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公开(公告)号：CN114068501A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202111415555.9
申请日：2021-11-25
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
Abstract: 一种压接式功率器件内部结构，包括：集电极电路板、发射极电路板和PCB栅极电路板，所述集电极板设有若干个芯片子单元；所述发射极电路板设有导电缓冲层，每个芯片子单元通过凸台连接导电缓冲层，所述PCB栅极电路板连接所述导电缓冲层。针对刚性压接导通电路目前无法实现大面积大电流器件的限制，通过集成诺干个芯片封装为一个单元结构提高芯片的连接数量；针对弹性压接电流通路在器件短路时单个短路芯片的上方的导电臂大电流通路能力有限的缺点，本发明结构属于刚性压接结构可以克服短路同流问题。
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公开(公告)号：CN114203661A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111431388.7
申请日：2021-11-29
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司 , 国网福建省电力有限公司电力科学研究院
IPC: H01L23/492 , H01L29/417 , H01L29/739
Abstract: 本发明公开了功率半导体器件技术领域的一种压接式半导体功率模块，包括发射极导体和M个发射极凸台，N个所述发射极凸台通过焊料焊接于发射极导体表面，且N≤M，所述焊料于焊接后形成焊层，所述焊层于发射极凸台和发射极导体间压力达到指定值时发生塑形变形，且发射极凸台和发射极导体中的杨氏模量均大于焊层的杨氏模量。本发明通过将发射极凸台通过焊料焊接于发射极导体表面，减小压接式IGBT模块工作状态下各芯片间应力不均衡现象，提升各芯片间的受力一致性及压接式模块可靠性。
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公开(公告)号：CN113725179A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202110849509.3
申请日：2021-07-27
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种弹性子模组及模组化压接型半导体模块，弹性子模组包括：导电片、绝缘弹性件和导电板；导电片为折弯成具有若干凹槽的弯折状导电片，导电片通过其凹槽卡接在绝缘弹性件上端，绝缘弹性件的下端接导电板；模组化压接型半导体模块，包括模块集电极板、芯片子模组、模块发射极板和弹性子模组；芯片子模组包括芯片、集电极导体、发射极导体；模块集电极板、集电极导体、芯片、发射极导体、弹性子模组、模块发射极板从上至下依次连接。优点：通过将芯片模组化的形式，可进一步降低热阻，提高模块的功率密度及电流等级；将芯片子单元模组化还能够降低物料成本与减少加工工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113725179B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202110849509.3
申请日：2021-07-27
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种弹性子模组及模组化压接型半导体模块，弹性子模组包括：导电片、绝缘弹性件和导电板；导电片为折弯成具有若干凹槽的弯折状导电片，导电片通过其凹槽卡接在绝缘弹性件上端，绝缘弹性件的下端接导电板；模组化压接型半导体模块，包括模块集电极板、芯片子模组、模块发射极板和弹性子模组；芯片子模组包括芯片、集电极导体、发射极导体；模块集电极板、集电极导体、芯片、发射极导体、弹性子模组、模块发射极板从上至下依次连接。优点：通过将芯片模组化的形式，可进一步降低热阻，提高模块的功率密度及电流等级；将芯片子单元模组化还能够降低物料成本与减少加工工序。
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公开(公告)号：CN118173545A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202211576821.0
申请日：2022-12-09
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种半刚性压接型半导体子模块，承压框架两端分别设置发射极金属凸块和底板；发射极金属凸块内置电路板；底板电连接多个芯片，每个芯片电连接一个金属片，多个芯片栅极电连接电路板；发射极金属凸块和承压框架之间通过导电板隔开，发射极金属凸块通过导电板电连接所有金属片。优点：设置了导电板，每颗芯片均电联接一起，热量可以分别横、纵向扩散，增加了导电片过热熔断的时间，同时提升器件的短路失效直通能力，提升了系统的安全性和可靠性。发射极金属凸块通过外力施加在导电板，受力位置避开导电板下方芯片上方的金属片，凸块隔着导电板的力作用在承压框架上，从而起到半刚性的压接效果。
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公开(公告)号：CN113851468A
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202111259374.1
申请日：2021-10-28
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
IPC: H01L25/07 , H01L23/495
Abstract: 本发明公开了一种模组化压接型半导体模块，包括：依次电连接的顶板、芯片单元组、弹性组件和底板，所述芯片单元组、弹性组件均有若干组；每一组芯片单元组上方设有一组所述弹性组件，每个弹性组件中设有不少于每组芯片单元组所包含的芯片个数的弹性件。优点：本发明的半导体模块通过模组化设计以及导电路径结构设计，能够提升导电能力、均流及降低热阻，弹性压接使得芯片之间受力均衡；模组化的设计还方便生产，方便根据需求配置模组个数。
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公开(公告)号：CN216849931U
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202122916327.1
申请日：2021-11-25
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司
Abstract: 本实用新型公开一种压接式功率器件内部结构，包括：集电极电路板、发射极电路板和PCB栅极电路板，所述集电极板设有若干个芯片子单元；所述发射极电路板设有导电缓冲层，每个芯片子单元通过凸台连接导电缓冲层，所述PCB栅极电路板连接所述导电缓冲层。针对刚性压接导通电路目前无法实现大面积大电流器件的限制，通过集成诺干个芯片封装为一个单元结构提高芯片的连接数量；针对弹性压接电流通路在器件短路时单个短路芯片的上方的导电臂大电流通路能力有限的缺点，本实用新型结构属于刚性压接结构可以克服短路同流问题。
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公开(公告)号：CN216849919U
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202122954178.8
申请日：2021-11-29
Applicant: 南瑞联研半导体有限责任公司 , 国网福建省电力有限公司电力科学研究院
IPC: H01L23/492 , H01L29/417 , H01L29/739
Abstract: 本实用新型公开了功率半导体器件技术领域的一种压接式半导体功率模块，包括发射极导体和M个发射极凸台，N个所述发射极凸台通过焊料焊接于发射极导体表面，且N≤M，所述焊料于焊接后形成焊层，所述焊层于发射极凸台和发射极导体间压力达到指定值时发生塑形变形，且发射极凸台和发射极导体中的杨氏模量均大于焊层的杨氏模量。本实用新型通过将发射极凸台通过焊料焊接于发射极导体表面，减小压接式IGBT模块工作状态下各芯片间应力不均衡现象，提升各芯片间的受力一致性及压接式模块可靠性。
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