公开(公告)号：CN106480454B

公开(公告)日：2018-12-07

申请号：CN201610909871.4

申请日：2016-10-19

Applicant: 南昌大学

Inventor： 胡小武 ,  徐涛 ,  万永强 ,  邱宇 ,  李玉龙

IPC: C23C28/02 ,  C23C18/36 ,  C23C18/16 ,  C25D3/38

Abstract: 一种抑制无铅焊点界面化合物生长的基板双镀层制备工艺，包括化学镀Ni‑W‑P层和电镀Cu层。其中化学镀Ni‑W‑P层，其成分按质量百分比构成为：77‑80% Ni，14‑16% W，6‑7% P，所述镀层厚度为3~10µm；而电镀Cu层，其厚度为0.5~3µm。本发明制备的Ni‑W‑P/Cu双镀层成分符合电子封装锡基焊点界面反应阻挡层的使用要求，且镀层与基板结合紧密，镀层平整，厚度均匀，结构致密。本发明具有工艺流程简单、工艺参数容易控制等优势，所制备的Ni‑W‑P/Cu双镀层对锡基焊点界面化合物生长具有非常有效的抑制作用。

公开(公告)号：CN106480454A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201610909871.4

申请日：2016-10-19

Applicant: 南昌大学

Inventor： 胡小武 ,  徐涛 ,  万永强 ,  邱宇 ,  李玉龙

IPC: C23C28/02 ,  C23C18/36 ,  C23C18/16 ,  C25D3/38

CPC classification number: C23C28/027 ,  C23C18/1653 ,  C23C18/36 ,  C25D3/38

Abstract: 一种抑制无铅焊点界面化合物生长的基板双镀层制备工艺，包括化学镀Ni-W-P层和电镀Cu层。其中化学镀Ni-W-P层，其成分按质量百分比构成为：77-80% Ni，14-16% W，6-7% P，所述镀层厚度为3~10µm；而电镀Cu层，其厚度为0.5~3µm。本发明制备的Ni-W-P/Cu双镀层成分符合电子封装锡基焊点界面反应阻挡层的使用要求，且镀层与基板结合紧密，镀层平整，厚度均匀，结构致密。本发明具有工艺流程简单、工艺参数容易控制等优势，所制备的Ni-W-P/Cu双镀层对锡基焊点界面化合物生长具有非常有效的抑制作用。