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公开(公告)号：CN119717139A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411861979.1
申请日：2024-12-17
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明提供一种用于波导耦合的光纤探针、其制造方法及耦合结构，涉及耦合器技术领域，用于与芯片耦合连接，包括：D型光纤，D型光纤的一端的平面设置为抛光面；波导层，波导层设置在抛光面上，且波导层与D型光纤的纤芯相连接，波导层的一端为渐薄结构，波导层用于与芯片的波导耦合，波导层的折射率与芯片的波导的折射率相同；解决现有技术中在芯片的波导上设置耦合结构，导致工序数目增加，成品率下降，芯片成本升高的问题。
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公开(公告)号：CN115933052A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202211266246.4
申请日：2022-10-17
Applicant: 南开大学
Abstract: 本申请涉及一种光波导耦合器和光波导耦合器的制备方法。一种光波导耦合器用于与光纤耦合，光波导耦合器包括基片以及高折射率波导，高折射率波导形成于基片上，且沿第一方向延伸；高折射率波导具有沿第一方向相对设置的第一端部和第二端部。相较于第二端部，第一端部更靠近光纤。其中，高折射率波导的第一端部的厚度为第一预设值，高折射率波导的第一端部沿第二方向的尺寸为第二预设值，以使第一端部能够与光纤进行TE基模耦合。该光波导耦合器器件简单，易于制作、且具备了端面耦合器兼起偏的功能。
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公开(公告)号：CN113156672B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202110502226.1
申请日：2021-05-08
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明公开一种全光纤耦合器的封装结构和封装方法，包括壳体，还包括定支架和动支架，定支架和动支架与壳体连接，动支架包括动支架滑块和动支架安装台，两者固定连接；声光角锥，位于动支架安装台上且封装前与动支架安装台活动连接，可沿角锥轴向方向调节高度；声光光纤，两端分别连接在声光角锥和定支架上；电驱动接口与动支架安装台固定连接，与声光角锥电性连接；调节装置，位于壳体上，通过调节装置能够调整动支架滑块、位于动支架安装台上的声光角锥以及电驱动接口的位置；本发明通过在壳体上设置支架装置和调节装置，将声光光纤和声光角锥连接于支架装置和调节装置上，通过调节装置能够调整动支架和声光角锥的位置，从而调节光纤应力。
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公开(公告)号：CN114594547A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202210335051.4
申请日：2022-03-31
Applicant: 南开大学
Abstract: 本申请涉及一种光波导耦合器及其制备方法。一种光波导耦合器，包括基片、高折射率波导以及低折射率波导。高折射率波导形成于基片上；高折射率波导包括依次连接且沿第一方向延伸的第一导波段和第二导波段；其中，在第一方向上，第二导波段的厚度逐渐减小。低折射率波导形成于基片上，且覆盖高折射率波导。其中，低折射率波导的折射率介于基片的隔离层和高折射率波导的折射率之间，且被配置为用于将光束从光纤传输至高折射率波导，第二导波段沿第二方向的尺寸大于预设值。第二导波段和低折射率波导的对准容差较高，可有效提高光波导耦合器的制作容差，降低光波导耦合器的制造成本，有利于光波导耦合器的批量制造。
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公开(公告)号：CN114089550A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202111235451.X
申请日：2021-10-22
Applicant: 南开大学
Abstract: 本申请涉及一种电光调制器，所述电源能够产生使所述第一电极和所述第二电极之间，所述第一电极和所述第三电极之间激发出铌酸锂的高阶电光效应的较高的变化的电场。当产生铌酸锂的高阶电光效应时，所述电光调制器的半波电压显著降低。因此，所述电源提供较高的直流偏置电压和较低的射频电压就能够实现信号的调制。所述电光调制器无需再使用射频放大器等器件进行射频信号放大，也符合CMOS驱动电压的要求。因此所述电光调制器的电路部分能够完全集成在芯片上。因此能够实现较大的调制频宽，减小射频损耗，保证调制速率。所述电光调制器实现了低半波电压和较大的调制频宽的有益效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110670134B
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN201910894519.1
