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公开(公告)号：CN115043374B
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202210547989.2
申请日：2022-05-18
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于电场作用的液滴成型法微纳复合结构制备方法，首先通过电场作用诱导电晕放电的离子风作用得到第一聚合物微液滴阵列，然后通过电荷注入复合作用的主动制冷蒸气凝结法在第一聚合物微液滴阵列表面上凝结自组装得到第二纳液滴阵列，接着引入第二聚合物，最后固化第一或第二聚合物，得到第一微结构阵列，由于第二纳液滴阵列压印作用，在第一微结构阵列表面得到与第二纳液滴阵列对应的曲面第二纳结构阵列，从而获得微纳复合结构阵列。本发明采用电场作用的微纳复合液滴成型实现微纳复合结构阵列，通过微纳复合液滴成型工艺参数调节实现微纳复合结构形貌参数的灵活调控，本发明技术方案具有工艺简单、成本低和形貌参数灵活可控的优点。
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公开(公告)号：CN118501641A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410148569.6
申请日：2024-02-02
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种基于散射参数测量LED载流子寿命方法，实现方案是：测试目标LED在不同直流偏置下的散射参数；基于目标LED的正向传输系数S21获得电光带宽，通过拟合电光带宽与电流密度得到的函数关系式，计算得到载流子寿命和RC时间常数之和与电流密度的关系式；通过LED等效电路的阻抗函数对目标LED的输入反射系数S11进行拟合，获得LED等效电路中各元件电学参数，并计算得到RC带宽；通过拟合RC带宽与电流密度得到的函数关系式，计算得到RC时间常数与电流密度的关系式；最后联立求解得到得到目标LED载流子寿命与电流密度的关系式。本发明可以实现测量电致发光下LED载流子寿命，可对LED载流子复合行为及机理研究以及LED调制特性研究提供一定帮助。
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公开(公告)号：CN118167944A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410374245.4
申请日：2024-03-29
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
IPC: F21K9/20 , F21V19/00 , F21K9/69 , F21K9/90 , F21Y115/10
Abstract: 本发明公开了一种多基色LED光源模块、配光方法、发光装置，该光源模块由若干颗多基色LED灯珠组成，每颗多基色LED灯珠包含一种或两种主波长的LED芯片，相同主波长的LED芯片对角分布；通过配光方法对不同颜色LED芯片的光通量进行配光计算，得出所需不同颜色LED芯片的数量，组合得到各种多基色LED灯珠的数量配比，最终得到2200K~2900K低色温光源；本发明所实现的低色温无荧光粉多基色LED发光装置不使用荧光粉，避免了荧光粉带来的光损失和蓝光泄露，具有低色温、高穿透力、高显指的优点，并采用单路恒流驱动，有利于提升可靠性和降低成本。
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公开(公告)号：CN117781198A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311520128.6
申请日：2023-11-15
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
IPC: F21K9/20 , F21V7/00 , F21V29/10 , F21V29/508 , F21V5/00 , F21V29/74 , F21V29/85 , F21V31/00 , F21Y113/10 , F21Y115/10 , F21W131/101
Abstract: 本发明涉及一种无荧光粉型金黄光LED平面隧道灯，包括金黄光LED光源、光源电路板、热界面层、密封圈、灯体、盖板、灯体安装支架、散热器、电源模块、反光纸、反光杯及平面玻璃，其中所述金黄光LED光源由黄光LED芯片和红光LED芯片直接合成，黄光LED芯片波长范围为550m~590nm，红光LED芯片的波长范围为610nm~650nm，提供一种穿透能力强、温和不晃眼的道路照明灯具，提高舒适度和安全性，减少出入隧道口强白光带来的驾驶隐患；采用光电分离安装方式，提高散热效率、电源利用效率及整灯的可靠性；采用反光杯和果冻胶的组合，发出的光均匀性更佳光质更优，截止了大角度光，有效降低了眩光的产生；出光面采用平面玻璃的形式，易于清洁灰尘方便维护，提高了光通量维持率。
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公开(公告)号：CN109378378B
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN201811235637.3
申请日：2018-10-23
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种垂直结构LED芯片，所述芯片从下至上依次包括：基板、键合金属层、第一电极、发光层、粗化层、第二电极接触层、第二电极，第二电极与第一电极共同构成反射电极。本发明还公开了一种垂直结构LED芯片的反射电极及其制备方法。本发明有效减少了第二电极正下方区域的电流注入，减少第二电极对正下方区域发光的遮挡，且该反射电极结构可以同时兼顾高光反射率和低欧姆接触，最终提高了AlGaInP薄膜LED芯片的光提取效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109037412B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN201810937533.0
