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公开(公告)号：CN102206092B
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201110064158.1
申请日：2011-03-17
Applicant: 南开大学
IPC: C04B38/00
Abstract: 本发明公开了一种掺铒铌酸锂多孔材料制备方法及其制备材料。掺铒铌酸锂多孔材料的制备以掺铒铌酸锂晶体体材料和去离子水为原料，利用手工及机械研磨的方法制备掺铒铌酸锂微晶，再利用过滤的方法选出合适粒径的微晶，最后利用干结或烧结的方法制备出掺铒铌酸锂多孔材料，其多孔材料中的掺铒铌酸锂微粒大小介于100nm-2μm之间；掺铒铌酸锂多孔材料的发光波长位于从400nm-1600nm范围中的多个波段且可选激发波长位于从380nm-1500nm范围中的多个波段；掺铒铌酸锂多孔材料既具有下转换发光特性又具有上转换发光特性。本发明解决了现有发光多孔材料发光波段范围不足，可选用泵浦光波长范围小以及能应用于上转换发光的多孔材料极少的问题。
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公开(公告)号：CN101550598B
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN200910068819.0
申请日：2009-05-13
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明公开了一种掺锡铌酸锂晶体，在铌酸锂晶体中掺入有锡离子Sn4+，所述锡离子Sn4+的掺入量为0.1～6.0mol％(摩尔百分比)，且铌酸锂晶体中含有比例为(0.93～1.41)∶1的锂离子Li1+与铌离子Nb3+。本发明公开的掺锡铌酸锂晶体具有掺杂阈值低，抗光折变能力较强，且易于生长等优点。本发明的掺锡铌酸锂晶体的抗光折变能力比同成份铌酸锂晶体提高了4个量级，比同成分掺镁铌酸锂晶体提高了1个量级，因此其作为一种掺杂阈值低、抗光折变能力强、且易于生长的光学材料，可以完全取代高掺镁铌酸锂晶体的应用，具有巨大的市场前景和重大的生产实践意义。
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公开(公告)号：CN102206092A
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN201110064158.1
申请日：2011-03-17
Applicant: 南开大学
IPC: C04B38/00
Abstract: 本发明公开了一种掺铒铌酸锂多孔材料制备方法及其制备材料。掺铒铌酸锂多孔材料的制备以掺铒铌酸锂晶体体材料和去离子水为原料，利用手工及机械研磨的方法制备掺铒铌酸锂微晶，再利用过滤的方法选出合适粒径的微晶，最后利用干结或烧结的方法制备出掺铒铌酸锂多孔材料，其多孔材料中的掺铒铌酸锂微粒大小介于100nm-2μm之间；掺铒铌酸锂多孔材料的发光波长位于从400nm-1600nm范围中的多个波段且可选激发波长位于从380nm-1500nm范围中的多个波段；掺铒铌酸锂多孔材料既具有下转换发光特性又具有上转换发光特性。本发明解决了现有发光多孔材料发光波段范围不足，可选用泵浦光波长范围小以及能应用于上转换发光的多孔材料极少的问题。
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公开(公告)号：CN101165228A
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：CN200710058844.1
申请日：2007-08-16
Applicant: 南开大学
IPC: C30B29/30
Abstract: 一种铌酸锂pn结及其制备方法。铌酸锂pn结是将两种不同载流子类型的铌酸锂晶体结合在一起，其结晶化学式可表示为：p:LiNbO3/n:LiNbO3，其中，p是镁、铟、锌、铪、锆等抗光折变掺杂元素中的一种或几种的组合，n是铁、铜、猛、铈等光折变掺杂元素中的一种或几种的组合。制备方法是，用提拉法生长p:LiNbO3晶体，切成p:LiNbO3晶片，作为液相外延的衬底；配制n:LiNbO3粉料，先升温熔融，再降至熔点；将第一步中的衬底焙烧，放入熔体中外延生长，将外延晶片抽离熔体，降至室温；外延晶片单面抛光，可得铌酸锂pn结。本发明铌酸锂pn结具备有正向导通、反向截至的整流特性。它将铌酸锂优良的电光性能与pn结有机地结合起来，可作为集成光电子学的平台，具有突破性的意义及巨大的市场前景。
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公开(公告)号：CN1201915C
公开(公告)日：2005-05-18
申请号：CN03121582.3
申请日：2003-04-02
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及晶体加工技术，尤其是能准确定向切割晶体的方法，属于晶体材料切割加工技术领域。常用的方法只能凭据x射线衍射定向仪和万能角度尺，边测量角度边研磨修正，花费时间又浪费晶体，尤其是一些贵重的晶体，很可惜的。一些体积比较小的晶体，由于基准面小测量误差比较大，加工精度无法保证。本发明将激光器的光束调至与内圆切割机的刀片相垂直，在激光束的正上方做一直线N，N上任意点的垂线M通过激光束，晶体的参考面使激光反射点返回原点，利用公式：tg2θ＝Y/L，调整θ1、θ2角，即可准确地确定切割晶体的方向，能一次切割成所需要的任意晶向的晶体，质量、效率高，不浪费晶体，能耗低和节省工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1584131A
