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公开(公告)号：CN117111420A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202311099718.6
申请日：2023-08-30
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于制备金属凸点的双层正性光刻胶剥离方法：S1，外延片清洗；S2，在外延片上旋涂底层的第一类型正性光刻胶；S3，软烘，对第一类型正性光刻胶进行固化；S4，在第一类型正性光刻胶表面旋涂顶层的第二类型正性光刻胶；S5，软烘，对第二类型正性光刻胶进行固化；S6，曝光，使用光刻机对双层光刻胶进行曝光；S7，后烘焙；S8，显影，使用碱性显影液对双层光刻胶进行显影；S9，金属沉积，使用金属沉积设备沉积金属膜；S10，使用光刻胶剥离液对双层光刻胶进行剥离；S11，在外延片表面制备得到金属凸点。本发明通过双层正性光刻胶实现Lift‑off工艺，解决了Micro‑LED微显示器件中小尺寸金属凸点难以制备的问题，可实现间距小且厚度高的金属凸点制备。
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公开(公告)号：CN116404074A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310235069.1
申请日：2023-03-13
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种高光效单面低面积比例出光的微型LED芯片制备方法，对于单面出光且出光面积比例小于80%的微型LED芯片，在制备方法上，在衬底上先生长过渡层，进而获得晶体质量较好的第一半导体层、有源层、第二半导体层，这样能提升材料质量和器件的内量子效率；另外，在LED初始外延与永久基板完成键合并去除衬底后，去除过渡层、部分第一半导体层获得的效果，一是在外延被减薄后，LED芯片的纵向尺寸减小，横向尺寸不变，增大了LED芯片正向的出光角，而又由于LED芯片的侧壁存在挡光的第一电极层，在侧壁出光占比减小的情况下，LED芯片的正向出光性得到了提升，二是减少了这些部分对发射光的吸收；最终，结合粗化表面，能大幅度提升LED芯片的光提取效率。
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公开(公告)号：CN116314481A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310130572.0
申请日：2023-02-17
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种RGB三色集成的Mini‑LED芯片及其制造方法、显示面板，该RGB三色集成的Mini‑LED芯片的制造方法包括刻蚀外延片获得分别含RGB三色的Mini‑LED阵列的外延片，在Mini‑LED阵列上制备P型反射电极层和第一粘结层，通过键合的方式依次将三种颜色的Mini‑LED阵列转移至支撑基板，沉积绝缘材料钝化侧壁并蒸发形成N型电极。本发明通过刻蚀一定厚度的硅衬底，在键合转移过程中，后转移的Mini‑LED阵列的硅衬底不会接触到已经转移的Mini‑LED阵列，实现大量Mini‑LED芯片的精准转移，有效解决键合转移过程中的对位精度和转移效率的问题。且在芯片制造过程中即可实现单个像素中RGB三色Mini‑LED芯片的集成，可简化后续的封装工艺，制程简单，降低了Mini‑LED的制造成本。
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公开(公告)号：CN120070455A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202510552928.9
申请日：2025-04-29
Applicant: 南昌大学
IPC: G06T7/00 , G06V10/44 , G06V10/42 , G06V10/774 , G06V10/776 , G06V10/80 , G06V10/82 , G06N3/0464 , G06N3/08
Abstract: 本发明涉及医学图像处理技术领域，尤其是涉及一种核磁图像脑肿瘤检测方法及系统，方法包括：获取初始核磁脑肿瘤图像，将双卷积跨阶段除法网络作为主干网络，将部分视觉状态空间网络作为特征增强网络，轻量化YOLOv8模型的同时提高性能；在提高性能的YOLOv8模型中，在颈部结构中将构建的重参数化动态可选择大核卷积网络作为多尺度特征交互网络，同时利用重参数化进一步提高YOLOv8模型的性能，以得到改进后的YOLOv8模型；使用初始图像数据集对改进后的YOLOv8模型进行迭代优化训练，得到核磁图像脑肿瘤检测模型；将初始图像数据集输入核磁图像脑肿瘤检测模型进行检测，输出核磁脑肿瘤检测结果。本发明能够提高对脑肿瘤检测的准确率和效率。
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公开(公告)号：CN118053947A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410251588.1
申请日：2024-03-06
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供一种具有互锁结构的混合键合方法，所述方法包括：采用干法刻蚀工艺精准调节绝缘介质层的高度；引入牺牲层金属，于其中一侧待键合晶圆上制备金属/介质凹陷结构；另一侧待键合晶圆形成图形化金属焊盘，或制备金属/介质凸起结构；两侧晶圆对准热压，形成具有互锁结构的金属/介质混合键合。该方法中，绝缘介质的填充无需复杂的化学机械抛光（CMP）和光刻工艺，制备工艺简单、成本低，并且实现了键合点的自对准和滑移锁止，可大幅提升键合强度和良率，获得高可靠性的Micro‑LED器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119836078A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202510000195.8
