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公开(公告)号：CN115679326A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211263976.9
申请日：2022-10-17
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于MicroLED制备过程中GaN刻蚀的微小金属Ni掩膜图形精准控制的腐蚀液及使用方法，该腐蚀液配方由以下组分组成：浓硝酸、水、浓盐酸、双氧水，该四种组分的体积百分比为浓硝酸25‑30%：水60‑65%：浓盐酸4‑5%：双氧水4‑5%。该腐蚀液的使用方法为将上述体积百分比的浓硝酸、水和浓盐酸倒入烧杯中搅拌均匀，将GaN基外延片放入混合液中1‑2min，再向混合液中加入上述百分比的双氧水，腐蚀1‑2min后，制备出小于20μm金属Ni掩膜图形。本发明可以精准腐蚀出尺寸小于20μm的金属Ni掩膜图形，腐蚀后的图形完整，边界清晰，解决了微小金属Ni掩膜图形制备过程中，掩膜腐蚀速率过慢或者腐蚀速率过快造成腐蚀出有较多锯齿状的金属Ni掩膜图形的问题。
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公开(公告)号：CN111939892A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010775031.X
申请日：2020-08-05
Applicant: 南昌大学
IPC: B01J23/10 , B01J21/06 , C25D11/26 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , B01J37/34 , C02F1/30 , C02F101/30 , C02F101/34 , C02F101/36 , C02F101/38
Abstract: 一种钆改性光催化二氧化钛纳米管阵列的制备方法及应用，在利用二次阳极氧化法制备二氧化钛纳米管的过程中，通过同步掺杂入不同浓度的钆离子，获得改性的二氧化钛纳米管阵列材料。改性的纳米管管长由22.5μm增长到105.6μm，管径95-100nm。以甲基橙、酸性大红、亚甲基蓝为被降解物，在紫外光的照射下，掺杂钆离子的改性材料的光降解率相比之前由79.8%上升到了98.8%，大大提高了催化剂的光催化效果，亲水性能明显增强。通过此法制备TiO2改性材料，在氧化钛纳米管阵列形成的同时进行钆离子掺杂，掺杂效率高，操作简便无毒害，氧化钛纳米管阵列可回收重复利用，在有机物的光催化降解及污水处理方面有远大应用前景。
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公开(公告)号：CN111939892B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202010775031.X
申请日：2020-08-05
Applicant: 南昌大学
IPC: B01J23/10 , B01J21/06 , C25D11/26 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , B01J37/34 , C02F1/30 , C02F101/30 , C02F101/34 , C02F101/36 , C02F101/38
Abstract: 一种钆改性光催化二氧化钛纳米管阵列的制备方法及应用，在利用二次阳极氧化法制备二氧化钛纳米管的过程中，通过同步掺杂入不同浓度的钆离子，获得改性的二氧化钛纳米管阵列材料。改性的纳米管管长由22.5μm增长到105.6μm，管径95‑100nm。以甲基橙、酸性大红、亚甲基蓝为被降解物，在紫外光的照射下，掺杂钆离子的改性材料的光降解率相比之前由79.8%上升到了98.8%，大大提高了催化剂的光催化效果，亲水性能明显增强。通过此法制备TiO2改性材料，在氧化钛纳米管阵列形成的同时进行钆离子掺杂，掺杂效率高，操作简便无毒害，氧化钛纳米管阵列可回收重复利用，在有机物的光催化降解及污水处理方面有远大应用前景。
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公开(公告)号：CN115679326B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202211263976.9
申请日：2022-10-17
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于MicroLED制备过程中GaN刻蚀的微小金属Ni掩膜图形精准控制的腐蚀液及使用方法，该腐蚀液配方由以下组分组成：浓硝酸、水、浓盐酸、双氧水，该四种组分的体积百分比为浓硝酸25‑30%：水60‑65%：浓盐酸4‑5%：双氧水4‑5%。该腐蚀液的使用方法为将上述体积百分比的浓硝酸、水和浓盐酸倒入烧杯中搅拌均匀，将GaN基外延片放入混合液中1‑2min，再向混合液中加入上述百分比的双氧水，腐蚀1‑2min后，制备出小于20μm金属Ni掩膜图形。本发明可以精准腐蚀出尺寸小于20μm的金属Ni掩膜图形，腐蚀后的图形完整，边界清晰，解决了微小金属Ni掩膜图形制备过程中，掩膜腐蚀速率过慢或者腐蚀速率过快造成腐蚀出有较多锯齿状的金属Ni掩膜图形的问题。
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