公开(公告)日：2005-02-23
申请号：CN200410019454.X
申请日：2004-05-31
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及一种近化学比铌酸锂晶体的生长，特别是用熔体注入法生长的系统及其工艺。由于铌酸锂晶体不是同成分共熔，结晶出来的固体成分与熔体成分不一致，难以得到成分均匀的晶体。本发明提供一种采用熔体注入法，系统包括晶体生长炉、供料炉、回路调节器、中频电源、工控计算机和配套软件等7大部分：在晶体生长中，判断晶体生长量和供料炉注入熔融原料量之间的平衡，使注入生长坩埚的熔融原料量与晶体的生长量保持平衡，从而使晶体生长坩埚中原料的成分保持恒定；本发明的有益效果：具有加料连续性好、晶体成分波动小，光学均匀性好以及自动化程度高等优点，设备比较简单，有利于产业化生产，也可以用来进行其它类似非同成分共熔晶体的生长。
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公开(公告)号：CN1440054A
公开(公告)日：2003-09-03
申请号：CN03121583.1
申请日：2003-04-02
Applicant: 南开大学
IPC: H01L21/304 , B24B1/00 , B24B7/22
Abstract: 本发明涉及一种晶体材料抛光技术，尤其是平行度优于1秒的晶体材料偏心抛光方法，属于晶体材料加工技术领域。在晶体研磨、抛光过程中，如果同时对平行度、平面度和光洁度都有比较高的要求，加工时就很困难。常规方法不行。本发明的技术方案：先将晶体的两个对面磨平，进行抛光，将晶体抛光成高光圈，用激光干涉仪检查，利用晶体两对面干涉条纹的圆心与晶体几何中心的偏离，测量出厚度差修正它，采用降光圈条件，降圈抛光，使晶体四周无厚度差。再将晶体调到与夹具同心的位置，继续降圈抛光，等厚干涉条纹将逐渐扩大，圈数减少，最后消失，此时晶体平行度极好。本发明的有益效果：比用测角仪方便，精度高。比用干涉仪观察直条纹的方法省时、省力。
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公开(公告)号：CN1439495A
公开(公告)日：2003-09-03
申请号：CN03121582.3
申请日：2003-04-02
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明涉及晶体加工技术，尤其是能准确定向切割晶体的方法，属于晶体材料切割加工技术领域。常用的方法只能凭据x射线衍射定向仪和万能角度尺，边测量角度边研磨修正，花费时间又浪费晶体，尤其是一些贵重的晶体，很可惜的。一些体积比较小的晶体，由于基准面小测量误差比较大，加工精度无法保证。本发明将激光器的光束调至与内圆切割机的刀片相垂直，在激光束的正上方做一直线N，N上任意点的垂线M通过激光束，晶体的参考面使激光反射点返回原点，利用公式：tg2θ＝Y/L，调整θ1、θ2角，即可准确地确定切割晶体的方向，能一次切割成所需要的任意晶向的晶体，质量、效率高，不浪费晶体，能耗低和节省工序。
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公开(公告)号：CN1091176C
公开(公告)日：2002-09-18
申请号：CN00121092.0
申请日：2000-07-20
Applicant: 南开大学
CPC classification number: G11B7/243 , C01G33/00 , C01G49/009 , C01P2002/52 , C01P2006/80 , G11B7/0065 , G11B7/26 , G11C13/041
Abstract: 本发明属光折变晶体材料领域。它的组成是：Li1-xNb1+yO3：Fem，Mn，其中M是镁、铟或锌中的一种，用q来表示M离子的价态(M为镁、锌时q＝2，M为铟时q＝3)，则x，y，m，n的取值范围分别是：0.05≤x ≤ 0.13，0.00≤y≤0.01，5.0×10-5≤m≤7.5×10-4，0.02≤qn≤0.13。本发明大幅提高了铌酸锂晶体的光折变特性，使其具有高衍射效率(68%以上)、快光折变响应比掺铁铌酸锂晶体缩短了一个数量级和强抗光散射能力，光折变扇形光散射光强阈值比掺铁铌酸锂晶体提高近两个数量级。本发明是优良的三维全息光盘材料，具有巨大的市场前景。
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公开(公告)号：CN1362545A
公开(公告)日：2002-08-07
申请号：CN01144331.6
申请日：2001-12-17
Applicant: 南开大学
Abstract: 本发明属光电材料领域。它提供了一种生长近化学计量比铌酸锂晶体的方法:采用填加K2O助溶剂的方法,降低铌酸锂的熔点,提高晶体的锂铌比,在熔融状态下,利用提拉法生长近化学计量比铌酸锂晶体(包括名义纯和各种掺杂)。该技术生长的晶体中Li2O的含量在49mol%以上,且光学质量好,适用于产业化。在表面波滤波器、电光调制、电光开关、光波导其激光器、倍频、参量振荡、高密度信息存储、光电器件集成等方面有着非常广泛的应用前景。
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