面的Al层与透明导电层进行掺杂形成掺杂膜层，该掺杂膜层相比较纯的透明导电层的方阻更低，与第二型半导体层之间的接触电阻更高，且在第二型半导体层表面的Al层形成Al2O3层，即绝缘层，进而可以实现电流在透明导电层保留位置强制分布的需求。也就是说，实现在透明导电层开孔位置电流阻挡以及透明导电层保留位置电流扩散的目的，实现电流的强制分布，通过设计不同的开孔位置实现电流在芯片不同位置电流均匀分布。
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公开(公告)号：CN107799635A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201711027110.7
申请日：2017-10-27
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
CPC classification number: H01L33/145 , H01L33/0075 , H01L33/38
Abstract: 本发明提供了一种LED芯片电极结构及其制造方法，该LED芯片电极包括：外延层、透明导电层、电流阻挡层以及电极，其中，外延层置于衬底之上，透明导电层设置在外延层上。电流阻挡层设置在透明导电层上，电极设置在电流阻挡层上，且，电极的面积大于电流阻挡层的面积。相较传统结构，本设计方案电流阻挡层面积小于电极面积，避免了低折射率电流阻挡层夹在高折射率的氮化镓与透明导电层之间而影响光出射效率，能够提升芯片外量子效率。同时由于电流阻挡层图形与电极图形相近，可以使用多层沉积的方式实现电极与电流阻挡层同一道光刻制作图形，降低芯片制造成本。
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公开(公告)号：CN107768496A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201710895982.9
申请日：2017-09-28
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请提供了一种LED倒装芯片、制备方法及LED晶片，其中，该LED倒装芯片包括：衬底，依次形成于所述衬底上的外延结构和反射层，所述外延结构包括依次形成于所述衬底上的N型层、发光层、P型层，所述外延结构包括多个暴露所述N型层的接触孔，所述反射层暴露所述接触孔，所述反射层包括反射电极层；所述接触孔内形成有与所述P型层彼此绝缘的辅助电极，所述辅助电极用于与所述LED倒装芯片的N电极电连接；其中，所述辅助电极包括与所述反射电极层同层形成的第一辅助电极。本申请实施例通过在接触孔上设置辅助电极，该辅助电极包括与反射电极层同层形成的第一辅助电极，能够提高对光的反射。
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公开(公告)号：CN109244209B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN201810885637.1
申请日：2018-08-06
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一发光二极管的倒装芯片及其制造方法和蚀刻方法，其中所述倒装芯片包括一外延单元、层叠于所述外延单元的一反射层、层叠于所述外延单元且包覆所述反射层的一防扩散层、层叠于所述防扩散层的一第一绝缘层、层叠于所述第一绝缘层的一电流扩展层以及层叠于所述电流扩展层的一电极组，其中所述第一绝缘层具有多个连接针通道，以供容纳所述电流扩展层的连接针，其中所述第一绝缘层的用于形成所述连接针通道的内壁为多段式内壁，通过这样的方式，能够扩大所述第一绝缘层于所述电流扩展层的结合面积，从而提高所述倒装芯片的可靠性。
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公开(公告)号：CN110137201B
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN201910441110.4
申请日：2019-05-24
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本申请提供了一种显示屏灯珠装置、集成式二极管芯片及制备方法，其中，该集成式二极管芯片包括：支撑衬底；位于所述支撑衬底上的键合结构；位于所述键合结构内且间隔设置的反射结构；位于所述键合结构上且与每个反射结构对应的发光单元；位于每个所述发光单元上的第一电极，以及位于所述支撑衬底背面的第二电极；相邻两个发光单元之间设置的凸出所述发光单元的反射堤坝；在至少两个发光单元上设置的包覆位于该发光单元上的光转换膜，不同发光单元上的光转换膜用于对接收的光进行不同颜色的转换。本申请实施例能够降低显示屏灯珠体积，从而提高显示屏的分辨率。
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