带空气缝隙的高布里渊增益倒脊型硫系波导及其制备方法

    公开(公告)号:CN116880008A

    公开(公告)日:2023-10-13

    申请号:CN202310976417.0

    申请日:2023-08-04

    Applicant: 南昌大学

    Abstract: 本发明公开了一种带空气缝隙的高布里渊增益倒脊型硫系波导及其制备方法,该硫系波导包括衬底层以及设置在衬底层上的波导层,所述波导层的下表面向外凸出形成脊型部,所述波导层的脊型部嵌入所述衬底层中,形成一种倒置脊型波导结构,其中,所述波导层的脊型部的内部设置有空气缝隙。本发明通过倒置脊型波导结构限制光场与声场的分布区域,增强声光场重叠,同时引入空气缝隙结构,使得光致辐射力出现,其与空气狭缝附近的声场发生强耦合,增强波导内部光学力与声场的耦合作用,从而显著提高受激布里渊散射增益,该波导结构可应用于激光器、微波光子滤波器、慢光产生等非线性光学器件中。

    一种基于金属-石墨烯杂化超表面生物传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN114199828B

    公开(公告)日:2023-07-28

    申请号:CN202111492145.4

    申请日:2021-12-08

    Applicant: 南昌大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于金属‑石墨烯杂化超表面生物传感器及其制备方法。该传感器以超薄柔性聚酰亚胺(PI)薄膜作为衬底,在该衬底上制备出周期排布的金属光栅结构,在金属光栅表面沉积一层氧化铝薄层,再在正对结构的氧化铝薄层上方铺上一层单层石墨烯。当太赫兹波正入射向结构表面时,会激发石墨烯表面等离激元(GSPs)共振效应以及金属光栅中的异常光学透射(EOT)共振。本发明所述传感器基于EOT共振和GSPs共振的强耦合的超表面设计,该传感器的灵敏度为SΩ=1.77THz/eV。超薄柔性PI衬底,不仅可以降低电磁损耗,而且具有良好的延展性,适用于弯曲表面,便于样品的测量。该生物传感器具有制备成本低、延展性好、灵敏度高、特异性检测以及测量方便等优点。

    可调控磁响应频率的太赫兹波吸收器的制备方法及其应用

    公开(公告)号:CN116536726A

    公开(公告)日:2023-08-04

    申请号:CN202310502651.X

    申请日:2023-05-06

    Applicant: 南昌大学

    Abstract: 本发明提供了一种可调控磁响应频率的太赫兹波吸收器的制备方法,该方法为:将铝片经清洗、退火和抛光后,用两步氧化法阳极氧化,用饱和CuCl2溶液去除未被氧化的铝基,放入30℃的5%的磷酸溶液中扩孔处理,得到UTAM,转移到单晶MgO(100)衬底上,采用脉冲激光沉积法,将FePt材料用KrF准分子激光烧灼后,向UTAM上喷射,在UTAM的空洞处沉积形成金字塔型纳米点,然后机械除去UTAM,退火,得到金字塔型L10‑FePt阵列,即为可调控磁响应频率的太赫兹波吸收器。还提供了应用,用于太赫兹电磁波吸波器件。本发明可以通过调控金字塔型的L10‑FePt的几何尺寸和金字塔型的L10‑FePt阵列的间距来实现对谐振频率的调控,在开发太赫兹器件中有着重大应用价值。

    一种基于金属-石墨烯杂化超表面生物传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN114199828A

    公开(公告)日:2022-03-18

    申请号:CN202111492145.4

    申请日:2021-12-08

    Applicant: 南昌大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于金属‑石墨烯杂化超表面生物传感器及其制备方法。该传感器以超薄柔性聚酰亚胺(PI)薄膜作为衬底,在该衬底上制备出周期排布的金属光栅结构,在金属光栅表面沉积一层氧化铝薄层,再在正对结构的氧化铝薄层上方铺上一层单层石墨烯。当太赫兹波正入射向结构表面时,会激发石墨烯表面等离激元(GSPs)共振效应以及金属光栅中的异常光学透射(EOT)共振。本发明所述传感器基于EOT共振和GSPs共振的强耦合的超表面设计,该传感器的灵敏度为SΩ=1.77THz/eV。超薄柔性PI衬底,不仅可以降低电磁损耗,而且具有良好的延展性,适用于弯曲表面,便于样品的测量。该生物传感器具有制备成本低、延展性好、灵敏度高、特异性检测以及测量方便等优点。

    一种制备低损耗As20S80硫系玻璃隧道光波导的方法

    公开(公告)号:CN112540429A

    公开(公告)日:2021-03-23

    申请号:CN202011502641.9

    申请日:2020-12-18

    Applicant: 南昌大学

    Abstract: 本发明公开了一种制备低损耗As20S80硫系玻璃隧道光波导的方法,在真空高温炉中制备As20S80粉末,并将其作为蒸发源,在10‑3 Pa的真空条件下,控制沉积速率在9~10Å/sec,在玻璃基板上蒸镀形成1μm厚的沉积态As20S80薄膜,所得As20S80薄膜上放置5μm线宽的条形结构掩膜版,用光强为50~60 mW/cm2、波长为300–430 nm的紫外光辐照70~90分钟使薄膜光照区达到光照饱和态,形成所述As20S80隧道光波导结构,As20S80隧道光波导再置于退火炉中,在130℃玻璃转化温度附近,充氮退火1 h后,继续充氮自然冷却至室温,制备出损耗低至0.7 dB/cm的As20S80隧道光波导。本发明方法通过对蒸镀在玻璃基板上的As20S80薄膜进行紫外光辐照和退火处理制备隧道光波导,制备工艺简单、成本低,制得的As20S80隧道光波导传输损耗低,具有良好的光传输性能。

