公开(公告)号：CN113990874B

公开(公告)日：2022-09-02

申请号：CN202111181423.4

申请日：2021-10-11

Applicant: 南通大学

Inventor： 张诗俊 ,  耿成铎 ,  仲崇贵 ,  董正超

IPC: H01L27/11507 ,  C01B33/04 ,  C23C14/06 ,  C23C14/34 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明公开了一种基于应变调控实现单侧半氢化硅烯铁电性的结构设计，通过对二维单原子层单侧半氢化硅烯（Si2H）进行应变调控，在不影响铁电极化的前提下降低极化翻转势垒，试图实现单侧半氢化硅烯由单纯的极化态向铁电态的转变，最终使其具备铁电性能；该结构不仅具有很好的稳定性，还大大缩小了信息存储单元，具有极化垂直于薄膜平面、容易读取和通过外场操控的特点。

公开(公告)号：CN113990874A

公开(公告)日：2022-01-28

申请号：CN202111181423.4

申请日：2021-10-11

Applicant: 南通大学

Inventor： 张诗俊 ,  耿成铎 ,  仲崇贵 ,  董正超

IPC: H01L27/11507 ,  C01B33/04 ,  C23C14/06 ,  C23C14/34 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明公开了一种基于应变调控实现单侧半氢化硅烯铁电性的结构设计，通过对二维单原子层单侧半氢化硅烯（Si2H）进行应变调控，在不影响铁电极化的前提下降低极化翻转势垒，试图实现单侧半氢化硅烯由单纯的极化态向铁电态的转变，最终使其具备铁电性能；该结构不仅具有很好的稳定性，还大大缩小了信息存储单元，具有极化垂直于薄膜平面、容易读取和通过外场操控的特点。