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公开(公告)号：CN115421017A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202211170388.0
申请日：2022-09-23
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: G01R31/26 , G01R19/257 , G01R19/00
Abstract: 本发明公开了一种适用于功率器件的可靠性测试电路及方法，包括：采样电路、控制电路、电平转换电路和驱动电路；所述采样电路用于与功率器件的栅极相连，采集功率器件的栅极电流；所述控制电路的输入端与所述采样电路相连，根据采样电路输出的栅极电流产生或不产生PWM信号；所述电平转换电路的输入端与所述控制电路的输出端，对控制电路输出的PWM信号进行电平转换；所述驱动电路的输入端与所述电平转换电路的输出端相连，其输出端用于与功率器件的栅极相连，控制功率器件的开/关。本发明利用PWM技术对被测功率器件的门极‑发射极/源极进行开关控制，在高温下，对功率器件进行HTGB可靠性考核。
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公开(公告)号：CN116400187A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310515717.9
申请日：2023-05-09
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司 , 国网江苏省电力有限公司电力科学研究院
IPC: G01R31/26 , G01R31/52 , G01R1/36 , G01R19/165
Abstract: 本发明公开一种IGBT器件的漏电可靠性自动检测电路和方法，该电路包括：PWM控制单元；HTGB测试回路和HTRB测试回路组成的互锁检测单元；其中，所述PWM控制单元与所述互锁检测单元连接，用于控制所述互锁检测单元中的HTGB测试回路和HTRB测试回路自动进行互锁测试；所述互锁检测单元，用于对IGBT器件进行HTGB和HTRB互锁检测，得到IGBT器件的栅极‑发射极漏电流或集电极‑发射极漏电流。本发明提供的IGBT器件的漏电可靠性自动检测电路和方法，既实现了HTGB测试和HTRB测试的自动检测，也在被考核器件漏电流过大时，保护了被考核器件器件，并且减少了设备冗余，简化了测试流程，降低了成本。
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公开(公告)号：CN115524595A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202211207969.7
申请日：2022-09-30
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司 , 国网福建省电力有限公司电力科学研究院
IPC: G01R31/26 , H03K7/08 , H03K17/567
Abstract: 本发明公开了一种功率器件的HTRB可靠性测试装置及方法，包括主测试电路、IGBT控制电路和采样保护电路，主测试电路包括被测功率器件、漏电流检测电阻、连接漏电流检测电阻的第一电压表、IGBT控制开关和电压源，采样保护电路的一端连接第一电压表，采样保护电路的另一端连接IGBT控制电路的一端，IGBT控制电路的另一端连接IGBT控制开关；通过采样保护电路采集与被测功率器件相连的漏电流检测电阻的电压，根据电压大小通过IGBT控制电路生成IGBT控制驱动信号，进而控制IGBT控制开关开通或关断，进行HTRB可靠性测试。本发明能够模拟功率器件的实际工况方式，实现更高效、更可靠的测试。
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公开(公告)号：CN114068501A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202111415555.9
申请日：2021-11-25
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
Abstract: 一种压接式功率器件内部结构，包括：集电极电路板、发射极电路板和PCB栅极电路板，所述集电极板设有若干个芯片子单元；所述发射极电路板设有导电缓冲层，每个芯片子单元通过凸台连接导电缓冲层，所述PCB栅极电路板连接所述导电缓冲层。针对刚性压接导通电路目前无法实现大面积大电流器件的限制，通过集成诺干个芯片封装为一个单元结构提高芯片的连接数量；针对弹性压接电流通路在器件短路时单个短路芯片的上方的导电臂大电流通路能力有限的缺点，本发明结构属于刚性压接结构可以克服短路同流问题。
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公开(公告)号：CN115877162A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211536414.7
申请日：2022-12-02
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种功率半导体模块结温在线评估方法及装置，属于电子器件电学和热学测量技术领域，方法包括：记录温度传感器处的瞬态温升曲线；记录芯片处的瞬态温降曲线；将芯片处的瞬态温降曲线转化为芯片处的瞬态温升曲线；根据芯片处的瞬态温升曲线和温度传感器处的瞬态温升曲线，计算芯片到温度传感器的瞬态热阻；根据预构建的热阻热容网络FOSTER模型，对芯片到温度传感器的瞬态热阻进行拟合，以获取芯片到温度传感器的瞬态热阻曲线；根据芯片到温度传感器的瞬态热阻曲线，计算芯片到温度传感器的脉冲热阻；根据芯片到温度传感器的脉冲热阻，计算功率半导体模块的结温。本发明通过芯片到温度传感器的脉冲热阻，能够计算功率半导体模块的结温。
