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公开(公告)号：CN103972187B
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201310044156.5
申请日：2013-02-04
Applicant: 原相科技股份有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/495 , H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/11 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提出一种芯片封装及其制造方法。芯片封装包含：半导体芯片，具有相对的上表面及下表面；金属导热层，形成于下表面上，用以吸收半导体芯片所产生的热量；以及焊垫，形成于上表面上，用以电连接至半导体芯片中的电路。
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公开(公告)号：CN103972187A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201310044156.5
申请日：2013-02-04
Applicant: 原相科技股份有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/495 , H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/11 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提出一种芯片封装及其制造方法。芯片封装包含：半导体芯片，具有相对的上表面及下表面；金属导热层，形成于下表面上，用以吸收半导体芯片所产生的热量；以及焊垫，形成于上表面上，用以电连接至半导体芯片中的电路。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108074874B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201610999455.8
申请日：2016-11-14
Applicant: 原相科技股份有限公司
IPC: H01L23/057
Abstract: 本发明公开一种光学组件封装结构，其包括一远红外线感测芯片、一第一金属层、一封装壳体以及一盖体。远红外线感测芯片包括一半导体基板和一半导体堆栈结构。半导体基板具有一第一表面、一相对第一表面的一第二表面以及一空腔。半导体堆栈结构配置于半导体基板的第一表面上，且部分半导体堆栈结构位于空腔上方。第一金属层配置于半导体基板的第二表面，封装壳体封装远红外线感测芯片并暴露出至少部分的远红外线感测芯片，且盖体配置于半导体堆结构的上方。本发明的光学组件封装结构，得以延长产品的使用寿命，并呈现良好的信噪比，除了提升感测芯片量测时的精确度，也能够达到薄型化的需求，因而使生产成本降低。
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公开(公告)号：CN106531749A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201510581949.X
申请日：2015-09-14
Applicant: 原相科技股份有限公司
IPC: H01L27/144
Abstract: 本公开提供一种感测芯片封装结构及其制造方法。感测芯片封装结构包括载板、感测芯片及线路层。感测芯片设置于载板上，其中感测芯片具有一顶面，以及由顶面凹陷而形成的至少一凹陷部，且顶面设有一主动区，凹陷部位于主动区的一侧。凹陷部的深度介于100μm至400μm。线路层形成于感测芯片上，以电性连接于主动区，其中至少部分线路层由主动区延伸至凹陷部的一侧壁面及一底面。
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公开(公告)号：CN108074874A
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201610999455.8
申请日：2016-11-14
Applicant: 原相科技股份有限公司
IPC: H01L23/057
Abstract: 本发明公开一种光学组件封装结构，其包括一远红外线感测芯片、一第一金属层、一封装壳体以及一盖体。远红外线感测芯片包括一半导体基板和一半导体堆栈结构。半导体基板具有一第一表面、一相对第一表面的一第二表面以及一空腔。半导体堆栈结构配置于半导体基板的第一表面上，且部分半导体堆栈结构位于空腔上方。第一金属层配置于半导体基板的第二表面，封装壳体封装远红外线感测芯片并暴露出至少部分的远红外线感测芯片，且盖体配置于半导体堆结构的上方。本发明的光学组件封装结构，得以延长产品的使用寿命，并呈现良好的信噪比，除了提升感测芯片量测时的精确度，也能够达到薄型化的需求，因而使生产成本降低。
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公开(公告)号：CN114429949A
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202110653710.4
申请日：2021-06-11
Applicant: 原相科技股份有限公司
IPC: H01L25/16 , H01L31/0203 , H01L33/54 , H01L33/62
Abstract: 一种包含基板、基底层、光检测区、光源以及遮光墙的光传感器封装。所述基底层配置于所述基板上。所述光检测区及所述光源配置于所述基底层上。所述遮光墙配置于所述基底层上并介于所述光检测区及所述光源之间，以阻挡从所述光源直接朝向所述光检测区传递的光。
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公开(公告)号：CN105097854A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201410704352.5
申请日：2014-11-27
Applicant: 原相科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1462 , H01L27/14609 , H01L27/14618 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14629 , H01L27/14636 , H01L27/14643 , H01L27/14685
Abstract: 一种具有改善光吸收效率的前感光式半导体结构，其可通过在前感光式半导体结构底层附加一层光反射层来提高光吸收效率；其中，该反射层可在封装过程或半导体工艺中制作。
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