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公开(公告)号：CN119653938A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411831996.0
申请日：2024-12-12
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H10H20/815 , H10H20/84 , H10H20/01
Abstract: 本发明提供了一种LED外延片及其制作与分离方法，其中，LED外延片在蓝宝石衬底和外延叠层之间设有第一牺牲层和U型GaN层，其中，第一牺牲层设置于蓝宝石衬底的部分表面，U型GaN层通过层叠于蓝宝石衬底表面的方式覆盖第一牺牲层，由于U型GaN层可吸收激光能量，能被激光分解，为形成间隙通道使腐蚀溶液通过间隙通道溶解第一牺牲层提供条件，可高效、低成本的实现蓝宝石衬底的无损剥离，使蓝宝石衬底可重复回收利用，还可避免现有剥离工艺破坏外延叠层而造成漏电率增加，良率较低等问题，进而提高LED芯片可靠性及良率。
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公开(公告)号：CN119050234A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411318844.0
申请日：2024-09-21
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种通孔型垂直结构LED芯片及其制作方法，其中，通孔型垂直结构LED芯片在导电基板一侧设置金属键合层、绝缘层、欧姆接触层、反射结构以及外延叠层；其中，在介质膜层背离外延叠层的一侧表面设有图形化的粘附结构，且粘附结构同时还与金属反射层及欧姆接触层形成连接，图形化的粘附结构可在不影响出光效果的同时能提高介质膜层、金属反射层及欧姆接触层三者之间的粘附效果,避免因金属反射镜与介质膜层之间的粘附性差造成外延脱落的问题，可用来提高芯片的可靠性和稳定性，进而提高LED芯片良率，其工艺制作简单、便捷，便于生产化。
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公开(公告)号：CN118472133A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410201658.2
申请日：2024-02-23
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种高压LED芯片及其制作方法，将第一发光外延至第N发光外延沿第一方向上叠层设置，由此使得高压LED芯片的整体面积与单个发光外延的面积的差异相差较小，进而在将所有发光外延串联电连接而实现高压LED芯片的功能基础上，有效减小了高压LED芯片的面积，利于高压LED芯片的集成封装。同时，本发明提供的第一发光外延至第N发光外延可以进行相同发光颜色的设计，以实现高压LED芯片的发光强度的提升。或者第一发光外延至第N发光外延还可以设计为至少一个发光颜色与其他不同以实现混光，从而实现更加丰富的出光效果。
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公开(公告)号：CN118033979A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410357080.X
申请日：2024-03-27
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: G03F7/09
Abstract: 本发明提供一种复合膜层、光刻方法及系统、LED芯片及其制造方法，本发明的复合膜层通过在光刻胶层内部或者至少一侧表面设置图形化的波长转换部，用第一光源照射波长转换部后，波长转换部激发形成比第一光源波长更短的第二光源对光刻胶层进行图案化曝光，不仅在曝光光刻胶层时可以免去掩模版的使用，而且波长转换部吸收第一光源激发出波长更短的第二光源曝光光刻胶层，能够提高光刻精度。光刻方法及系统采用上述的复合膜层实现光刻胶层的图案化。LED芯片及其制造方法采用上述光刻系统实现光刻胶层的图案化。
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公开(公告)号：CN117153985A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202310469186.4
申请日：2023-04-27
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种垂直结构LED芯片及其制作方法，在所述外延叠层表面通过介质层+金属反射层的配合形成了ODR全方向反射镜，使光线被反射后从LED芯片的上表面取出，有效地提升了芯片整体反射率、增加了光提取效率；同时，通过嵌入所述集成金属层，在制作集成金属层的过程中采用含Au金属材料，并通过蚀刻的方式裸露出集成金属层中的部分表面，该裸露部分承担PAD功能，可以实现与外部的电连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116504893A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310700041.0
申请日：2023-06-14
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种抗静电的垂直结构LED芯片及其制作方法，通过设置非故意掺杂层，减少垂直结构LED芯片的晶格失配，并利用其具有高电阻及背景载流子的特性，由导电基板、金属键合层、第一型半导体层、非故意掺杂层以及第一电极构成静电释放通道，用于垂直结构LED芯片反向电压保护，来提高垂直结构LED芯片的抗静电能力，其工艺制作简单、便捷，便于生产化。
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公开(公告)号：CN115939282A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211741516.2
申请日：2022-12-29
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种LED芯片及其制作方法，通过：在所述基板与所述外延叠层之间设有金属键合层、绝缘层、金属连接层、粘附层、金属反射层、介质层；所述介质层设置所述外延叠层朝向所述基板的一侧，并延伸至所述外延叠层的通孔侧壁；且，所述介质层具有裸露所述第二型半导体层的介质孔；所述金属反射层通过层叠于所述介质层表面的方式，形成于所述外延叠层的水平表面；所述粘附层设置于所述金属反射层的边缘；所述金属连接层通过覆盖所述粘附层的方式，与所述金属反射层形成接触。从而，实现了在所述金属反射层边缘的上下表面都具有限制效果的材料层，可避免化学试剂侵蚀所述金属反射层，以很好地保护金属反射层与介质层在边缘处的图形完整性。
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公开(公告)号：CN115663082A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211157163.1
申请日：2022-09-22
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种通孔式垂直结构LED芯片及其制作方法，通过：在所述发光台面设置所述第二金属反射镜、电流阻挡层，使所述集成金属层层叠于所述第二金属反射镜及电流阻挡层背离所述外延叠层的一侧表面，并通过所述介质型DBR反射镜覆盖所述集成金属层、第二金属反射镜以及电流阻挡层；从而通过所述介质型DBR反射镜作为所述第二金属反射镜以及电流阻挡层的反射结构，实现了LED芯片发光台面的补充反射。其次，所述介质型DBR反射镜嵌入所述通孔侧壁作为所述第一金属反射镜与所述外延叠层之间的绝缘层的同时，通过所述DBR反射镜结合所述第一金属反射镜，极大地提升了LED芯片的发光效率。
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公开(公告)号：CN115621384A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211202265.0
申请日：2022-09-29
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种高压LED芯片及其制作方法，将所述发光结构通过分割道形成相互独立的第一发光结构和第二发光结构；并通过导电衬底、电极连通层和第一电极的设置，使所述第一发光结构形成垂直LED芯片；通过所述键合层嵌入所述通孔与对应所述的第一型半导体层形成接触，使所述第二发光结构形成通孔结构的LED芯片；其次，通过第二绝缘层的设置，使所述电极连通层与所述第二电极层在所述分割道上方连接，从而实现了所述第一发光结构和第二发光结构的串联。如此，使两发光结构无需通过台阶即可实现桥接，大大提升了高压LED芯片的可靠性；同时，分割道在反面LED单元化刻蚀时同步形成，无需增加额外工艺，简化高压LED芯片的制备工艺。
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公开(公告)号：CN114864625A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210656195.X
申请日：2022-06-10
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种集成式LED芯片及其制作方法，集成式LED中的各LED发光单元具有一个共电极，且另一电极焊盘分布在集成式LED芯片的四周且通过第二金属层(即电极引线)与各LED发光单元连接，且所述LED发光单元的电极引线通过所述第一绝缘层与邻近的LED发光单元相互隔离的方式引出至导电基板的边缘，各自独立设置，进而可实现各LED发光单元的灵活控制。因此，基于上述设置，第二金属层既可以与各发光单元的第二半导体层实现电连接，也可充当引线，实现与集成式LED四周电极焊盘的电连接，在晶片端即完成电极引线和电极焊盘的布局，实现一体封装，可有效节省产品制作工艺及人工成本。
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