    一种公共场合光线控制方法

    公开(公告)号:CN105934030B

    公开(公告)日:2017-11-03

    申请号:CN201610387973.4

    申请日:2016-06-03

    Applicant: 南昌大学

    CPC classification number: Y02B20/346

    Abstract: 本发明公开了一种公共场合光线控制方法,目的是是晚上要对光线进行严格的管控,提出管制的四个来自自然的标准,一是光线的亮度要调向满月时地面的照度,约0.2lux,二是光谱调向蜡烛光在可见光范围的光谱;三是发光体无频闪,也即光的变化速度要慢,应以人类的内源节奏作为参照(周期约24小时),四是光线的空间要均匀,不能有眩光。本发明还依据这一管制方法提出了学生上语文及英语等语言课时,可将教室变成全黑状态,从而最大限度地减少学生用眼时间并增加学生褪黑素的分泌;本发明还考虑了对营房的光线进行控制的方法,从而增加营房内人员的雄性激素水平。该方法从光谱、照度、频率、眩光四个方面对光线进行严格的管控,保证人们的健康与安全。

    一种调控雷达吸波材料吸收频率的新方法

    公开(公告)号:CN108933335B

    公开(公告)日:2020-12-22

    申请号:CN201810943790.5

    申请日:2018-08-18

    Applicant: 南昌大学

    Abstract: 本发明公开了一种调控雷达吸波材料吸收频率的新方法,包括如下步骤:S1、采用PET材料制作柔性衬底;S2、采用磁控溅射镀膜方法,在弯曲的柔性衬底PET上沉积FeGa薄膜,PET衬底恢复平整后,FeGa薄膜受到预应力作用,通过光刻技术,制备出FeGa条带结构;S3、在FeGa条带中施加不同程度的预应力;S4、通过对衬底材料PET施加应力,进行FeGa条带的吸波频率的改变。本发明解决了以往吸波材料共振吸收频率固定单一的问题,极大的扩展了吸波材料的应用领域,对于国防战斗机隐形技术以及日常电磁设备屏蔽维护,都具有重要的实用价值。

    一种调控雷达吸波材料吸收频率的新方法

    公开(公告)号:CN108933335A

    公开(公告)日:2018-12-04

    申请号:CN201810943790.5

    申请日:2018-08-18

    Applicant: 南昌大学

    Abstract: 本发明公开了一种调控雷达吸波材料吸收频率的新方法,包括如下步骤:S1、采用PET材料制作柔性衬底;S2、采用磁控溅射镀膜方法,在弯曲的柔性衬底PET上沉积FeGa薄膜,PET衬底恢复平整后,FeGa薄膜受到预应力作用,通过光刻技术,制备出FeGa条带结构;S3、在FeGa条带中施加不同程度的预应力;S4、通过对衬底材料PET施加应力,进行FeGa条带的吸波频率的改变。本发明解决了以往吸波材料共振吸收频率固定单一的问题,极大的扩展了吸波材料的应用领域,对于国防战斗机隐形技术以及日常电磁设备屏蔽维护,都具有重要的实用价值。

    一种片上硫系倒脊型光波导及其Bragg光栅制备方法

    公开(公告)号:CN119179135A

    公开(公告)日:2024-12-24

    申请号:CN202411444786.6

    申请日:2024-10-16

    Applicant: 南昌大学

    Abstract: 本发明涉及硫系光子学技术领域,公开了一种片上硫系倒脊型光波导及其Bragg光栅制备方法,该片上硫系倒脊型光波导包括衬底层以及设置在衬底层上的波导层,波导层包括横向的平板层和纵向的脊部,平板层和脊部一体化成型,并呈T型;波导层的脊部嵌入衬底层中,形成倒脊型光波导结构;其中,所述波导层采用As2S3,衬底层采用SiO2;所述波导层上的Bragg光栅,为利用443nm波长带隙光作为曝光源,从波导层的平板层的表面照射,在波导层的脊部刻写形成。本发明通过在倒置结构的亚微米片上硫系脊型光波导上制备Bragg光栅,具有亚微米尺寸、光谱性能更优良的特点,能够满足集成光子器件对于小型化、集成化、高效化的要求。

    一种调控磁涡旋态在弱磁场下极性快速周期性翻转的方法

    公开(公告)号:CN118984642A

    公开(公告)日:2024-11-19

    申请号:CN202411078991.5

    申请日:2024-08-07

    Applicant: 南昌大学

    Abstract: 本发明涉及磁信息存储器领域,具体涉及一种调控磁涡旋态在弱磁场下极性快速周期性翻转的方法。包括:采用柔性PET材料作为衬底;通过磁控溅射镀膜方法在柔性PET材料的衬底上沉积FeGa薄膜;利用光刻技术将所述FeGa薄膜制备为FeGa切边型圆盘结构;通过机械装置对所述柔性PET材料进行拉伸或压缩,根据逆磁致伸缩效应采用应力场辅助调控FeGa非对称切边圆盘中的磁涡旋核极性翻转。本发明非对称切边结构能够打破涡旋态的对称性和高度稳定性,使磁涡旋的手性和极性更易被调控,应力场通过调整磁性纳米点阵的磁各向异性,降低了涡旋核极性翻转所需的磁场幅度,从而在低能耗下实现了极性的快速、周期性翻转。

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