一种挤压铸造机的压射送料装置

    公开(公告)号:CN102974800B

    公开(公告)日:2014-10-29

    申请号:CN201210394567.2

    申请日:2012-10-17

    Applicant: 南昌大学

    Abstract: 一种挤压铸造机的压射送料装置,属于挤压铸造机技术领域。主要包括压射油缸、升降油缸、平移油缸、机架、底座板、直线导轨和直线导轨滑块等,压射油缸后盖固接在底座板上,底座板固接在直线导轨滑块上,直线导轨固接在机架上;入料筒支座安装在压射油缸上方,入料筒支座上固接有入料筒,冲头和压射油缸活塞杆在入料筒支座内连接;升降油缸后盖固接在机架横梁上,升降油缸活塞杆伸出端固接在升降模板上,平移油缸后盖板固接在平移油缸支座上,平移油缸活塞杆伸出端与底座板相铰接,入料筒能自动调节温度,带有反馈的电子闭环控制系统。本发明装置应用在挤压铸造机上,提供了一种结构简单,使用方便,运行高效的压射送料装置。

    一种挤压铸造机的压射送料装置

    公开(公告)号:CN102974800A

    公开(公告)日:2013-03-20

    申请号:CN201210394567.2

    申请日:2012-10-17

    Applicant: 南昌大学

    Abstract: 一种挤压铸造机的压射送料装置,属于挤压铸造机技术领域。主要包括压射油缸、升降油缸、平移油缸、机架、底座板、直线导轨和直线导轨滑块等,压射油缸后盖固接在底座板上,底座板固接在直线导轨滑块上,直线导轨固接在机架上;入料筒支座安装在压射油缸上方,入料筒支座上固接有入料筒,冲头和压射油缸活塞杆在入料筒支座内连接;升降油缸后盖固接在机架横梁上,升降油缸活塞杆伸出端固接在升降模板上,平移油缸后盖板固接在平移油缸支座上,平移油缸活塞杆伸出端与底座板相铰接,入料筒能自动调节温度,带有反馈的电子闭环控制系统。本发明装置应用在挤压铸造机上,提供了一种结构简单,使用方便,运行高效的压射送料装置。

    一种调控MOCVD石墨载片盘温度均匀性的装置及方法

    公开(公告)号:CN117802579A

    公开(公告)日:2024-04-02

    申请号:CN202410006769.8

    申请日:2024-01-03

    Abstract: 本发明提供了一种调控MOCVD石墨载片盘温度均匀性的装置,包括MOCVD反应室腔体,腔体内设有石墨载片盘,石墨载片盘下方有分区发热的电阻炉发热体,用于给石墨载片盘加热;反应室腔体的圆心位置安装有高精度红外温度计来测量石墨载片盘中心的温度绝对值;反应室腔体的侧壁上安装有红外热像仪,红外热像仪与石墨载片盘法向夹角为θ,40°<θ<80°,红外热像仪通过反应室腔体的侧壁上的光学视窗监测整个石墨载片盘的温度相对值;高精度红外温度计测量的温度绝对值数据和红外热像仪将监测的温度相对值数据传输至上位机,上位机处理数据并运行温度调控程序驱动功率控制装置来实时调控对应区域的电阻炉发热体的发热功率,实现对石墨载片盘温度均匀性的调控。

    一种化学气相沉积装置
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106811736A

    公开(公告)日:2017-06-09

    申请号:CN201611222834.2

    申请日:2016-12-27

    Abstract: 本发明公开了一种化学气相沉积装置,包括位于反应腔顶部的喷淋头和带侧壁吹扫的反应腔。喷淋头中单圈排列的金属有机气体进气导管设在氢化物进气导管中,使氢化物气体环绕金属有机气体向下输运,氢化物气体或载气从喷淋头内部和外部的进气导管进入反应腔。反应腔的侧壁上设有进气导管,将氢化物或载气输运进入反应腔,起到吹扫作用。在喷淋头中心设置了尾气导管,反应气体沿径向从外侧向中心流动,最终经尾气导管从下向上抽出。使用本发明装置,可在反应腔内形成由外侧向中心的水平层流,相比长距离输运喷淋头,可大幅提升金属有机气体利用率,相比短距离输运喷淋头,将大幅减少反应腔侧壁的反应物沉积,可以满足生产型MOCVD的要求。

    一种用于MOCVD设备的喷淋头

    公开(公告)号:CN106498368A

    公开(公告)日:2017-03-15

    申请号:CN201611022509.1

    申请日:2016-11-21

    CPC classification number: C23C16/45565 C23C16/45502

    Abstract: 本发明公开了一种用于MOCVD设备的喷淋头,包括多个互相隔离的进气室、相应的进气管道以及位于喷淋头中心的尾气导管。由于喷淋头同时具有进气导管和尾气导管,反应气体经喷淋头的进气导管从上向下喷入反应腔,最终经喷淋头中心的尾气导管从下向上抽出,反应腔内气体沿径向从外侧向中心流动,可大幅减少反应物沿程损耗的不利影响,有利于获得良好的外延生长均匀性。多个相互隔离的进气腔可选择性地输运第一、第二或者第三反应气体,通过选择进气腔合适的排列组合可以大幅提升金属有机气体的利用率,基本消除反应腔的侧壁的反应物沉积。

    一种化学气相沉积装置
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN106811736B

    公开(公告)日:2019-03-05

    申请号:CN201611222834.2

    申请日:2016-12-27

    Abstract: 本发明公开了一种化学气相沉积装置,包括位于反应腔顶部的喷淋头和带侧壁吹扫的反应腔。喷淋头中单圈排列的金属有机气体进气导管设在氢化物进气导管中,使氢化物气体环绕金属有机气体向下输运,氢化物气体或载气从喷淋头内部和外部的进气导管进入反应腔。反应腔的侧壁上设有进气导管,将氢化物或载气输运进入反应腔,起到吹扫作用。在喷淋头中心设置了尾气导管,反应气体沿径向从外侧向中心流动,最终经尾气导管从下向上抽出。使用本发明装置,可在反应腔内形成由外侧向中心的水平层流,相比长距离输运喷淋头,可大幅提升金属有机气体利用率,相比短距离输运喷淋头,将大幅减少反应腔侧壁的反应物沉积,可以满足生产型MOCVD的要求。

    一种用于MOCVD设备的喷淋头

    公开(公告)号:CN106498368B

    公开(公告)日:2019-04-23

    申请号:CN201611022509.1

    申请日:2016-11-21

    Abstract: 本发明公开了一种用于MOCVD设备的喷淋头,包括多个互相隔离的进气室、相应的进气管道以及位于喷淋头中心的尾气导管。由于喷淋头同时具有进气导管和尾气导管,反应气体经喷淋头的进气导管从上向下喷入反应腔,最终经喷淋头中心的尾气导管从下向上抽出,反应腔内气体沿径向从外侧向中心流动,可大幅减少反应物沿程损耗的不利影响,有利于获得良好的外延生长均匀性。多个相互隔离的进气腔可选择性地输运第一、第二或者第三反应气体,通过选择进气腔合适的排列组合可以大幅提升金属有机气体的利用率,基本消除反应腔的侧壁的反应物沉积。

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