公开(公告)号：CN104520232B

公开(公告)日：2017-11-10

申请号：CN201380036483.4

申请日：2013-07-10

Applicant: 卡尔拜斯有限公司

Inventor： B·A·蔻拉

IPC: C01B32/162

CPC classification number: B01J23/745 ,  B01J21/02 ,  B01J23/42 ,  B01J23/44 ,  B01J23/464 ,  B01J23/466 ,  B01J23/468 ,  B01J23/72 ,  B01J23/75 ,  B01J23/755 ,  B01J35/0006 ,  B01J35/02 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/162 ,  C01B2202/08 ,  C09K5/14 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/81 ,  Y10T428/12431 ,  Y10T428/12493 ,  Y10T428/12576 ,  Y10T428/12611 ,  Y10T428/24975 ,  Y10T428/25 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/30

Abstract: 本发明提供用于CNT阵列的生长和/或支撑的多层衬底。这些多层衬底既促进致密垂直排列型CNT阵列的生长又提供所述CNT与金属表面之间的极好粘附。还提供使用多层衬底形成的碳纳米管阵列，其展现高热导率和极好的耐久性。这些阵列可用作热界面材料。