申请日：2025-01-02
Applicant: 南昌大学 , 南昌实验室 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种Micro‑LED器件自对准填槽与钝化的方法，包括以下步骤：提供Micro‑LED器件，Micro‑LED器件包含阵列单元和阵列单元之间的沟槽；在Micro‑LED器件上制备介质层，介质层填充沟槽并覆盖所有阵列单元；固化介质层；使用无掩膜干法刻蚀的回刻方法使介质层整面减薄，直至裸露所有阵列单元的上表面，在沟槽处形成图形化的钝化层。使用无掩膜干法刻蚀的回刻方法使介质层整面减薄，无需制备掩膜和光刻，且可通过刻蚀工艺精准调控介质层高度，工艺简单；同时，由于规避了对版工步和显影液腐蚀工步，该工艺方法能够消除对版误差带来的界面间隙和台面残留问题，能够不受形状和尺寸约束地形成连接紧密的图形化钝化层，增加钝化结构的抗蚀刻性，提升器件制造良率。
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公开(公告)号：CN118867064A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410833996.8
申请日：2024-06-26
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
IPC: H01L33/00 , H01L27/15 , H01L21/762
Abstract: 本发明公开了一种氮化镓基Micro‑LED阵列隔离沟槽的制备方法，通过湿法刻蚀氮化镓外延层制备隔离沟槽，同时完成Micro‑LED阵列的图形化。通过在湿法刻蚀外延层前，对外延层的厚度、粗化效果进行控制等步骤实现高像素图形的隔离，实现提高Micro‑LED器件侧壁的平整度与光滑度的同时提升Micro‑LED阵列的均匀性。本发明在增大Micro‑LED器件均匀性与稳定性的同时制备隔离沟槽，不损伤Micro‑LED器件的其他金属结构，具有操作简单、侧壁损伤小、生产效率高、设备简单、无金属溅射等优点，实际应用价值高。
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公开(公告)号：CN118538835A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410713135.6
申请日：2024-06-04
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
IPC: H01L33/00 , H01L25/075 , H01L33/62
Abstract: 本发明公开了一种制备Micro‑LED发光模组的方法，包括以下步骤：S1在硅衬底外延层上整面沉积金属键合层；S2在CMOS基板上的驱动电极的表面制备金属键合单元；S3在金属键合单元的间隙填充第一隔离层；S4金属键合层与金属键合单元完成键合；S5去除硅衬底；S6对暴露出的外延层进行减薄或粗化；S7分割外延层形成芯片单元，芯片单元与金属键合单元一一对应；S8在所述芯片单元的侧壁制备钝化层；S9将所述金属键合层分割形成相互独立的金属单元，金属单元、芯片单元、金属键合单元和驱动电极构成像素单元；S10在所述像素单元的间隙填充第二隔离层；S11在所述像素单元和第二隔离层的上方生长透明导电薄膜或/和金属层作为N电极，获得Micro‑LED发光模组。
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公开(公告)号：CN119959733A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202510138159.8
申请日：2025-02-08
Applicant: 南昌大学 , 南昌实验室 , 南昌硅基半导体科技有限公司
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明公开了一种显示器老化测试装置及系统，包括老化底板，安装在老化底板上的FPGA信号板和/或MCU控制板、视频转接板、电源板和模组转接板；模组转接板与电源板、FPGA信号板和/或MCU控制板、视频转接板电性连接；模组转接板连接待老化测试的显示器，模组转接板将接收的信号以及电源传输至待老化测试的显示器；电源板配置顶部电源接口、底部电源接口和电压可调电源；顶部电源接口与底部电源接口电性连接，底部电源接口和电压可调电源电性连接；电源板的个数为n，n个电源板能通过层叠结构产生多路电源给模组转接板提供电源，n为正整数。电源板设计为层叠结构可以根据待老化测试的显示器的需要灵活的增加或减少电源板的数量，降低装置的成本。
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公开(公告)号：CN118782696A
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202410931016.8
申请日：2024-07-12
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司 , 南昌实验室
Abstract: 本申请提供了一种基于硅衬底GaN基外延片制备Micro LED微显示模组的方法。所述方法包括：在硅衬底GaN基外延片上获得GaN阵列，在GaN阵列上制备金属凸点点阵，像素区以外制作四周环状金属，在金属凸点点阵的间隙，及四周环状金属以外的区域制备第一特种光刻胶层，制成硅衬底GaN基Micro LED芯片；在CMOS驱动基板上制备像素区金属凸点点阵，像素区以外的区域覆盖金属，在像素区金属凸点点阵的间隙制备第二特种光刻胶层；硅衬底GaN基Micro LED芯片与CMOS驱动基板对准键合；湿法去除芯片端的硅衬底；制备CMOS驱动基板的焊盘，制成Micro LED微显示模组。本发明采用湿法去除GaN基Micro LED芯片的硅衬底，保护CMOS驱动基板不受酸腐蚀液侵蚀，成本低，腐蚀速度快，可批量操作。
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