公开(公告)号：CN119179135A

公开(公告)日：2024-12-24

申请号：CN202411444786.6

申请日：2024-10-16

Applicant: 南昌大学

Inventor： 邹林儿 ,  胡海 ,  章玉峰 ,  周云飞 ,  商俊杰 ,  彭玉发 ,  沈云

IPC: G02B6/124 ,  G02B6/13

Abstract: 本发明涉及硫系光子学技术领域，公开了一种片上硫系倒脊型光波导及其Bragg光栅制备方法，该片上硫系倒脊型光波导包括衬底层以及设置在衬底层上的波导层，波导层包括横向的平板层和纵向的脊部，平板层和脊部一体化成型，并呈T型；波导层的脊部嵌入衬底层中，形成倒脊型光波导结构；其中，所述波导层采用As2S3，衬底层采用SiO2；所述波导层上的Bragg光栅，为利用443nm波长带隙光作为曝光源，从波导层的平板层的表面照射，在波导层的脊部刻写形成。本发明通过在倒置结构的亚微米片上硫系脊型光波导上制备Bragg光栅，具有亚微米尺寸、光谱性能更优良的特点，能够满足集成光子器件对于小型化、集成化、高效化的要求。