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公开(公告)号：CN115128169A
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN202210885204.2
申请日：2022-07-26
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种用于IGBT模块的非浸入式超声扫描工装，水槽上开设用于容纳介质的槽体，槽体上开设用于卡接IGBT模块的IGBT模块通孔，IGBT模块通孔上设置有密封机构，顶升限位机构设置在槽体上；检测IGBT模块时，先将IGBT模块的底板通过密封机构密封安装在IGBT模块通孔处，顶升限位机构将IGBT模块紧紧抵靠在IGBT模块通孔处，然后向槽体中注入介质。本发明实现了IGBT模块产品超声扫描时无需浸泡在介质中，在水槽中注入介质即可进行超声波扫描成像，然后将介质从排水孔排出，IGBT模块的核心区域不接触介质，本发明很好地保护待检测的IGBT模块产品不受介质污染，同时避免水汽对IGBT模块产品的破坏，以及其他不可预测的隐患。
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公开(公告)号：CN116190335A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202211618940.8
申请日：2022-12-16
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种功率模块、功率器件及功率模块的制备方法，其中功率模块包括从上至下设置的盖板、侧框和基板；所述基板上设有衬板，衬板正面的第一导电区的一侧电连接芯片的集电极；所述芯片的栅极通过键合线电连接衬板正面的第二导电区，第二导电区电连接信号端弹簧针，信号端弹簧针电连接外置接口；所述芯片的发射极电连接导电片，导电片电连接导电桥臂；所述导电桥臂输出端电连接外置接口；所述导电桥臂抵连盖板，盖板外周设有紧固件，紧固件贯穿侧框与基板螺纹连接。本发明能够提高功率模块的导电桥臂的通流能力。
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公开(公告)号：CN112086372B
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202010995804.5
申请日：2020-09-21
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: H01L21/603 , H01L23/48
Abstract: 本发明公开了一种用于高结温功率模块芯片正面连接的封装材料结构层制作方法，包括以下步骤：S01，制作预成型平面型铜片或者铜排，其宽度小于芯片正面金属Pad宽度；S02，将铜片或者铜排表面通过印刷工艺将烧结银浆印刷在表面形成一层银膜；S03，将印刷后的铜片或者铜排在烘箱中固化，形成铜片银膜复合材料。本发明还提供的一种用于高结温功率模块芯片正面连接的封装材料结构层，由上述用于高结温功率模块芯片正面连接的封装材料结构层制作方法制作得到。本发明提供的一种用于高结温功率模块芯片正面连接的封装材料结构层及其制作方法，利于实现批量化生产，用于高结温功率模块芯片正面键合，实现在400摄氏度以上的高结温芯片的应用环境中。
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公开(公告)号：CN112086372A
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN202010995804.5
申请日：2020-09-21
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: H01L21/603 , H01L23/48
Abstract: 本发明公开了一种用于高结温功率模块芯片正面连接的封装材料结构层制作方法，包括以下步骤：S01，制作预成型平面型铜片或者铜排，其宽度小于芯片正面金属Pad宽度；S02，将铜片或者铜排表面通过印刷工艺将烧结银浆印刷在表面形成一层银膜；S03，将印刷后的铜片或者铜排在烘箱中固化，形成铜片银膜复合材料。本发明还提供的一种用于高结温功率模块芯片正面连接的封装材料结构层，由上述用于高结温功率模块芯片正面连接的封装材料结构层制作方法制作得到。本发明提供的一种用于高结温功率模块芯片正面连接的封装材料结构层及其制作方法，利于实现批量化生产，用于高结温功率模块芯片正面键合，实现在400摄氏度以上的高结温芯片的应用环境中。
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公开(公告)号：CN219936019U
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202321097251.7
申请日：2023-05-09
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司 , 国网江苏省电力有限公司电力科学研究院
IPC: G01R31/26 , G01R31/52 , G01R1/36 , G01R19/165
Abstract: 本实用新型公开一种IGBT器件的漏电可靠性自动检测电路，该电路包括：PWM控制单元；HTGB测试回路和HTRB测试回路组成的互锁检测单元；其中，所述PWM控制单元与所述互锁检测单元连接。本实用新型提供的IGBT器件的漏电可靠性自动检测电路，既实现了HTGB测试和HTRB测试的自动检测，也在被考核器件漏电流过大时，保护了被考核器件器件，并且减少了设备冗余，简化了测试流程，降低了成本。
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