申请日：2018-08-16
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种具有掩膜层的反极性LED芯片，所述芯片包括基板层、键合层、粘结保护层、复合结构层、外延层、掩膜层、N电极和钝化层；基板层的上面依次从下至上为键合层、粘结保护层、复合结构层；外延层在复合结构层的上面，外延层依次从下至上为p型层、发光层、n型层、粗化层、欧姆接触层；在外延层上面设有掩膜层、N电极和钝化层，掩膜层在欧姆接触层之上，且与N电极图形对应，环绕在N电极周围。本发明还提出一种具有掩膜层的反极性LED芯片的制备方法。本发明可以解决粗化工艺中，欧姆接触层湿法腐蚀过程侧钻导致的N电极脱落问题，有效地提高了LED芯片的制备良率。
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公开(公告)号：CN114844564A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210262654.6
申请日：2022-03-17
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC: H04B10/116 , H04B10/516
Abstract: 本发明公开了一种多基色LED可见光通信光源的调制方法，包括以下步骤：首先，发射端对各单基色的LED输出随机独立的二进制传输数据流，编码模块对二进制传输数据流中的每一位数据进行扩码，将一位数据扩为两位不同的数据，生成新的调制编码。然后，新调制编码加载于多个基色的LED上进行调制，产生多路并行的光信号，光信号经光电转换模块转换为电信号。最后，接收端将所接收的电信号经解调模块解调，输出解调信号，译码模块对解调信号译码，译码按原扩码方式进行反向还原，获得原始二进制传输数据流，输出新的译码。本发明简单易实现，使得单独电路控制的多基色LED合成的白光光源发光颜色亮度趋于稳定，在通信的同时其照明质量能得到有效的保障。
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公开(公告)号：CN113445005B
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202110555105.3
申请日：2021-05-21
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种低应力TiW薄膜的制备方法，它是在待沉积薄膜的基片上，小沉积速率下生长偏薄的种子薄膜层，大沉积速率下生长主要薄膜层，通过控制生长的厚度和速率，使得两层的薄膜达到最优结合，得到低应力的TiW薄膜。本发明在基片上分步沉积TiW薄膜，小沉积速率下生长的种子薄膜层致密度高，通过与基片原子相互融合获得具有高可靠性的界面；大沉积速率下生长的主要薄膜层，在种子层缓冲基础上生长的薄膜附着力增强，使得TiW薄膜厚度稳定、分布均匀，对基片的应力减弱、消散，使其变形量较小并得到低应力高质量的TiW薄膜的制备方法。本发明的TiW薄膜可以通过常用沉积方式进行制备，获得薄膜的稳定性高，膜层应力低，具有较好的可用及推广性。
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公开(公告)号：CN112234134A
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN202011050672.5
申请日：2020-09-29
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC: H01L33/56 , H01L33/48 , H01L25/075
Abstract: 本发明公开了一种无荧光粉多基色LED封装结构及其封装方法，该封装结构包括封装基板、若干颗间隔放置的LED芯片、固晶层、引线和复合封装胶结构；封装基板上有通过固晶层键合的若干LED芯片，LED芯片通过引线和基板电路连接，多基色LED芯片上有复合封装胶结构，复合封装胶结构由纯封装胶的第一封装胶层和掺有微纳米散射颗粒掺杂的第二封装胶层组成，并且第二封装胶层位于第一封装胶层周围。如此保证大部分光线直接从第一封装胶层出射，而大角度的光线在微米纳米颗粒掺杂的第二封装胶层内与微米纳米颗粒发生散射作用，从而改善不同LED芯片出光的各向均匀性，实现大视角的混光，同时保证高光提取效率。
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公开(公告)号：CN109037412A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810937533.0
申请日：2018-08-16
Applicant: 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
CPC classification number: H01L33/36 , H01L33/005 , H01L33/02
Abstract: 本发明涉及一种具有掩膜层的反极性LED芯片，所述芯片包括基板层、键合层、粘结保护层、复合结构层、外延层、掩膜层、N电极和钝化层；基板层的上面依次从下至上为键合层、粘结保护层、复合结构层；外延层在复合结构层的上面，外延层依次从下至上为p型层、发光层、n型层、粗化层、欧姆接触层；在外延层上面设有掩膜层、N电极和钝化层，掩膜层在欧姆接触层之上，且与N电极图形对应，环绕在N电极周围。本发明还提出一种具有掩膜层的反极性LED芯片的制备方法。本发明可以解决粗化工艺中，欧姆接触层湿法腐蚀过程侧钻导致的N电极脱落问题，有效地提高了LED芯片的制备良率。
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