申请日：2019-09-20
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明提出了一种p型和n型导电铌酸锂纳米线的制备方法，其包括以下步骤：步骤一：利用热固定技术，对多畴铌酸锂晶体进行均匀加热一定时间，并自然冷却至室温，使晶体中的质子被固定在畴壁区域；步骤二：利用电极化技术将上述制得的铌酸锂晶体进行一次极化；步骤三：利用电极化技术将上述制得的铌酸锂晶体进行第二次极化，可以改变步骤二中制备的纳米线导电类型，其能够通过一次极化反转实现p型和n型导电载流子类型的转换。所述方法解决铌酸锂晶体中纳米尺度下输运载流子的调控技术，实现了在纳米尺度下铌酸锂电学特性的调控难题。
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公开(公告)号：CN101266320B
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN200710151177.1
申请日：2007-12-21
Applicant: 南开大学
IPC: G02B6/28
Abstract: 一种自泵浦延迟可调光脉冲群速延迟器。解决现有大可调范围群速延迟器对条件要求比较苛刻，比如超低温环境，独立的泵浦光源等问题。本发明延迟器包括一个平移台，位于平移台前方入射方向上的聚焦透镜，平移台上的非线性介质，及位于平移台后方出射方向上的小孔光阑构成。本发明对于光束的低空间频率部分产生延迟，通过非线性介质的色散起作用，不需额外的泵浦源，自泵浦即可达到要求。由于是通过调节介质位置连续调节其色散，所以延迟连续可调。低空间频率的光既可以产生减慢效应，也可以产生加快效应，这样就可以产生以往常规方法所不能产生的群速加快结果，其功能相当于使被延时的信号产生时间上的提前量，拓展了延迟器的应用前景。
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公开(公告)号：CN101776833A
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN201019102021.3
申请日：2010-02-08
Applicant: 南开大学
IPC: G02F1/35
Abstract: 本发明公开了一种主动式光控可调谐任意波长光延迟器，包括有外壳体，所述外壳体的左端侧壁从后往前依次开有控制光输入端口和信号光输入端口，外壳体右端侧壁上开有一个光输出端口；所述外壳体内从左到右水平放置有第一透镜、半透半反镜、工作介质、带通滤波片，第一透镜位于所述信号光输入端口的正右方，所述带通滤波片位于光输出端口的正左方；所述半透半反镜的正后方水平设置有第二透镜，第二透镜的正后方设置有一个反射镜，该反射镜位于所述控制光输入端口的正右方；所述工作介质为在控制光的波段具有光学非线性响应的材料。本发明公开的光延迟器可对信号光脉冲时延的大小和正负进行精确连续调控，实现对任意波段的信号光脉冲的时延进行调控。
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公开(公告)号：CN108983445B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN201810999804.5
申请日：2018-08-30
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明公开了一种光纤声光器件应力可调节支架及其系统和安装方法。本发明采用在一维精密平移装置上固定光纤支架，从而对光纤施加轴向应力，并且通过辅助安装设备使声光驱动角锥的尖端与光纤重合；本发明解决了光纤声光器件在使用中应力需要随时调整的问题，并且兼顾了不同应用的光纤声光器件的灵活性，为光纤声光器件真正实用化提供了必要的结构；同时本发明提出了辅助安装设备，该结构调整灵活，可重复利用，能够满足光纤声光器件应力可调节支架的批量安装使用，解决了生产过程中声光角锥与光纤精密对准的问题；本发明使光纤声光器件真正进行脱离实验室走向应用，为其在全光纤通信、全光纤传感、全光纤激光器等领域的应用奠定了坚实的基础。
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公开(公告)号：CN106283194A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610766947.2
申请日：2016-08-29
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明提出了一种铌酸锂晶体纳米畴结构的制备装置及方法，其目的在于解决现有极化技术在铌酸锂晶体中制备纳米畴结构中存在的技术难题，其适用于铁电晶体纳米畴工程领域中纳米畴结构的制备，尤其适用于Z切向的同成分铌酸锂晶体、掺镁铌酸锂晶体等。所述制备方法包括步骤：第一步，在铌酸锂晶体中构造畴壁结构；第二步，对该样品进行热处理；第三步，对样品进行二次极化。本技术通过改变热处理温度和热处理时间，可以制备出不同尺寸的纳米畴结构。畴结构的尺寸一般在百纳米量级，深度在百微米量级。利用该技术可以制备百微米长的高质量纳米畴结构。该技术具有操作简单，可以实现批量化、大面积制备纳米畴结构等特点。
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