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公开(公告)号：CN119403313A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202510000250.3
申请日：2025-01-02
Applicant: 南昌大学 , 南昌实验室 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC: H10H20/812 , H10H20/811 , H10H20/825 , H10H20/01 , H01L21/02 , H01L21/67
Abstract: 本发明涉及半导体器件技术领域，尤其是涉及一种LED量子阱的外延结构及其生长方法。包括有源层，有源层由多个单元结构周期性堆叠组成，每一单元结构包括依次生长的量子阱层、盖层和量子垒层，其中：量子阱层包括交替生长的铟镓氮层和处理层形成的超晶格结构。本发明的铟镓氮生长时间短，单层厚度为传统铟镓氮厚度的5%～15%，大幅减少了铟镓氮受到的压应力，提升了量子阱的晶体质量。并且，在短时间的铟镓氮生长后保持氨气和铟进行处理，可以减少氮空位缺陷，同时还能减少铟镓氮中铟的分解，减少了量子阱中的缺陷。本发明明显提升量子阱的晶体质量，显著提高了LED在小电流密度下的发光效率。
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公开(公告)号：CN118782592A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410108848.X
申请日：2024-01-26
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
Abstract: 本发明公开了一种可见光通信用的TO型封装阵列式光电探测器，阵列式光电探测器的芯片是由所有的单元芯片通过预设的电极线以并联的方式汇聚在公共的N型触点上，单元芯片以阵列形式分布在阵列式光电探测器的基底上，单元芯片的外延层为N‑GaN、InGaN/GaN量子阱、P‑GaN、互补电极、金属反射镜、钝化层、N电极和硅衬底；所述阵列式光电探测器为TO型封装结构，该结构包括TO管座、2个与TO管座径向相平行的圆孔形状的接地引脚和导通引脚以及玻璃镜片光窗尺寸可调的TO管帽，接地引脚和N型触点之间通过金丝键合线相连接。阵列式光电探测器芯片结合TO型封装能够有效提高光电探测器的性能，并且保障信号在进行光电转换时尽可能减小干扰，提高可见光通信的通信速率。
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公开(公告)号：CN118501641A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410148569.6
申请日：2024-02-02
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种基于散射参数测量LED载流子寿命方法，实现方案是：测试目标LED在不同直流偏置下的散射参数；基于目标LED的正向传输系数S21获得电光带宽，通过拟合电光带宽与电流密度得到的函数关系式，计算得到载流子寿命和RC时间常数之和与电流密度的关系式；通过LED等效电路的阻抗函数对目标LED的输入反射系数S11进行拟合，获得LED等效电路中各元件电学参数，并计算得到RC带宽；通过拟合RC带宽与电流密度得到的函数关系式，计算得到RC时间常数与电流密度的关系式；最后联立求解得到得到目标LED载流子寿命与电流密度的关系式。本发明可以实现测量电致发光下LED载流子寿命，可对LED载流子复合行为及机理研究以及LED调制特性研究提供一定帮助。
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公开(公告)号：CN119986975A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510337351.X
申请日：2025-03-21
IPC: G02B13/00 , G02B13/16 , G02B13/18 , G03B21/14 , F21S41/25 , F21S41/265 , F21W102/00 , F21W107/10
Abstract: 本发明提供了一种大靶面高像素投影镜头，具有正光焦度的第一透镜，像侧面与物侧面均为凸面；具有负光焦度的第二透镜，像侧面为凸面物侧面为凹面；具有负光焦度的第三透镜，物侧面为凹面；具有正光焦度的第四透镜，像侧面与物侧面均为凸面；具有正光焦度的第五透镜，像侧面为凸面物侧面为凹面，光阑位于所述第一透镜和所述第二透镜之间，第三透镜与第四透镜进行胶合组成胶合透镜组;第二透镜中心厚度CT2，投影镜头的半像高IH,满足0.3≤CT2/IH≤0.9。投影镜头可以满足大靶面高像素大视场角显示照明的同时兼顾良好的成像质量使用需求。
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公开(公告)号：CN119395123A
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN202411757588.5
申请日：2024-12-03
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
IPC: G01N27/62
Abstract: 本发明公开了一种氮化物材料痕量元素的二次离子质谱分析方法，收集二次离子中待测元素与氮元素形成的原子团簇型负离子的信号，代替收集该待测元素离子，通过所述原子团簇型负离子的信号分析氮化物材料中待测元素的含量及其深度分布。仅通过改变收集离子信号的模式，提高检测灵敏度，操作简单，不增加额外成本，测试结果准确，尤其适用于氮化物材料痕量元素分布的检测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119364584A
