公开(公告)号：CN1527360A

公开(公告)日：2004-09-08

申请号：CN200410028208.0

申请日：2004-03-08

Applicant: 卡西欧计算机株式会社 ,  住友重机械工业株式会社

Inventor： 松本广 ,  森川茂 ,  工藤利雄

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/324 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/02683 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1285

Abstract: 本发明提供一种半导体薄膜的制造方法。将非晶硅薄膜的膜厚设定为通过内部的光干涉使激光束的吸收率大致达到峰值的膜厚如62nm，比较试样的非晶薄膜的膜厚设定为45nm，如果照射将Nd：YLF激光束变换成2次高次谐波的Nd：YLF/SGH(脉冲振荡、波长527nm)激光束，用实线表示的本发明试样的光吸收率大于用虚线表示的比较试样的光吸收率28％，达到54％，光吸收率大幅度增加。

公开(公告)号：CN1830067A

公开(公告)日：2006-09-06

申请号：CN200480015254.5

申请日：2004-06-02

Applicant: 住友重机械工业株式会社

Inventor： 工藤利雄 ,  水野文二 ,  佐佐木雄一朗 ,  金成国

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01L21/26506 ,  H01L21/2236 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/268 ,  H01L29/6659

Abstract: 本发明提供一种可以减小表面电阻变化的激光退火方法。在由半导体材料构成的基板的深度比100nm浅的表层部添加杂质。对基板照射从激光二极管激励型全固体激光振荡器射出的激光束或其高次谐波束，使杂质活性化。

公开(公告)号：CN1708831A

公开(公告)日：2005-12-14

申请号：CN200380102421.5

申请日：2003-10-14

Applicant: 住友重机械工业株式会社

Inventor： 工藤利雄 ,  清家幸治 ,  山崎和则

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/268

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/268

Abstract: 提供一个表面上具有由非晶态材料制成的薄膜的工件。向该薄膜施加脉冲激光束，该脉冲激光束在沿该薄膜的表面上沿一个方向具有细长形光束截面，通过该脉冲激光束，该薄膜被熔融，之后使该薄膜凝固。在第一带状区域内连续形成沿光束截面的长轴方向排成链的晶粒，该第一带状区域沿光束入射区域的长轴方向延伸，并处在光束入射区域中位于其中心线与沿长轴方向延伸的光束入射区域的边界之间的区域中，且与所述边界和中心线隔开一定距离。

公开(公告)号：CN100514561C

公开(公告)日：2009-07-15

申请号：CN200710142345.0

申请日：2003-10-14

Applicant: 住友重机械工业株式会社

Inventor： 工藤利雄 ,  清家幸治 ,  山崎和则

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/268

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/268

Abstract: 本发明涉及利用激光制造结晶膜的方法。根据本发明，首先提供一个表面上具有由非晶态材料制成的薄膜的工件。接着，向该薄膜施加脉冲激光束，该脉冲激光束在沿该薄膜的表面上沿一个方向具有细长形光束截面，通过该脉冲激光束，该薄膜被熔融，之后使该薄膜凝固。在第一带状区域内连续形成沿光束截面的长轴方向排成链的晶粒，该第一带状区域沿光束入射区域的长轴方向延伸，并处在光束入射区域中位于其中心线与沿长轴方向延伸的光束入射区域的边界之间的区域中，且与所述边界和中心线隔开一定距离。通过上述方式，本发明可以很方便地获得大晶粒。

公开(公告)号：CN100426464C

公开(公告)日：2008-10-15

申请号：CN200480015254.5

申请日：2004-06-02

Applicant: 住友重机械工业株式会社

Inventor： 工藤利雄 ,  水野文二 ,  佐佐木雄一朗 ,  金成国

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01L21/26506 ,  H01L21/2236 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/268 ,  H01L29/6659

Abstract: 本发明提供一种可以减小表面电阻变化的激光退火方法。在由半导体材料构成的基板的深度比100nm浅的表层部添加杂质。对基板照射从激光二极管激励型全固体激光振荡器射出的激光束或其高次谐波束，使杂质活性化。

公开(公告)号：CN100378919C

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN200380102421.5

申请日：2003-10-14

Applicant: 住友重机械工业株式会社

Inventor： 工藤利雄 ,  清家幸治 ,  山崎和则

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/268

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/268

Abstract: 提供一个表面上具有由非晶态材料制成的薄膜的工件。向该薄膜施加脉冲激光束，该脉冲激光束在沿该薄膜的表面上沿一个方向具有细长形光束截面，通过该脉冲激光束，该薄膜被熔融，之后使该薄膜凝固。在第一带状区域内连续形成沿光束截面的长轴方向排成链的晶粒，该第一带状区域沿光束入射区域的长轴方向延伸，并处在光束入射区域中位于其中心线与沿长轴方向延伸的光束入射区域的边界之间的区域中，且与所述边界和中心线隔开一定距离。

公开(公告)号：CN101145518A

公开(公告)日：2008-03-19

申请号：CN200710142345.0

申请日：2003-10-14

Applicant: 住友重机械工业株式会社

Inventor： 工藤利雄 ,  清家幸治 ,  山崎和则

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/268

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/268

Abstract: 本发明涉及结晶膜以及利用激光制造结晶膜的方法。根据本发明，首先提供一个表面上具有由非晶态材料制成的薄膜的工件。接着，向该薄膜施加脉冲激光束，该脉冲激光束在沿该薄膜的表面上沿一个方向具有细长形光束截面，通过该脉冲激光束，该薄膜被熔融，之后使该薄膜凝固。在第一带状区域内连续形成沿光束截面的长轴方向排成链的晶粒，该第一带状区域沿光束入射区域的长轴方向延伸，并处在光束入射区域中位于其中心线与沿长轴方向延伸的光束入射区域的边界之间的区域中，且与所述边界和中心线隔开一定距离。通过上述方式，本发明可以很方便地获得大晶粒。