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202411933110.3
申请日：2024-12-26
IPC: H05B45/20 , H05B45/22 , H05B45/325 , H05B47/165
Abstract: 本发明提供了一种基于多目标进化算法的LED多光色调控方法及系统，该方法首先获取各单色LED的光谱及电功率数据，结合三次样条插值法和拟合函数对数据进行预处理；然后通过设计评价函数，对各个光色指标如色坐标、显色指数、色温、SDCM值及功率消耗进行优化；算法核心在于利用多目标遗传算法，通过个体评价、优胜劣汰、遗传和变异操作迭代优化种群，直至找到满足所有光色指标要求的最优PWM组合。具体的，该方法具有灵活性强、扩展性好等优点，能够适应不同的LED通道配置，并提供针对性强的光色调控方案，特别适用于无荧光粉多基色LED灯具的出厂调节，为光色优化提供了高效、自动化的解决方案。
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公开(公告)号：CN119170718A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202411667045.4
申请日：2024-11-21
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
Abstract: 本申请属于半导体材料制备技术领域，具体涉及一种在含InGaN层的氮化物薄膜上沉积p型层的方法。该方法通过在MOCVD沉积设备的沉积室中，在含InGaN层氮化物薄膜的待沉积面，交替采用第一工艺、第二工艺以沉积p型层，p型层包括通过第一工艺形成的第一p型层和通过第二工艺形成的第二p型层。本发明采用低温度和慢速率、高温度和快速率交替进行的沉积方式，在相同p型层沉积厚度需求下，减少了InGaN层在较高环境温度中的等待时间，缓解了InGaN层的原子扩散问题，减少了因p型层的低温度沉积而导致碳原子的浓度累积问题，使p型层中的碳原子浓度大幅降低，使p型层具有高空穴浓度与高空穴迁移率。
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公开(公告)号：CN118335866A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410259932.1
申请日：2024-03-07
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
Abstract: 本发明公开了一种含有V形坑的氮化镓基发光二极管。通过对氮化镓基发光二极管中螺位错与刃位错进行选择性生长，使刃位错形成的V形坑被合并，螺位错形成的V形坑保持大尺寸，解决了空穴注入刃位错形成的V形坑时导致的非辐射复合以及漏电问题。本发明不仅提高了发光二极管的效率，而且减小了漏电。相比现有技术，本发明的氮化镓基发光二极管具有更高的效率与可靠性。
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公开(公告)号：CN118053933A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410273817.X
申请日：2024-03-11
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
IPC: H01L31/12 , H01L31/18 , H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L33/00 , H01L33/06 , H01L33/32
Abstract: 本发明涉及半导体器件，具体涉及具有光探测与发光双功能的光电器件及其制备方法。所述具有光探测与发光双功能的光电器件包括依次层叠的以下各层：N型GaN层；光吸收层，所述光吸收层为Si掺杂的InxGa1‑xN/GaN超晶格，其中0.01≤x≤0.16；发光层，所述发光层为Si掺杂的InyGa1‑yN/GaN量子阱，其中0.16≤y≤0.4；P型AlGaN层；以及P型GaN层。
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公开(公告)号：CN117995968A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202311585140.5
申请日：2023-11-27
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
Abstract: 本发明提供了一种发光二极管量子阱保护层的生长方法，量子阱的单元结构自下而上包括InGaN阱层，AlxGa1‑xN保护层和GaN势垒层，其特征在于包括以下生长步骤：在T1温度下生长InGaN阱层；在生长AlxGa1‑xN保护层过程中将温度从T1线性升高到T2，且使AlxGa1‑xN保护层中Al组分渐变减少；升温至T3生长GaN势垒层。相比较现有技术中单层的AlxGa1‑xN保护层，采用递增温度和递减组分方式生长的AlxGa1‑xN保护层，能阻挡高温下InGaN阱层中的In的分解，提高InGaN阱层的晶体质量，且有利于提高AlxGa1‑xN保护层的晶体质量，为GaN势垒的生长提供更好的界面，从而提高长波段LED芯片的发光效率。
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